2-(4-allylphenyl)-5,5-dimethyl-1,3-dioxane | 307537-99-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 二恶烷
• 英文名称: 2-(4-allylphenyl)-5,5-dimethyl-1,3-dioxane
• 英文别名: 5,5-dimethyl-2-(4-prop-2-enylphenyl)-1,3-dioxane
• CAS: 307537-99-1
• 化学式: C₁₅H₂₀O₂
• 分子量: 232.323
• InChiKey: VFBWAZDYOAXHLK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.6
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.47
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-(4-allylphenyl)-5,5-dimethyl-1,3-dioxane 在 水 、 三氟乙酸 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 18.0h， 以81%的产率得到4-烯丙基苯甲醛
  参考文献：
  名称：

  含烃链的卟啉的合成及其与Si（100）的共价键连接

  摘要：

  在存储芯片中使用氧化还原活性分子作为活性存储元件要求具有以可靠且坚固的方式将分子附接到电活性表面的能力。为了探索通过碳硅烷键连接到硅的卟啉的用途，已合成了17种卟啉。十四个卟啉在一个介观位点带有一个链，三个卟啉在两个β位带有一个官能团，可能会进行两点连接。已经开发了两种高温处理方法（在惰性气氛下为400°C），用于快速（数分钟），容易地共价连接到Si平台上。高温处理条件可以通过将卟啉样品的稀溶液（1μM-1mM）直接沉积到Si基板上，或将纯净样品升华到Si基板上来实现。卟啉的这一多样化集合的可用性使得能够深入检查系链（长度，组成，末端官能团，系链的数量）和空间位阻性非连接取代基对所获得的卟啉单层信息存储性能的影响附着在硅上。可以很容易地与各种各样的烃系链进行连接，包括直接附在卟啉上的2-（三甲基甲硅烷基）乙炔基，乙烯基，烯丙基或3-丁烯基和碘，溴代甲基，2-（三甲基甲硅烷基）乙炔基，乙炔基，乙烯基或烯丙基附加到a的4位

  DOI：

  10.1021/jo049439q
• 作为产物：
  描述：

  1,3-二噁烷,2-(4-溴苯基)-5,5-二甲基- 、 3-溴丙烯 在 magnesium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 5.25h， 以59%的产率得到2-(4-allylphenyl)-5,5-dimethyl-1,3-dioxane
  参考文献：
  名称：

  具有不同接头的“卟啉-接头-硫醇”分子的合成，用于研究基于分子的信息存储

  摘要：

  氧化还原活性分子（如卟啉）与电活性表面的连接为基于电可寻址分子的信息存储提供了一种有吸引力的方法。卟啉通过硫醇连接基很容易附着在金表面。电活性表面和卟啉之间的电子转移速率是决定适用于基于分子的存储器存储的关键因素之一。该速率取决于将硫醇单元连接至卟啉的接头的类型和长度。我们已经开发了具有八种不同连接子的硫醇衍生卟啉的制备方法。两组接头探讨了接头长度和缀合的影响，一组接头包含苯乙炔单元，而另一组接头包含烷基单元。一个缺电子的连接子具有四个直接与硫代苯基单元相连的氟原子。为了促进卟啉的合成，已经开发了便利的途径来制备具有受保护的S-乙酰硫基的多种醛。还开发了1-（S-乙酰硫基）-4-碘代苯的有效合成。合成了一组卟啉，每个卟啉在一个内消旋位置带有一个S-乙酰基衍生化的连接基，并在其余三个内消旋位置上带有均三甲苯基。总共制备了七个新的醛，八个游离碱卟啉和八个锌卟啉。带有不同接头的锌卟啉均通过原位裂

  DOI：

  10.1021/jo000487u

文献信息

• Synthesis of porphyrins designed for attachment to electroactive surfaces via one or more carbon tethers
  申请人：Lindsey S. Jonathan

  公开号：US20060009638A1

  公开（公告）日：2006-01-12

  Porphyrin compounds having a surface attachment group coupled thereto at the 5 position are described. The surface attachment group has the formula: wherein R is —CHCH 2 or —CCH and Ar is an aromatic group. Methods and intermediates useful for making such compounds are also described.

  描述了在5位点上具有表面附着基团的卟啉化合物。表面附着基团的化学式为：其中R为—CHCH2或—CCH，Ar为芳香基团。还描述了制备这类化合物所用的方法和中间体。
• High density memory device
  申请人：Bocian F. David

  公开号：US20060209587A1

  公开（公告）日：2006-09-21

  This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10 15 bits/cm 3 ), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型的高密度存储器件，具有电学可寻址性，可有效地进行读写操作，提供高存储密度（例如，1015比特/立方厘米），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。这些器件本质上是可锁定的、缺陷容忍的，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该器件包括一个固定电极，与一个具有多种不同和可区分氧化态的存储介质电学耦合，通过电学耦合的电极向存储介质中添加或撤回一个或多个电子，将数据存储在所述氧化态中。
• SYNTHESIS OF PORPHYRINS DESIGNED FOR ATTACHMENT TO ELECTROACTIVE SURFACES VIA ONE OR MORE CARBON TETHERS
  申请人：Lindsey Jonathan S.

  公开号：US20080194839A1

  公开（公告）日：2008-08-14

  Porphyrin compounds having a surface attachment group coupled thereto at the 5 position are described. The surface attachment group has the formula: wherein R is —CHCH 2 or —CCH and Ar is an aromatic group. Methods and intermediates useful for making such compounds are also described.

  本文描述了在5位点上具有表面附着基团的卟啉化合物。该表面附着基团的化学式为：其中R为—CHCH2或—CCH，Ar为芳香族基团。还描述了制备这种化合物所用的方法和中间体。
• High density non-volatile memory device
  申请人：The Regents of the University of California

  公开号：US07042755B1

  公开（公告）日：2006-05-09

  This invention provides novel high density memory devices (FIG. 3) that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (102), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices arc intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型高密度存储器件（图3），可进行电子寻址，以实现有效的读写，提供高密度存储（102），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。该设备本质上是可锁存的，具有缺陷容忍能力，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该设备包括与一个存储介质电性耦合的固定电极，该存储介质具有多种不同的可区分的氧化态，其中通过向存储介质中加入或撤回一个或多个电子来将数据存储在该氧化态中。
• HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
  申请人：The Regents of the University of California

  公开号：EP1210714A2

  公开（公告）日：2002-06-05