1,2-Bis(dimethylamino)ethylen | 19289-58-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 1,2-Bis(dimethylamino)ethylen
• 英文别名: (Z)-N,N,N',N'-tetramethylethene-1,2-diamine
• CAS: 19289-58-8；20377-94-0；91928-16-4
• 化学式: C₆H₁₄N₂
• 分子量: 114.191
• InChiKey: VJNYTMGAKLYZRS-WAYWQWQTSA-N

物化性质

• 沸点：
  38-40 °C(Press: 15 Torr)
• 密度：
  0.841±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.8
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.67
• 拓扑面积：
  6.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,2-Bis(dimethylamino)ethylen 在 草酸氯化物 、 水 、 potassium carbonate 作用下， 反应 26.0h， 生成 2,3-Bis(dimethylamino)acrolein
  参考文献：
  名称：

  Reichardt, Christian; Schagerer, Klaus, Liebigs Annalen der Chemie, 1982, # 3, p. 530 - 535

  摘要：

  DOI：

文献信息

• TITANIUM-ALUMINUM ALLOY DEPOSITION WITH TITANIUM-TETRAHYDROALUMINATE BIMETALLIC MOLECULES
  申请人：I'Exploitation des Procedes Georges Claude L'Air Liquide, Societe Anonyme Pour I'Etude et

  公开号：US20130295298A1

  公开（公告）日：2013-11-07

  Disclosed are titanium-tetrahydroaluminates precursors, their method of manufacture, and their use in the deposition of titanium-aluminum-containing films. The disclosed precursors have the formulae Ti(AlH 4 ) 3 —X, Ti(AlH 4 ) 2 L and Ti(AlH 4 )L 2 . The disclosed precursors may be used to deposit pure titanium-aluminum (TiAl), titanium-aluminum nitride (TiAlN), titanium-aluminum carbide (TiAlC), titanium-aluminum carbonitride (TiAlCN), titanium-aluminum silicide ((TiAl)Si), titanium-aluminum siliconitride ((TiAl)SiN), titanium-aluminum boron ((TiAl)B), titanium-aluminum boron nitride ((TiAl)BN), or titanium-aluminum oxide (TiAlO). or any other titanium-aluminum-containing films. The titanium-aluminum-containing films may be deposited using the disclosed precursors in thermal and/or plasma-enhanced CVD, ALD, pulse CVD or any other type of depositions methods.

  本发明涉及钛四氢铝酸盐前体、其制备方法及其在沉积含钛铝薄膜中的应用。所披露的前体具有以下化学式：Ti（AlH4）3—X，Ti（ ）2L和Ti（ ）L2。所披露的前体可用于沉积纯钛铝（TiAl）、钛铝氮化物（TiAlN）、钛铝碳化物（TiAlC）、钛铝碳氮化物（TiAlCN）、钛铝硅化物（（TiAl）Si）、钛铝硅氮化物（（TiAl）SiN）、钛铝硼（（TiAl）B）、钛铝硼氮化物（（TiAl）BN）或钛铝氧化物（TiAlO）等任何含钛铝薄膜。可以使用所披露的前体在热化学气相沉积（CVD）、等离子增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、脉冲化学气相沉积或任何其他类型的沉积方法中沉积含钛铝薄膜。
• ERK INHIBITORS AND USES THEREOF
  申请人：Celgene CAR LLC

  公开号：EP2953457B1

  公开（公告）日：2020-04-08
• METHODS AND COMPOUNDS FOR THE TREATMENT OF GENETIC DISEASE
  申请人：Design Therapeutics, Inc.

  公开号：US20210284629A1

  公开（公告）日：2021-09-16

  The present disclosure relates to compounds and methods for modulating the expression ofc9orf72 (brain expressed, associated with NEDD4) and treating diseases and conditions in which c9orf72 plays an active role. The compound can be a transcription modulator molecule having a first terminus, a second terminus, and oligomeric backbone, wherein: a) the first terminus comprises a DNA-binding moiety capable of noncovalently binding to a nucleotide repeat sequence GGGGCC; b) the second terminus comprises a protein-binding moiety binding to a regulatory molecule that modulates an expression of a gene comprising the nucleotide repeat sequence GGGGCC; and c) the oligomeric backbone comprising a linker between the first terminus and the second terminus.
• US9187511B2
  申请人：——

  公开号：US9187511B2

  公开（公告）日：2015-11-17