1-N,1-N'-di(propan-2-yl)ethane-1,1-diamine

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 1-N,1-N'-di(propan-2-yl)ethane-1,1-diamine
• 化学式: C₈H₂₀N₂
• 分子量: 144.26
• InChiKey: DTGAZOLNYZSBNH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.5
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  24.1
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

文献信息

• ORGANOMETALLIC COMPOUNDS
  申请人：Umicore AG & Co. KG

  公开号：US20220098224A1

  公开（公告）日：2022-03-31

  The invention relates to ruthenium complexes of formula (I): [(arene)RuXL] formula (I) wherein the ruthenium includes the following ligands: (arene) arene, which may be optionally substituted, X H or C1-C8 hydrocarbon group, and L R2N—CR1=NR3, wherein R1 is selected from H, C1-C8 hydrocarbon group, which may be optionally substituted, and —NR4R5, wherein R4 and R5 independently of one another are selected from H and C1-C8 hydrocarbon groups, which may be optionally substituted, R2 and R3 independently of one another are selected from C1-C8 hydrocarbon groups, which may be optionally substituted, wherein R2 and R3 are identical to or different from one another, and R1 may be linked directly to R2, R1 may be linked directly to R3 and/or R2 may be linked directly to R3.

  本发明涉及式（I）的钌配合物：[(芳烃)RuXL]（I），其中钌包括以下配体：(芳烃)芳烃，可以选择性地被取代，X为H或C1-C8烃基，L为R2N-CR1=NR3，其中R1选自H、C1-C8烃基，可以选择性地被取代，以及—NR4R5，其中R4和R5各自独立地选自H和C1-C8烃基，可以选择性地被取代，R2和R3各自独立地选自C1-C8烃基，可以选择性地被取代，其中R2和R3相同或不同，且R1可以直接连接到R2，R1可以直接连接到R3和/或R2可以直接连接到R3。
• Deposition of Metal Films on Diffusion Layers by Atomic Layer Deposition and Organometallic Precursor Complexes Therefor
  申请人：Air Products and Chemicals, Inc.

  公开号：EP2060576A1

  公开（公告）日：2009-05-20

  Organometallic precursor complexes containing a metal and ligands containing electron withdrawing groups are disclosed. The complexes are adapted to undergo exothermic adsorption on a fully passivated diffusion barrier layer and on a metal layer deposited on the diffusion barrier layer and to undergo exothermic reduction on the diffusion barrier layer and the metal layer. The metal is preferably copper. Use of the complexes in atomic layer deposition is also disclosed.

  本发明公开了含有一种金属和含有取电子基团的配体的有机金属前体络合物。这些络合物可在完全钝化的扩散屏障层和沉积在扩散屏障层上的金属层上进行放热吸附，并在扩散屏障层和金属层上进行放热还原。金属最好是铜。还公开了原子层沉积中络合物的用途。
• METALLORGANISCHE VERBINDUNGEN
  申请人：UMICORE AG & CO. KG

  公开号：EP3680247A1

  公开（公告）日：2020-07-15

  Es werden Rutheniumkomplexe der Formel (I) beschrieben:         [(aren)RuXL]     Formel (I) wobei der Rutheniumkomplex folgende Liganden aufweist: (aren) = Aren, das optional substituiert sein kann, X = H oder C1-C8 Kohlenwasserstoffrest, und L = R2N-CR1=NR3, wobei R1 ausgewählt ist aus H, C1-C8 Kohlenwasserstoffrest, der optional substituiert sein kann, und -NR4R5, wobei R4 und R5 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus H und C1-C8 Kohlenwasserstoffresten, die optional substituiert sein können, R2 und R3 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus C1-C8 Kohlenwasserstoffresten, die optional substituiert sein können, wobei R2 und R3 gleich oder verschieden voneinander sind, und R1 mit R2, R1 mit R3 und/oder R2 mit R3 direkt verknüpft sein kann.

  描述了式 (I) 的钌配合物： (芴)RuXL] 式 (I) 其中钌络合物具有以下配体： (炔) = 炔，可任选被取代、 X = H 或 C1-C8 烃基，以及 L = R2N-CR1=NR3、 其中 R1 选自 H、可被任选取代的 C1-C8 烃基和-NR4R5，其中 R4 和 R5 独立选自 H 和可被任选取代的 C1-C8 烃基、 R2 和 R3 独立选自 C1-C8 烃基，可选择被取代，其中 R2 和 R3 彼此相同或不同，以及 R1 可与 R2 直接相连，R1 可与 R3 直接相连，和/或 R2 可与 R3 直接相连。
• Organometallic compounds
  申请人：Shenai-Khatkhate Deodatta Vinayak

  公开号：US20080026578A1

  公开（公告）日：2008-01-31

  Organometallic compounds containing an electron donating group-substituted alkenyl ligand are provided. Such compounds are particularly suitable for use as vapor deposition precursors. Also provided are methods of depositing thin films, such as by ALD and CVD, using such compounds.
• Deposition Of Metal Films On Diffusion Layers By Atomic Layer Deposition And Organometallic Precursor Complexes Therefor
  申请人：Cheng Hansong

  公开号：US20090130466A1

  公开（公告）日：2009-05-21

  Organometallic precursor complexes containing a metal and ligands containing electron withdrawing groups are disclosed. The complexes are adapted to undergo exothermic adsorption on a fully passivated diffusion barrier layer and on a metal layer deposited on the diffusion barrier layer and to undergo exothermic reduction on the diffusion barrier layer and the metal layer. The metal is preferably copper. Use of the complexes in atomic layer deposition is also disclosed.