(di-tert-butylarsino)lithium | 19966-87-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: (di-tert-butylarsino)lithium
• 英文别名: Lithium-di-tert-butylarsid；lithium di-t-butylarsenide；Li(As-t-Bu2)；LiAs(t-Bu)2；ditert-butylarsanyllithium
• CAS: 19966-87-1
• 化学式: C₈H₁₈AsLi
• 分子量: 196.094
• InChiKey: SUXFCCUESBPCSP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.75
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (di-tert-butylarsino)lithium 在 THF 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 tris(di-t-butylarsenido)praseodymium * 2 tetrahydrofurane
  参考文献：
  名称：

  Schumann, Herbert; Frisch, Georg-Michael, Zeitschrift fur Naturforschung, Teil B: Anorganische Chemie, Organische Chemie, 1982, vol. 37, # 2, p. 168 - 171

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  Di-tert-butyl-arsin 、 正丁基锂 生成 (di-tert-butylarsino)lithium
  参考文献：
  名称：

  HIGA, KELVIN T.;GEORGE, CLIFFORD, ORGANOMETALLICS, 9,(1990) N, C. 275-277

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Mono-and di-nuclear phosphido and arsenido complexes of gallium; Ga(EBu^t₂)₃, Ga[PH(2,4,6-Bu^t₃C₆H₂)]₃and [Ga(µ-EBu^t₂)R₂]₂, (E = P, As; R = Me, Buⁿ)
  作者：Atta M. Arif、Brian L. Benac、Alan H. Cowley、Rolf Geerts、Richard A. Jones、Kenneth B. Kidd、John M. Power、Stuart T. Schwab

  DOI：10.1039/c39860001543

  日期：——

  The reaction of GaCl3 with three equivalents of But2AsLi, But2AsLi, or ArP(H)Li (Ar = 2,4,6-But3C6H2) affords Ga(PBut2)3, Ga(AsBut2)3, and Ga[P(H)Ar]3, respectively, whilst the reaction of GaCl3 with one equivalent of But2ELi and two equivalents of RLi results in dimeric phosphido- or arsenido-bridged compounds of the type [Ga(µ-EBut2)R2]2(E = P, As; R = Me, Bun).

  GaCl3与三当量的But2AsLi、But2AsLi或ArP(H)Li（Ar = 2,4,6-But3C6H2）反应，分别生成Ga(PBut2)3、Ga(AsBut2)3和Ga[P(H)Ar]3、GaCl3与一当量的But2ELi和两当量的RLi反应则会生成[Ga(µ-EBut2)R2]2（E = P, As；R = Me, Bun）。
• Gallium and Indium Arsanido Metalates: Compounds Derived from the Zinc Blende and Wurtzite Structure
  作者：Anahita Dashti-Mommertz、Bernhard Neumüller

  DOI：10.1002/(sici)1521-3749(199906)625:6<954::aid-zaac954>3.0.co;2-b

  日期：1999.6

  Reaktion von InCl3 mit LiAstBu2 in THF bei –78 °C ergibt das Indiumarsanid Cl2InAstBu2 (1), das als Dimer in Losung und im Festkorper vorliegt. Die entsprechende Umsetzung von InCl3 mit Li2AstBu fuhrt zum Metallat [Li(THF)4]2[(InCl)4(InCl2)2(AstBu)6] (2). Das Arsanidometallat [Li(THF)4]2[(GaCl2)6(AstBu)4] · THF (3 · THF) kann bei der Behandlung von GaCl3 mit Li2AstBu im molaren Verhaltnis 6 : 4 erhalten

  InCl3 与 LiAstBu2 在 THF 中在 –78 °C 下反应生成砷化铟 Cl2InAstBu2 (1)，它是溶液和固态的二聚体。InCl3 与 Li2AstBu 的相应反应生成金属化物 [Li(THF)4]2[(InCl)4(InCl2)2(AstBu)6] (2)。砷化氢金属化物 [Li(THF)4]2[(GaCl2)6(AstBu)4]·THF (3·THF) 可以通过用摩尔比为 6:4 的 Li2AstBu 处理 GaCl3 获得。 与 TlCl3 的类似反应由于 TlCl3 的氧化电位，LiAsR2 或 LiPR2 分别不成功。例如，TlCl3 和 LiPPh2 的反应混合物得到 TlCl 和 Ph2P–PPh2 (4) 作为氧化还原产物。八砷烷 [As(AstBu)3]2 (5) 可以通过在 THF 中用 TlCl3 处理 tBuAs(SiMe3)2 来获得。1-5 的特点是核磁共振，红外和质谱技术。2
• Synthesis and structure of [(a-μ-AstBu2]2. The first example of a gallacyclopentane
  作者：Alan H. Cowley、Siegfried Corbelin、Richard A. Jones、Richard J. Lagow、John W. Nail

  DOI：10.1016/0022-328x(94)87019-5

  日期：1994.1

  The first gallacyclopentane, [(a-μ-AstBu2]2 (4) has been synthesized in 61% yield by treatment of Li(CH2)4Li with Cl2GaAstBu, in Et2O solution. The structure of 4 has been established by X-ray crystallography: monoclinic, space group I 2/m (No. 12) with a = 8.624(6), b = 11.389(12), c = 14.921(13) Å, β = 95.330(10)°, and Z = 4 (monomeric units).

  第一gallacyclopentane，[（A-μ-作为吨卜2 ] 2（4）以61％的产率合成了由治疗李（CH的2）4李有Cl 2的GaAs吨卜，在Et 2 O解决方案。该X射线晶体学确定了4的结构：单斜晶系，空间群I 2 / m（第12号），a = 8.624（6），b = 11.389（12），c = 14.921（13）Å，β= 95.330（10）°，Z = 4（单体单元）。
• Synthesis and characterization of compounds with a group 12-arsenic bond. The crystal structure of [tBuZnAs(tBu)2]2
  作者：Thomas J. Groshens、Kelvin T. Higa、Raymond J. Butcher

  DOI：10.1016/0022-328x(93)83404-j

  日期：1993.12

  The series of compounds [RMAs(tBu)2]n (R  Me, tBu; M  Zn, Cd, Hg), with an arsenic-Group 12 bond was investigated.

  研究了一系列具有砷第12族键的化合物[RMAs（t Bu）2 ] n（RMe，t Bu;MZn，Cd，Hg）。
• Method of preparing monomeric organometallic compounds
  申请人：The United States of America as represented by the Secretary of the Navy

  公开号：US05089643A1

  公开（公告）日：1992-02-18

  Preparation of the novel monomeric compounds of the formula (t-Bu).sub.2 t-Bu).sub.2, where M is Ga, Al, or In and E is As, P, Sb, or N, by reaction of (t-Bu).sub.2 MCl and LiE(t-Bu).sub.2. The resulting product (t-Bu).sub.2 ME(t-Bu).sub.2 can be pyrolyzed to form crystalline films of the metallic material, ME.

  通过(t-Bu).sub.2 MCl和LiE(t-Bu).sub.2的反应制备式为(t-Bu).sub.2 t-Bu).sub.2的新型单体化合物，其中M为Ga，Al或In，E为As，P，Sb或N。得到的产物(t-Bu).sub.2 ME(t-Bu).sub.2可通过热解形成金属材料ME的晶体薄膜。