具有二苯并噻吩基(BS-LPSQ)侧链的梯形聚倍半硅氧烷已成功合成。BS-LPSQ的梯形结构通过MALDI-TOF MS,XRD和1 H NMR光谱进行了表征。差示扫描量热法(DSC),热重分析(TGA),原子力显微镜(AFM)和光谱分析表明BS‐LPSQ具有良好的成膜能力,高的热和形态稳定性以及与掺杂铱二的良好混溶性(4,6-二氟苯基)吡啶基-N,C 2吡啶甲酸(FIrpic),三重态能量高,带隙宽。此外,与先前报道的环状聚硅氧烷BS-PSQ磷光主体材料相比,BS-LPSQ的梯形结构不仅具有更高的耐热性,而且还可以防止分子聚集并有效避免荧光猝灭。因此,BS-LPSQ可以用作发蓝光铱配合物FIrpic的更好主机。基于梯形BS‐LPSQ作为有源层的电致磷光器件的性能优于环状BS‐PSQ和任何其他多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)或聚合物基质材料。
具有二苯并噻吩基(BS-LPSQ)侧链的梯形聚倍半硅氧烷已成功合成。BS-LPSQ的梯形结构通过MALDI-TOF MS,XRD和1 H NMR光谱进行了表征。差示扫描量热法(DSC),热重分析(TGA),原子力显微镜(AFM)和光谱分析表明BS‐LPSQ具有良好的成膜能力,高的热和形态稳定性以及与掺杂铱二的良好混溶性(4,6-二氟苯基)吡啶基-N,C 2吡啶甲酸(FIrpic),三重态能量高,带隙宽。此外,与先前报道的环状聚硅氧烷BS-PSQ磷光主体材料相比,BS-LPSQ的梯形结构不仅具有更高的耐热性,而且还可以防止分子聚集并有效避免荧光猝灭。因此,BS-LPSQ可以用作发蓝光铱配合物FIrpic的更好主机。基于梯形BS‐LPSQ作为有源层的电致磷光器件的性能优于环状BS‐PSQ和任何其他多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)或聚合物基质材料。