hafnium tetra(n-butoxide) | 876504-21-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: hafnium tetra(n-butoxide)
• 英文别名: hafnium tetra-n-butoxide；hafnium(IV) 1-butoxide；hafnium(IV) n-butoxide；hafnium n-butoxide；hafnium butoxide；Hf(O(n-Bu))4；butan-1-olate;hafnium(4+)
• CAS: 876504-21-1
• 化学式: C₁₆H₃₆HfO₄
• 分子量: 470.949
• InChiKey: LTBRWBUKPWVGFA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.58
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  92.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  hafnium tetra(n-butoxide) 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 hafnium(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  超薄 HfO[sub 2]、SiO[sub 2] 和 Si[sub 3]N[sub 4] 的表面电荷分析

  摘要：

  表面电荷分析 (SCA) 用于表征非常薄的化学气相沉积 (CVD) HfO 2 、热 SiO 2 和 Si 上的热 Si 3 N 4 膜的界面特性。平带电荷Q FB 的厚度依赖性表明负电荷存在于HfO 2 /Si 界面，而正电荷存在于HfO 2 膜的主体中。发现沉积态 HfO 2 的界面态密度 D IT 几乎与干净、裸露的 Si 表面相同，并且在暴露于洁净室环境时会降低。在将晶片装入低压 CVD 炉的过程中，退化更为严重，D IT 增加了四倍。发现在合成气体中退火可有效降低 D IT 。对于 SiO 2 和 Si 3 N 4 薄膜，发现在 N 2 中进行高温退火可有效降低 Q FB 和 D IT 。在SiO 2 中观察到空穴陷阱和正Q FB ，而在Si 3 N 4 中观察到电子陷阱和负Q FB 。

  DOI：

  10.1149/1.1636740
• 作为试剂：
  描述：

  2-(((4-((2,2-dimethyl-1,3-dioxan-5-yl)methoxy)-3,5-dimethylpyridin-2-yl)methyl)thio)-1H-benzimidazole 、 、 N,N-二异丙基乙胺 、 、 碳酸氢钠 、 disodium;dioxido-oxo-sulfanylidene-λ6-sulfane 在 hafnium tetra(n-butoxide) 氮 、 乙酸乙酯 、 Sodium sulfate-III 、 silica gel 、 甲醇乙酸乙酯 、 title compound 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 23.17h， 以to obtain the title compound (206 mg, yield: 40%) as a colorless foam的产率得到2-(((4-((2,2-dimethyl-1,3-dioxan-5-yl)methoxy)-3,5-dimethylpyridin-2-yl)methyl)sulfinyl)-1H-benzimidazole
  参考文献：
  名称：

  Benzimidazole compound

  摘要：

  本发明的目的是提供一种新型化合物，作为治疗或预防酸相关疾病的药物，具有出色的抑制胃酸分泌的效果，保持抑制胃酸分泌的效果，从而使胃内pH值长时间保持高水平，并具有更高的安全性和适当的物理化学稳定性。所提供的化合物的结构如下：其中，R1和R3可以相同也可以不同，分别表示氢原子或C1-C6烷基；R2表示(5,5-二甲基-1,3-二氧杂环戊烷-2-基)甲氧基基团、5,7-二氧杂螺[2.5]辛-6-基甲氧基基团、1,5,9-三氧杂螺[5.5]十一烷-3-基甲氧基基团或(2,2-二甲基-1,3-二氧杂环戊烷-5-基)甲氧基基团；R4、R5、R6和R7分别表示氢原子、卤素原子、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C1-C6卤代烷氧基；W1表示单键、亚甲基或乙烯基、其盐或这些的溶剂化物。

  公开号：

  US20070015782A1

文献信息

• Can the Clusters Zr ₆ O ₄ (OH) ₄ (OOCR) ₁₂ and [Zr ₆ O ₄ (OH) ₄ (OOCR) ₁₂ ] ₂ Be Converted into Each Other?
  作者：Michael Puchberger、Franz René Kogler、Myhedin Jupa、Silvia Gross、Helmut Fric、Guido Kickelbick、Ulrich Schubert

  DOI：10.1002/ejic.200600348

  日期：2006.8

  comparison. The Zr12 clusters are structurally related to the Zr6 clusters since they are composed of two Zr6 sub-units which are bridged by four carboxylate ligands. In each compound, carboxylic acid molecules interact with the cluster by hydrogen bonding to part of the μ3-OH ligands. The clusters are highly dynamic in solution, due to site exchange of the carboxylate ligands; low-temperature NMR spectra of

  在锆醇盐 Zr(OR)4 与羧酸反应后，得到簇 Zr6O4(OH)4(OOCR)12 (Zr6) 或 [Zr6O4(OH)4(OOCR)12]2 (Zr12)，具体取决于关于所用的羧酸。通过单晶X射线衍射确定了具有乙酸盐、丙酸盐、乙酸乙烯酯或3,3'-二甲基丙烯酸酯配体的Zr12簇的结构，以及甲基丙烯酸酯/乙酸酯和甲基丙烯酸酯/丙酸酯混合配体簇的结构。还报告了铪簇 [Hf6O4(OH)4(乙酸盐)12]2 的结构以进行比较。Zr12 簇在结构上与 Zr6 簇相关，因为它们由两个 Zr6 亚基组成，这些亚基由四个羧酸盐配体桥接。在每种化合物中，羧酸分子通过与部分 μ3-OH 配体的氢键与簇相互作用。由于羧酸盐配体的位点交换，这些簇在溶液中是高度动态的；簇的低温核磁共振谱对应于固态结构。Zr6 和 Zr12 簇可以通过它们的溶液核磁共振谱清楚地区分。选定的 Zr12 簇与羧酸之间的反应得出的结
• NEGATIVE RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN AND COMPLEX
  申请人：TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

  公开号：US20160259244A1

  公开（公告）日：2016-09-08

  A negative resist composition including a complex represented by the general formula (1); and a polymerization initiator, in which M represents hafnium (Hf) or zirconium (Zr), X represents a ligand comprising a conjugate base of an acid which has an acid dissociation constant (pKa) of 3.8 or less and has a polymerizable group, Y represents a ligand having no polymerizable group, and n represents an integer of 1 to 4. [MX n Y 4-n ]  (1)

  一种负性光刻胶组合物，包括一个由通式（1）表示的配合物和一个聚合引发剂，其中M代表铪（Hf）或锆（Zr），X代表一种配体，其包括一个酸的共轭碱基，该酸具有酸解离常数（pKa）小于3.8并具有可聚合基团，Y代表一种没有可聚合基团的配体，n代表1至4之间的整数。[MXnY4-n] (1)
• Zirconium and Hafnium Twin Monomers for Mixed Oxides
  作者：Christian Schliebe、Thomas Gemming、Julian Noll、Lutz Mertens、Michael Mehring、Andreas Seifert、Stefan Spange、Heinrich Lang

  DOI：10.1002/cplu.201402338

  日期：2015.3

  copolymerization of 5 and 6 with SBS was obtained by air oxidation. The oxide materials were characterized by X-ray powder diffraction (XRPD) and energy-dispersive X-ray analysis, which proved their identity. The inner surface area was determined by N2 adsorption/desorption studies, which revealed surface areas of 100 m2  g-1 for MO2 . The mixed oxides SiO2 /MO2 were additionally investigated by differential

  [M（2-OCH2 c C4 H3 O）4（x HOCH2 c C4 H3 O）]（3，M = Zr，x = 0; 4，M = Hf，x = 1）和M [（2-OCH2-C6 H4 O）2（2-HOCH2-C6 H4 OH）]（5，M = Zr; 6，M = Hf）通过使M（OR）4（M = Zr，讨论了R ＝ n C3 H7，1； M ＝ Hf，R ＝ n C4 H9，2）与2-呋喃甲醇或2-羟基苄醇。配合物3-6在酸性条件下均聚。此外，将5和6与2,2'-spirobi [4 H-1,3,2-苯并二恶唑啉]（SBS）共聚。在酸性条件下，SBS会形成酚醛树脂/ SiO2纳米结构材料。通过标准固态分析对3-6均聚得到的杂化材料和5和6均聚得到的材料进行了表征。通过空气氧化获得了由5和6与SBS共聚得到的均聚配合物3-6和SiO2 / MO2的MO2材料的无机晶格。通过X射线粉末衍射（XRP
• Intermediate-Temperature, Proton-Conducting Membranes of Hafnium Phosphate and Zirconium Phosphate/Borate/Sulfate
  作者：Yuanzhi Li、Emi Muto、Yoshitaka Aoki、Toyoki Kunitake

  DOI：10.1149/1.3432600

  日期：——

  (lowest) R AS value of less than 0.1 Ω cm 2 for hafnium phosphate membrane (annealing at 500°C, 291 nm thick, conductivity of 3 × 10 ―4 S cm ―1 at 320°C) was comparable to that of a nanofilm of an yttrium-doped zirconium phosphate. The R AS values of nanofilms of zirconium sulfate and zirconium borate were 2-3 orders higher than that of the corresponding zirconium phosphate. It is clear from these results

  通过金属醇盐前体溶液的逐层沉积制备了均匀、无缺陷的磷酸铪纳米膜（约 100 nm 厚），并被证明在 300-400°C 下可提供实用的质子电导率作为燃料电池电解质膜. 沉积的前体膜在 500°C 下的退火产生比 400°C 时更低的面积电阻率 (R AS )，并且这种效果与焦磷酸盐单元的形成一致。磷酸铪膜（500°C退火，291 nm厚，320°C电导率3×10 -4 S cm -1）的最佳（最低）R AS值小于0.1 Ω cm 2掺钇磷酸锆的纳米膜。硫酸锆和硼酸锆纳米膜的 R AS 值比相应的磷酸锆高 2-3 个数量级。
• Hafnium Oxide Doped Mesostructured Silica Films
  作者：Ralf Supplit、Nicola Hüsing、Silvia Gross、Sigrid Bernstorff、Michael Puchberger

  DOI：10.1002/ejic.200700279

  日期：2007.6

  Hafnium oxide doped silica films with ordered mesostructures were produced with hafnium:silicon ratios between 1:60 and 1:6. A surfactant–hafnium alkoxide complex was synthesized and used as a template in a sol–gel dip-coating process. Face-centred orthorhombic, 2D centred rectangular and lamellar films were formed by evaporation-induced self-assembly (EISA). The influence of subsequent heat treatment

  具有有序细观结构的氧化铪掺杂二氧化硅薄膜是用 1:60 和 1:6 之间的铪:硅比率生产的。合成了一种表面活性剂-铪醇盐络合物，并将其用作溶胶-凝胶浸涂工艺中的模板。通过蒸发诱导自组装 (EISA) 形成面心正交、二维中心矩形和层状薄膜。通过GISAXS和TEM研究了后续热处理的影响。XPS 研究了薄膜的表面和深层分子组成。 (© Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 69451 Weinheim, Germany, 2007)