摘要:
                                1,1,1,7-四甲氧基-3,3,5,5,7,7-六甲基-1,3,5,7-四硅氧烷{TMOS-D3}和1,1,1,7-四甲氧基-3 ,5,7-三甲基-3,5,7-三乙烯基-1,3,5,7-四硅氧烷{TMOS-V3}分别通过六甲基环三硅氧烷(D3)或2,4,6-三甲基的阳离子调聚制备-2,4,6-三乙烯基环三硅氧烷 (V3) 与四甲氧基硅烷 (TMOS)。这些化合物被用作硅氧烷-二氧化硅材料的前体。它们的结构导致产生短的三硅氧烷链段,这些链段很好地分散在形成的杂化框架中。这些前体或其与 TMOS 的混合物在分散体中或在 NaOH 催化下进行本体溶胶-凝胶缩聚。硅氧烷-二氧化硅杂化材料要么以各种规则或不规则形状的沉淀颗粒(1-80μm)的形式获得,要么以干燥时分解的整体材料的形式获得。在溶胶凝胶分散过程中,该过程在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵的存在下进行,几乎所有甲基都转化为桥接两个硅原子的氧,而在本体过程中,一小部分未反应的烷氧基和羟基保留在凝胶。由纯{TMOS-D3}和{TMOS-V3}获得的材料表现出非常低的孔隙率和表面积。相反,具有高表面积的颗粒可以从这些新前体和TMOS的混合物中获得。用HMe2SiCl对由{TMOS-V3}及其与TMOS的混合物制备的凝胶进行氢化硅烷化,并且将硅烷化颗粒用于活性聚硅氧烷聚合物的接枝。