3,3'-methanediyl-bis-cyclohexylamine | 113861-49-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 3,3'-methanediyl-bis-cyclohexylamine
• 英文别名: Bis-(3-amino-cyclohexyl)-methan；3,3'-Methandiyl-bis-cyclohexylamin；3,3'-diaminodicyclohexylmethane；4,4-Diaminodicyclohexylmethane；3-[(3-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine
• CAS: 113861-49-7
• 化学式: C₁₃H₂₆N₂
• 分子量: 210.363
• InChiKey: ZZYZUFNSKAIYCJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.3
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  52
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  3,3'-甲撑二苯胺 在 aluminum oxide 、 氨 、 镍 、 zinc(II) oxide 作用下， 200.0~220.0 ℃ 、49.03 MPa 条件下， 生成 3,3'-methanediyl-bis-cyclohexylamine
  参考文献：
  名称：

  DE875653

  摘要：

  公开号：

文献信息

• [EN] CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED OBJECT, LAYERED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING CURED OBJECT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PHOTOBASE GENERATOR<br/>[FR] COMPOSITION DE RÉSINE DURCISSABLE, OBJET DURCI AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, STRATIFIÉ, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET GÉNÉRATEUR DE PHOTOBASE<br/>[JA] 硬化性樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、光塩基発生剤
  申请人：FUJIFILM CORP

  公开号：WO2022050278A1

  公开（公告）日：2022-03-10

  ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリアミドイミド前駆体よりなる群から選ばれた少なくとも１種の樹脂、及び、アルコキシシリル基を有する光塩基発生剤を含む、硬化性樹脂組成物、上記硬化性樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、及び、上記硬化物又は上記積層体を含む半導体デバイス、並びに、光塩基発生剤。

  选择至少一种由聚酰亚胺前体、聚苯并噁嗪前体和聚酰亚胺咪唑前体组成的树脂，以及含有烷氧基硅基的光碱发生剂的硬化树脂组合物，通过硬化上述硬化树脂组合物得到的硬化物，包含上述硬化物的层压体，制造上述硬化物的方法，以及包含上述硬化物或上述层压体的半导体器件，以及光碱发生剂。
• Polyamide resin compositions and laminates thereof
  申请人：MITSUI PETROCHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：EP0325030A2

  公开（公告）日：1989-07-26

  A polyamide resin composition which comprises: (A) a random polyamide comprising (a) at least one isphthaloyl diamine component represented by the general formula (I) of wherein R⁰ represents a divalent hydrocarbon group of 4-25 carbons, in a total amount of 50-100 mole %; and (b) at least one diacyloyl diamine component represented by the general formula (II) of -[NH-R⁰-NHCO-Ar-CO)- wherein R⁰ is as defined above and Ar represents a divalent aromatic hydrocarbon group of 6-20 carbons but is not a 1,3-phenylene group, in a total amount of 50-0 mole %, and (B) a polyamide comprising: (c) at least one diamine component of 4-25 carbons or dicarboxylic acid component of 4-20 carbons which have no aromatic nuclei; or (d) at least one aminocarboxylic acid component; or (e) at least one diamine component of 4-25 carbonss,dicarboxylic acid component of 4-20 carbons which has no aromatic nuclei, or aminocarboxylic acid component. The composition has high impermeability and a low glass transition temperature and may be used to manufacture laminates and moulded articles.

  一种聚酰胺树脂组合物，包括 (A) 无规聚酰胺，包括 (a) 至少一种由以下通式(I)代表的间苯二甲酰二胺组分 其中 R⁰ 代表 4-25 个碳原子的二价烃基，总量为 50-100 摩尔 %；以及 (b) 至少一种由通式 (II) 表示的二乙酰基二胺组分，其总用量为 50-100 摩尔 %；以及 -NH-R⁰-NHCO-Ar-CO)- 其中 R⁰ 如上定义，Ar 代表 6-20 个碳原子的二价芳香烃基团，但不是 1，3-亚苯基基团，总量为 50-0 摩尔 %，以及 (B) 聚酰胺，包括 (c) 至少一种不含芳香族核的 4-25 碳原子的二胺组分或 4-20 碳原子的二 羧酸组分；或 (d) 至少一种氨基甲酸酯组分；或 (e) 至少一种含 4-25 个碳原子的二胺组分s 、含 4-20 个碳原子的不含芳香族核 的二羧酸组分或氨基羧酸组分。 这种组合物具有较高的抗渗性和较低的玻璃化转变温度，可用于制造层压板和模制件。
• Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen durch i-Linien-Bestrahlung
  申请人：OCG Microelectronic Materials Inc.

  公开号：EP0624826A1

  公开（公告）日：1994-11-17

  Ein Verfahren zur Herstellung von Reliefabbildungen, umfassend die folgenden Schritte: (A) Beschichten eines Substrats mit einer photopolymerisierbaren Zusammensetzung enthaltend ein Polymer (a) und einen Photoinitiator (b), (B) bildmässiges Belichten des beschichteten Substrats mit UV-Strahlung im i-Linien-Bereich (ca. 360-370 nm), (C) Entfernen der unbelichteten Stellen mit Hilfe eines Lösungsmittels und (D) Tempern des belichteten und entwickelten Materials, dadurch gekennzeichnet, dass als Polymer (a) eine Polyimid-Vorstufe enthaltend wiederkehrende Strukturelemente der Formel (I) verwendet wird, wobei → für Strukturisomere steht, worin X den vierwertigen Rest einer aromatischen Tetracarbonsäure darstellt, Y für einen zweiwertigen aliphatischen, cycloaliphatischen oder ein- oder mehrkernigen aromatischen Rest steht, A für -COO-, -CONH- oder -COO⊖HN⊕R₂R₃ steht, worin R₂ und R₃ unabhängig voneinander C₁-C₆-Alkyl oder C₁-C₆-Alkenyl bedeuten, und R₁ ein Rest mit einer photopolymerisierbaren olefinischen Doppelbindung ist, mit der Massgabe, dass mindestens 50 % aller Reste X den Rest der Oxydiphthalsäure oder mindestens 50 % aller Reste Y einen Rest eines aromatischen Diamins darstellen, das an allen vier ortho-Positionen zu den beiden Aminstickstoffatomen unabhängig voneinander durch C₁-C₆-Alkyl, C₁-C₆-Alkoxy, C₁-C₆-Halogenalkyl, C₆-C₁₄-Aryl, Halogen oder Cyanogruppen substituiert ist, liefert hitze- und chemikalienbeständige Strukturen, die sich insbesondere zur Herstellung von Polyimid-Schutzlacken in der Elektronik-Industrie eignen.

  一种制作浮雕图像的方法，包括以下步骤： (A) 用包含聚合物 (a) 和光引发剂 (b) 的可光聚合组合物涂覆基底、 (B) 将涂过涂层的基底置于 i 线范围（约 360-370 纳米）的紫外线辐射下进行成像、 (C) 借助溶剂去除未曝光区域，以及 (D) 对曝光和显影后的材料进行退火处理、 其特征在于所使用的聚合物 (a) 是含有式 (I) 重复结构元素的聚酰亚胺前体、 其中 → 代表结构异构体、 其中 X 代表芳香族四羧酸的四价基，Y 代表二价脂肪族、环脂族或单核或多核芳香族基，A 代表 -COO-、-其中 R₂R 和 R₃ 各自表示 C₁-C₆ 烷基或 C₁-C₆ 烯基，R₁ 是具有可光聚合烯烃双键的基团、 但所有基团中至少 50%的 X 代表氧代二邻苯二甲酸的基团，或所有基团中至少 50%的 Y 代表芳香族二胺的基团、在两个胺氮原子的所有四个正交位置上分别被 C₁-C₆-烷基、C₁-C₆-烷氧基、C₁-C₆-卤代烷基、C₆-C₁₄-芳基、卤素或氰基取代、 可提供耐热和耐化学腐蚀的结构，特别适用于生产电子工业中的聚酰亚胺保护涂层。
• Negative working photoresist composition based on polyimide primers
  申请人：Olin Microelectronic Chemicals, Inc.

  公开号：EP0798597A1

  公开（公告）日：1997-10-01

  Negative working photoresist compositions containing: a) a polyimide primer containing recurring structural units of formula (I) in which A1 stands for an oxygen atom or an NH group, R1 represents the same or different residues with a photopolymerizable olefin double bond, [X] indicates the residue of the cyclic dianhydride of the same or different tetracarboxylic acids remaining after removal of the anhydride groups, and Y indicates the residue of the same or different diamines remaining after removal of the amino groups, as well as b) a photoinitiator for polymerizing olefin double bonds, which are characterized by in that they contain    at least one other component c), which is selected from the group consistig of c1) organosilicon compounds with one or more hydroxyl groups, c2) compounds of formula (IIa) in which A2 and A3, independent of one another, stand for an oxygen atom or a NR group, in which R indicates a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group, and [G] stands for a divalent aliphatic or aromatic group, which is unsubstituted or has one or more hydroxyl substituents, R2 indicates an aryl residue, which has one or more substituents that improve the solubility of the composition in aqueous-alkaline media, R3 represents a residue with at least one photopolymeriable olefin double bond, and y as well as z, independent of one another, indicate the number 0 or 1, c3) compounds of formula (IIb) in which R0 represents the same or different residues with a photopolymerizable olefin double bond, and [M] represents the residue of the cyclic dianhydride of a tetracarboxylic acid remaining after removal of the anhydride groups, and c4) mixtures comprised of two or more components selected from components of the type c1), type c2), and type c3).    have the advantage that they can be developed with a developer, which comprises up to 50 to 100 wt.% of an aqueous-alkaline medium, whereby the balance to 100 wt.% is formed by one or more organic solvents.

  阴性工作光刻胶组合物，含有 a) 含式 (I) 重复结构单元的聚酰亚胺底漆 其中 A1 代表氧原子或 NH 基团、 R1 代表具有可光聚合烯烃双键的相同或不同残基、 [X]表示去除酸酐基团后剩余的相同或不同四羧酸的环状二酐残留物，以及 Y 表示去除氨基后剩余的相同或不同二胺的残留物，以及 b) 用于聚合烯烃双键的光引发剂、 其特征在于它们含有 至少一种其他成分 c)，选自以下组别 c1) 含有一个或多个羟基的有机硅化合物、 c2) 式（IIa）化合物 其中 A2 和 代表氧原子或 NR 基团，其中 R 表示氢原子或 C1-C4 烷基，以及 [G]代表二价脂肪族或芳香族基团，未被取代或具有一个或多个羟基取代基、 R2 表示芳基残基，该残基具有一个或多个取代基，可提高组合物在碱性水介质中的溶解度、 R3 表示具有至少一个可光聚合烯烃双键的残基，以及 y 和 表示数字 0 或 1、 c3) 式（IIb）化合物 其中 R0 代表具有可光聚合烯烃双键的相同或不同残基，以及 [M] 代表去除酸酐基团后剩余的四羧酸环状二酐残基，以及 c4) 由选自 c1)型、c2)型和 c3)型组分的两种或两种以上组分组成的混合物。 它们的优点是可以用显影剂进行显影，显影剂由最多 50 至 100 重量份的碱性水介质组成，其中其余至 100 重量份由一种或多种有机溶剂组成。
• Method of forming cavites between multilayered wirings
  申请人：JSR Corporation

  公开号：EP1418618A2

  公开（公告）日：2004-05-12

  A method that can readily form a cavity structure between metallic wirings in, for example, semiconductors using a polyamic acid and/or a polyimide obtained by reacting a specific alicyclic tetracarboxylic acid dianhydride and a specific alicyclic diamine. The method includes a step of coating the surface of a first dielectric film formed on a semiconductor substrate with a polyamic acid and/or a polyimide, a step of patterning a cavity-forming polymer between the multilayered wirings, a step of forming a second dielectric film on the cavity-forming polymer between the multilayered wirings containing a metallic wiring, and a step of removing the cavity-forming polymer between the multilayered wirings by heating to form a cavity between the metallic wirings.

  一种可在半导体等金属导线之间方便地形成空腔结构的方法，该方法使用一种聚酰胺酸和/或一种聚酰亚胺，该聚酰胺酸和/或聚酰亚胺是通过特定脂环族四羧酸二酐和特定脂环族二胺反应获得的。该方法包括在半导体衬底上形成的第一层电介质膜表面涂上聚酰胺酸和/或聚酰亚胺的步骤，在多层导线之间将空腔形成聚合物图案化的步骤，在含有金属导线的多层导线之间的空腔形成聚合物上形成第二层电介质膜的步骤，以及通过加热去除多层导线之间的空腔形成聚合物以在金属导线之间形成空腔的步骤。