3,7-distyryldibenzo[b,d]thiophene | 1338549-59-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 二苯乙烯类
• 英文名称: 3,7-distyryldibenzo[b,d]thiophene
• 英文别名: DSDBT；3,7-Bis(2-phenylethenyl)dibenzothiophene；3,7-bis(2-phenylethenyl)dibenzothiophene
• CAS: 1338549-59-9
• 化学式: C₂₈H₂₀S
• 分子量: 388.533
• InChiKey: CYBKQFSSIACWCO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.8
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  28.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  苯乙烯 、 3,7-二溴二苯并[b,d]噻吩 在 palladium diacetate 、 三乙胺 、 三苯基膦 作用下， 反应 72.0h， 以62%的产率得到3,7-distyryldibenzo[b,d]thiophene
  参考文献：
  名称：

  具有碳-碳不饱和键的基于二苯并[b，d]噻吩的低聚物，用于高性能场效应晶体管

  摘要：

  合成了具有碳-碳双键和三键的基于二苯并[b，d]噻吩（DBT）的低聚物。通过热分析，紫外可见吸收光谱和电化学研究了它们的热稳定性和能级。3,7-双（苯基乙炔基）二苯并[b，d]噻吩（BEDBT）单晶显示不饱和键的引入消除了相邻芳环之间的空间排斥，BEDBT在晶体中显示出平面结构。这些化合物的薄膜晶体管表现出典型的p型行为。在OTS改性的，迁移率高达0.15 cm 2的基材上，由3,7-二苯乙烯基二苯并[b，d]噻吩（DSDBT）获得了最佳性能/ Vs和开/关电流比高达10 8，这是基于DBT的低聚物的最高性能之一。

  DOI：

  10.1016/j.orgel.2009.12.011

文献信息

• Dibenzo[b,d]thiophene based oligomers with carbon–carbon unsaturated bonds for high performance field-effect transistors
  作者：Chengliang Wang、Zhongming Wei、Qing Meng、Huaping Zhao、Wei Xu、Hongxiang Li、Wenping Hu

  DOI：10.1016/j.orgel.2009.12.011

  日期：2010.4

  Thin film transistors of these compounds displayed typical p-type behaviour. The best performance was obtained from 3,7-distyryldibenzo[b,d]thiophene (DSDBT) on OTS modified substrates with mobility as high as 0.15 cm2/Vs and on/off current ratio up to 108, one of the highest performance for DBT based oligomers.

  合成了具有碳-碳双键和三键的基于二苯并[b，d]噻吩（DBT）的低聚物。通过热分析，紫外可见吸收光谱和电化学研究了它们的热稳定性和能级。3,7-双（苯基乙炔基）二苯并[b，d]噻吩（BEDBT）单晶显示不饱和键的引入消除了相邻芳环之间的空间排斥，BEDBT在晶体中显示出平面结构。这些化合物的薄膜晶体管表现出典型的p型行为。在OTS改性的，迁移率高达0.15 cm 2的基材上，由3,7-二苯乙烯基二苯并[b，d]噻吩（DSDBT）获得了最佳性能/ Vs和开/关电流比高达10 8，这是基于DBT的低聚物的最高性能之一。