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In[N-t-Bu(SiMe3)]3

中文名称
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中文别名
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英文名称
In[N-t-Bu(SiMe3)]3
英文别名
Tert-butyl(trimethylsilyl)azanide;indium(3+)
In[N-t-Bu(SiMe3)]3化学式
CAS
——
化学式
C21H54InN3Si3
mdl
——
分子量
547.756
InChiKey
GRGNOVQZUBEAPC-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    8.6
  • 重原子数:
    28
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    3
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-甲基-2-丁醇In[N-t-Bu(SiMe3)]3乙醚 为溶剂, 以91%的产率得到[In(OCMe2Et)2(μ-OCMe2Et)]2
    参考文献:
    名称:
    醇化铟配合物的一般合成和氧化铟薄膜的化学气相沉积
    摘要:
    开发了均质铟醇盐配合物的一般合成路线,并将其中一种新化合物用作透明导电氧化铟薄膜的前体。酰胺复合物 In[Nt-Bu(SiMe3)]3 与 t-BuOH、EtMe2COH、Et2MeCOH 和 i-PrMe2COH 反应生成二聚体 [In(μ-OR)(OR)2]2 (R = t-Bu, CMe2Et、CMeEt2 和 CMe2i-Pr) 的产量高。In[Nt-Bu(SiMe3)]3 与体积较小的醇 i-PrOH 和 Et2HCOH 的类似反应分别产生不溶性 [In(Oi-Pr)3]n 和四聚体 In[(μ-OCHEt2)2In( OCHEt2)2]3,它有一个六配位的中心铟原子被三个四配位的铟原子包围。化合物 [In(Oi-Pr)3]n 和 In[(μ-OCHEt2)2In(OCHEt2)2]3 也是通过 [In(μ-Ot-Bu)(Ot-Bu)2]2 与过量的相应醇。尝试通过热分解 [In(Oi-Pr)3]n
    DOI:
    10.1021/ja000845a
  • 作为产物:
    描述:
    氯化铟[叔丁基(三甲基硅基)氨基]锂乙醚 为溶剂, 以79%的产率得到In[N-t-Bu(SiMe3)]3
    参考文献:
    名称:
    酰胺化铟化合物的合成。
    摘要:
    三氯化铟与3当量的酰胺锂在乙醚中反应生成In(NRR')(3)(R = Ph或t-Bu,R'= SiMe(3); R = t-Bu,R'= SiHMe( 2))和3或4当量的LiNMe(SiMe(3))产生Li [In {NMe(SiMe(3))}(4)]。氯化物还与LiNPh(2)在THF中反应生成盐Li [In(NPh(2))(3)Cl],并与吡啶中的LiNRR'生成中性加合物In(NRR')(3)(py )(R = R'= Ph; R = Me,R'= SiMe(3))。In [N(t-Bu)(SiHMe(2))](3)和In [NMe(SiMe(3))](3)(py)中的挥发性液体与p-Me(2)Npy反应形成固体化合物In [N(t-Bu)(SiHMe(2))](3)(p-Me(2)Npy)和In [NMe(SiMe(3))](3)(p-Me(2) Npy)。X射线晶体学研究表明
    DOI:
    10.1021/ic971138u
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文献信息

  • General Synthesis of Homoleptic Indium Alkoxide Complexes and the Chemical Vapor Deposition of Indium Oxide Films
    作者:Seigi Suh、David M. Hoffman
    DOI:10.1021/ja000845a
    日期:2000.10.1
    A general synthetic route to homoleptic indium alkoxide complexes was developed, and one of the new compounds was used as a precursor to transparent, conductive indium oxide films. The amide complex In[N-t-Bu(SiMe3)]3 reacted with t-BuOH, EtMe2COH, Et2MeCOH and i-PrMe2COH to yield the dimers [In(μ-OR)(OR)2]2 (R = t-Bu, CMe2Et, CMeEt2, and CMe2i-Pr) in high yield. Similar reactions of In[N-t-Bu(SiMe3)]3
    开发了均质铟醇盐配合物的一般合成路线,并将其中一种新化合物用作透明导电氧化铟薄膜的前体。酰胺复合物 In[Nt-Bu(SiMe3)]3 与 t-BuOH、EtMe2COH、Et2MeCOH 和 i-PrMe2COH 反应生成二聚体 [In(μ-OR)(OR)2]2 (R = t-Bu, CMe2Et、CMeEt2 和 CMe2i-Pr) 的产量高。In[Nt-Bu(SiMe3)]3 与体积较小的醇 i-PrOH 和 Et2HCOH 的类似反应分别产生不溶性 [In(Oi-Pr)3]n 和四聚体 In[(μ-OCHEt2)2In( OCHEt2)2]3,它有一个六配位的中心铟原子被三个四配位的铟原子包围。化合物 [In(Oi-Pr)3]n 和 In[(μ-OCHEt2)2In(OCHEt2)2]3 也是通过 [In(μ-Ot-Bu)(Ot-Bu)2]2 与过量的相应醇。尝试通过热分解 [In(Oi-Pr)3]n
  • Synthesis of Indium Amide Compounds
    作者:Jungsook Kim、Simon G. Bott、David M. Hoffman
    DOI:10.1021/ic971138u
    日期:1998.7.1
    a = 11.003(2) Å, b = 18.678(3) Å, c = 17.618(3) Å, beta = 95.42(1) degrees, and Z = 4. C(41)H(35)N(4)In.C(7)H(8) at -50 degrees C: P&onemacr; (triclinic), a = 10.112(2) Å, b = 12.786(3) Å, c = 15.870(5) Å, alpha = 87.42(2) degrees, beta = 74.95(2) degrees, gamma = 78.15(2) degrees, and Z = 2. C(25)H(58)N(5)Si(3)In at -50 degrees C: P2(1)/c (monoclinic), a = 9.797(3) Å, b = 18.203(6) Å, c = 19.592(5)
    三氯化铟与3当量的酰胺锂在乙醚中反应生成In(NRR')(3)(R = Ph或t-Bu,R'= SiMe(3); R = t-Bu,R'= SiHMe( 2))和3或4当量的LiNMe(SiMe(3))产生Li [In NMe(SiMe(3))}(4)]。氯化物还与LiNPh(2)在THF中反应生成盐Li [In(NPh(2))(3)Cl],并与吡啶中的LiNRR'生成中性加合物In(NRR')(3)(py )(R = R'= Ph; R = Me,R'= SiMe(3))。In [N(t-Bu)(SiHMe(2))](3)和In [NMe(SiMe(3))](3)(py)中的挥发性液体与p-Me(2)Npy反应形成固体化合物In [N(t-Bu)(SiHMe(2))](3)(p-Me(2)Npy)和In [NMe(SiMe(3))](3)(p-Me(2) Npy)。X射线晶体学研究表明
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