5-sulfamoyl-naphthalene-1-sulfonic acid

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 5-sulfamoyl-naphthalene-1-sulfonic acid
• 英文别名: 5-Sulfamoyl-naphthalin-1-sulfonsaeure；5-Sulfamoylnaphthalene-1-sulfonic acid；5-sulfamoylnaphthalene-1-sulfonic acid
• 化学式: C₁₀H₉NO₅S₂
• 分子量: 287.317
• InChiKey: BWMXHKIHPFDRHC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.4
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  131
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  萘 在 硫酸 作用下， 生成 5-sulfamoyl-naphthalene-1-sulfonic acid 、 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid
  参考文献：
  名称：

  Überein Anhydrid der Naphtalin-1，5-disulfonsäure

  摘要：

  Naphtalin-1,5-disulfonsäurewird durch Oleum bei Temperaturen under 50°in in Anhydridübergeführt，das durch Behandlung mit Ammoniak leicht ein Gemisch von Naphtalin-1,5-disulfamid und vonNaphtalin-1-ulfamid-5-ulfonsäure。Dastellung der Naphtalin中的无水脱水剂1,5,5-disulfonsäuredurch Sulfurierung von Naphtalin mit Oleum。

  DOI：

  10.1002/hlca.19490320303

文献信息

• Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials LLC

  公开号：US11003074B2

  公开（公告）日：2021-05-11

  A pattern formation method, comprising: (a) providing a semiconductor substrate; (b) forming a photoresist pattern over the semiconductor substrate, wherein the photoresist pattern is formed from a photoresist composition comprising: a first polymer comprising acid labile groups; and a photoacid generator; (c) coating a pattern overcoat composition over the photoresist pattern, wherein the pattern overcoat composition comprises a second polymer and an organic solvent, wherein the organic solvent comprises one or more ester solvents, wherein the ester solvent is of the formula R1—C(O)O—R2, wherein R1 is a C3-C6 alkyl group and R2 is a C5-C10 alkyl group; (d) baking the coated photoresist pattern; and (e) rinsing the coated photoresist pattern with a rinsing agent to remove the second polymer. The methods find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.

  一种图案形成方法，包括：(a) 提供半导体衬底；(b) 在半导体衬底上形成光刻胶图案，其中光刻胶图案由光刻胶组合物形成，光刻胶组合物包括包含可酸基团的第一种聚合物；以及光酸发生器； (c) 在光刻胶图案上涂覆图案涂层组合物，其中图案涂层组合物包含第二种聚合物和有机溶剂，其中有机溶剂包含一种或多种酯溶剂，其中酯溶剂的式为 R1-C(O)O-R2，其中 R1 为 C3-C6 烷基，R2 为 C5-C10 烷基；(d) 烘烤涂层光刻胶图案；以及 (e) 用漂洗剂漂洗涂层光刻胶图案，以去除第二种聚合物。这些方法特别适用于半导体器件的制造。
• PATTERN FORMATION METHODS AND PHOTORESIST PATTERN OVERCOAT COMPOSITIONS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials LLC

  公开号：US20210232047A1

  公开（公告）日：2021-07-29

  A pattern formation method, comprising: (a) providing a semiconductor substrate; (b) forming a photoresist pattern over the semiconductor substrate, wherein the photoresist pattern is formed from a photoresist composition comprising: a first polymer comprising acid labile groups; and a photoacid generator; (c) coating a pattern overcoat composition over the photoresist pattern, wherein the pattern overcoat composition comprises a second polymer and an organic solvent, wherein the organic solvent comprises one or more ester solvents, wherein the ester solvent is of the formula R 1 —C(O)O—R 2 , wherein R 1 is a C3-C6 alkyl group and R 2 is a C5-C10 alkyl group; (d) baking the coated photoresist pattern; and (e) rinsing the coated photoresist pattern with a rinsing agent to remove the second polymer. The methods find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
• Über ein Anhydrid der Naphtalin-1, 5-disulfonsäure
  作者：L. Blaney、H. E. Fierz-David

  DOI：10.1002/hlca.19490320303

  日期：——

  Naphtalin-1,5-disulfonsäure wird durch Oleum bei Temperaturen under 50° in ein Anhydrid übergeführt, das durch Behandlung mit Ammoniak leicht ein Gemisch von Naphtalin-1,5-disulfamid und von Naphtalin-1-sulfamid-5-sulfonsäure liefert. Das gleiche Anhydrid entsteht auch bei der Darstellung der Naphtalin-1,5-disulfonsäure durch Sulfurierung von Naphtalin mit Oleum.

  Naphtalin-1,5-disulfonsäurewird durch Oleum bei Temperaturen under 50°in in Anhydridübergeführt，das durch Behandlung mit Ammoniak leicht ein Gemisch von Naphtalin-1,5-disulfamid und vonNaphtalin-1-ulfamid-5-ulfonsäure。Dastellung der Naphtalin中的无水脱水剂1,5,5-disulfonsäuredurch Sulfurierung von Naphtalin mit Oleum。