制备了两种具有–C N–(I型)和–NC C–(III型)键的消旋棒状席夫碱介晶。这些液晶元在苯环的内核位置或羟基上具有二
氟取代基,以形成具有酯或/和
亚胺键的分子内氢键。当向其中掺杂适当浓度的手性添加剂时,两个
氟取代基的掺入比Schiff碱介晶中靠近酯键的羟基更有利于蓝相(BP)稳定。B
PI和B
PII可以通过反射光谱和偏振光学显微镜图像进行识别。当使用适当的手性掺杂剂ISO(6OBA)2时,B
PII在冷却时很容易出现或将手性掺杂剂S811掺杂到仅在酯键附近具有羟基的席夫碱液晶元中。有趣的是,在加热过程中将10-15 wt%ISO(6OBA)2掺杂到二
氟取代的席夫碱基液晶元III中时,可以观察到B
PI 。实验和分子建模结果表明,在相同的手性条件下,大多数具有较大偶极矩的二
氟化席夫碱介晶比其相应的非
氟化同系物表现出更宽的BP范围。此外,手性体系中外消旋棒状席夫碱介晶I可以诱导宽BP ,这比外消