N-异丙基-2-(2-氨基丙基)-5-碘噻吩 | 138260-00-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 中文名称: N-异丙基-2-(2-氨基丙基)-5-碘噻吩
• 英文名称: tertiarybutyldimethylantimony
• 英文别名: tert-Butyl(dimethyl)stibane
• CAS: 138260-00-1
• 化学式: C₆H₁₅Sb
• 分子量: 208.935
• InChiKey: QQRKOFXRIWEHIV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.54
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N-异丙基-2-(2-氨基丙基)-5-碘噻吩 、 三甲基铟 以 gas 为溶剂， 生成 indium(III) antimonide
  参考文献：
  名称：

  叔丁基二甲基锑：一种用于 InSb 低温有机金属气相外延生长的新 Sb 源

  摘要：

  III-V 族半导体，如 InAsSb、InSbBi 和 InAsSbBi，是远红外应用的有用材料。它们的生长通常需要低温。标准锑源三甲基锑 (TMSb) 在低温下分解非常缓慢。在这项工作中，研究了一种新的 Sb 源，叔丁基二甲基锑 (TBDMSb)，用于 InSb 的 OMVPE 生长。对于 450 至 325 °C 的生长温度，获得了良好的表面形态 InSb 层。当TBDMSb替代TMSb时，生长温度可降低100°C以上。使用三甲基铟 (TMIn) 和 TBDMSb 的 InSb 生长效率约为 1×104 μm/mol。生长效率的高值表明TMIn和TBDMSb之间存在可忽略的寄生反应。

  DOI：

  10.1063/1.108487
• 作为产物：
  描述：

  甲基溴化镁 、 叔丁基氯化镁 、 三氯化锑 以 乙醚 为溶剂， 以64.4%的产率得到N-异丙基-2-(2-氨基丙基)-5-碘噻吩
  参考文献：
  名称：

  Convenient one-pot synthesis of tert-butyldimethylantimony

  摘要：

  tert-Butyldimethylantimony, (t-Bu)Me2Sb, was prepared by a one-pot reaction of SbCl3 with 1 equiv of (t-Bu)MgCl at -50-degrees-C followed by 2 equiv of MeMgBr at 0-degrees-C in diethyl ether. (t-Bu)Me2Sb was isolated in 64 % yield (based on SbCl3) after fractional vacuum distillation (63-degrees-C at 30 Torr) and can be used as a precursor in the chemical vapor deposition of antimony-containing semiconductor materials.

  DOI：

  10.1021/om00038a072

文献信息

• Tertiarybutyldimethylantimony: A new Sb source for low‐temperature organometallic vapor phase epitaxial growth of InSb
  作者：C. H. Chen、G. B. Stringfellow、D. C. Gordon、D. W. Brown、B. A. Vaartstra

  DOI：10.1063/1.108487

  日期：1992.7.13

  applications. Their growth usually requires low temperatures. The standard Sb source, trimethylantimony (TMSb), decomposes very slowly at low temperatures. In this work, a new Sb source, tertiarybutyldimethylantimony (TBDMSb), is investigated for OMVPE growth of InSb. Good surface morphology InSb layers were obtained for growth temperatures from 450 to as low as 325 °C. The growth temperature can be lowered

  III-V 族半导体，如 InAsSb、InSbBi 和 InAsSbBi，是远红外应用的有用材料。它们的生长通常需要低温。标准锑源三甲基锑 (TMSb) 在低温下分解非常缓慢。在这项工作中，研究了一种新的 Sb 源，叔丁基二甲基锑 (TBDMSb)，用于 InSb 的 OMVPE 生长。对于 450 至 325 °C 的生长温度，获得了良好的表面形态 InSb 层。当TBDMSb替代TMSb时，生长温度可降低100°C以上。使用三甲基铟 (TMIn) 和 TBDMSb 的 InSb 生长效率约为 1×104 μm/mol。生长效率的高值表明TMIn和TBDMSb之间存在可忽略的寄生反应。
• Convenient one-pot synthesis of tert-butyldimethylantimony
  作者：Robert W. Gedridge

  DOI：10.1021/om00038a072

  日期：1992.2

  tert-Butyldimethylantimony, (t-Bu)Me2Sb, was prepared by a one-pot reaction of SbCl3 with 1 equiv of (t-Bu)MgCl at -50-degrees-C followed by 2 equiv of MeMgBr at 0-degrees-C in diethyl ether. (t-Bu)Me2Sb was isolated in 64 % yield (based on SbCl3) after fractional vacuum distillation (63-degrees-C at 30 Torr) and can be used as a precursor in the chemical vapor deposition of antimony-containing semiconductor materials.