合成了具有碳-碳双键和三键的基于二苯并[b,d]噻吩(DBT)的低聚物。通过热分析,紫外可见吸收光谱和电化学研究了它们的热稳定性和能级。3,7-双(苯基乙炔基)二苯并[b,d]噻吩(BEDBT)单晶显示不饱和键的引入消除了相邻芳环之间的空间排斥,BEDBT在晶体中显示出平面结构。这些化合物的薄膜晶体管表现出典型的p型行为。在OTS改性的,迁移率高达0.15 cm 2的基材上,由3,7-二苯乙烯基二苯并[b,d]噻吩(DSDBT)获得了最佳性能/ Vs和开/关电流比高达10 8,这是基于DBT的低聚物的最高性能之一。