N,N',N'',N'''-四乙基-N,N',N'',N'''-四甲基硅烷四胺 | 477284-75-6

• 物质功能分类: 化学试剂 - 有机试剂 - 硅烷
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 中文名称: N,N',N'',N'''-四乙基-N,N',N'',N'''-四甲基硅烷四胺
• 中文别名: 四（乙基甲基氨基）硅烷；四(甲基(乙基)氨基)硅烷
• 英文名称: tetrakis(ethylmethylamino)silicon
• 英文别名: tetrakis(ethylmethylamino)silane；N-methyl-N-tris[ethyl(methyl)amino]silylethanamine
• CAS: 477284-75-6
• 化学式: C₁₂H₃₂N₄Si
• 分子量: 260.498
• InChiKey: MJBZMPMVOIEPQI-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  40°C
• 密度：
  0.89

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.23
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  13
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetrakis(ethylmethylamido)hafnium 、 N,N',N'',N'''-四乙基-N,N',N'',N'''-四甲基硅烷四胺 生成
  参考文献：
  名称：

  厚度对超薄 HfSiON 栅极电介质结晶的影响

  摘要：

  超薄铪硅氧氮化物 (HfSiON) 栅极电介质的结晶被研究为物理厚度的函数。掠入射 X 射线衍射 (GI-XRD) 用于检测 1.5、2.0、2.5 和 4.0 nm HfSiON 薄膜在 1000°C10s 掺杂剂活化退火后的相分离和结晶。在 2.5 和 4.0 nm HfSiON 薄膜中检测到对应于单斜晶和四方 HfO2 的结晶峰。这些 GI-XRD 结果得到了 HfSiON 薄膜的平面图透射电子显微镜图像的支持。薄膜结晶度似乎会影响较厚的 HfSiON 薄膜中的电压不稳定性。

  DOI：

  10.1063/1.2165182
• 作为产物：
  描述：

  N-乙基甲基胺 、 碘化硅(IV) 以 C₇H₈ 为溶剂， 反应 24.0h， 以80%的产率得到N,N',N'',N'''-四乙基-N,N',N'',N'''-四甲基硅烷四胺
  参考文献：
  名称：

  Synthesis of tetrakis(dialkylamino)silanes

  摘要：

  一种合成硅的基本纯的四取代二次胺衍生物的方法，所述衍生物基本上不含卤素，具有以下结构式：Si(NRR1)4其中：R和R1相同或不同，为取代或未取代的直链或支链烷基，含有1至6个碳原子，所述方法包括将具有以下结构式的硅卤化物反应：SiX4其中：X为溴或碘，与过量具有以下结构式的二次胺反应：HNRR1其中：R和R1如上定义，反应时间和条件足以产生含有所需产物Si(NRR1)4的反应产物混合物。

  公开号：

  US20070049766A1

文献信息

• Stabilization of higher-κ tetragonal HfO2 by SiO2 admixture enabling thermally stable metal-insulator-metal capacitors
  作者：T. S. Böscke、S. Govindarajan、P. D. Kirsch、P. Y. Hung、C. Krug、B. H. Lee、J. Heitmann、U. Schröder、G. Pant、B. E. Gnade、W. H. Krautschneider

  DOI：10.1063/1.2771376

  日期：2007.8.13

  The authors report the relationship between HfO2 crystalline phase and the resulting electrical properties. Crystallization of amorphous HfO2 into the monoclinic phase led to a significant increase in leakage current and formation of local defects. Admixture of 10% SiO2 avoided formation of these defects by stabilization of the tetragonal phase, and concurrently increased the permittivity to 35. This

  作者报告了 HfO2 晶相与由此产生的电性能之间的关系。非晶 HfO2 结晶成单斜相导致漏电流显着增加和局部缺陷的形成。10% SiO2 的混合物通过稳定四方相避免了这些缺陷的形成，同时将介电常数增加到 35。这种理解使基于晶体 HfO2 的金属-绝缘体-金属电容器的制造能够承受 1000°C 的热预算，同时在低泄漏 [J(1V)<10−7A∕cm2] 下优化电容等效厚度 (<1.3nm)。
• Synthesis of tetrakis(dialkylamino)silanes
  申请人：Belot A. John

  公开号：US20070049766A1

  公开（公告）日：2007-03-01

  A method of synthesizing a substantially pure homoleptic tetrakis secondary amine derivative of silicon, said derivative being substantially free of halogen and having the formula: Si(NRR 1 ) 4 wherein: R and R 1 are the same or different and are substituted or unsubstituted straight or branched chain alkyl, groups having from 1 to 6 carbon atoms, said method comprising reacting a silicon halide having the formula: SiX 4 wherein: X is bromine or iodine, with an excess of a secondary amine having the formula: HNRR 1 wherein: R and R 1 are as defined as above, for a time and under conditions sufficient to produce a reaction product mixture containing the desired product, Si(NRR 1 ) 4 .

  一种合成硅的基本纯的四取代二次胺衍生物的方法，所述衍生物基本上不含卤素，具有以下结构式：Si(NRR1)4其中：R和R1相同或不同，为取代或未取代的直链或支链烷基，含有1至6个碳原子，所述方法包括将具有以下结构式的硅卤化物反应：SiX4其中：X为溴或碘，与过量具有以下结构式的二次胺反应：HNRR1其中：R和R1如上定义，反应时间和条件足以产生含有所需产物Si(NRR1)4的反应产物混合物。
• Effect of thickness on the crystallization of ultrathin HfSiON gate dielectrics
  作者：G. Pant、A. Gnade、M. J. Kim、R. M. Wallace、B. E. Gnade、M. A. Quevedo-Lopez、P. D. Kirsch

  DOI：10.1063/1.2165182

  日期：2006.1.16

  The crystallization of ultrathin hafnium silicon oxynitride (HfSiON) gate dielectric is studied as a function of physical thickness. Grazing incidence x-ray diffraction (GI-XRD) was used to detect phase separation and crystallization of 1.5, 2.0, 2.5, and 4.0 nm HfSiON films after 1000°C10s dopant activation anneal. Crystallization peaks corresponding to monoclinic and tetragonal HfO2 were detected

  超薄铪硅氧氮化物 (HfSiON) 栅极电介质的结晶被研究为物理厚度的函数。掠入射 X 射线衍射 (GI-XRD) 用于检测 1.5、2.0、2.5 和 4.0 nm HfSiON 薄膜在 1000°C10s 掺杂剂活化退火后的相分离和结晶。在 2.5 和 4.0 nm HfSiON 薄膜中检测到对应于单斜晶和四方 HfO2 的结晶峰。这些 GI-XRD 结果得到了 HfSiON 薄膜的平面图透射电子显微镜图像的支持。薄膜结晶度似乎会影响较厚的 HfSiON 薄膜中的电压不稳定性。