带隙低于1.0 eV的供体-受体(D-A)共轭聚合物可以表现出独特的近红外(NIR)活性和多种功能应用。但是,由于缺乏有效的合成策略和强大的受体构建基,开发这类材料仍然是一个巨大的挑战。本文中,我们报道了两种新型
茚满酮缩合的
噻二唑[3,4- g]的设计,合成和应用。]
喹喔啉(TQ)受体单元,由于向TQ核中引入了辅助电子缺陷的羰基或
氰基,因此具有较高的电子亲和力和最低的最低未占据分子轨道(LUMO)
水平。此外,通过新开发的TQ受体单元与2,5-双(3-(2-(2-癸基
十四烷基)
噻吩-2-基)
噻吩[3,2- b
噻吩供体单位。仔细讨论了取代基(羰基和
氰基)对几何结构,光学性质,电子结构[最高占据分子轨道(HOMO)/ LUMO的能级和带隙],膜的组织以及聚合物的电荷传输的影响。所得聚合物表现出非常宽广的NIR吸收,延伸至1880 nm左右,深层的LUMO能级(<-3.90 eV),光学带隙低(〜0