Cu~Au 的脱合
金已经通过原位 STM 和几种电
化学方法进行了检查。记录了三种不同的行为方式。在低过电位下,
金原子聚集在
铜溶解位置附近。这本质上是一个二维过程。通过实时监测的毛细作用形成和平滑这些簇,证明了表面物种的高度流动性。在较高电位下,电极在很大程度上被
金的富集钝化。然而,存在三维粗糙度的小局部区域,这可能与体固态缺陷催化的扩展脱合
金有关。当电位增加到临界电位 (Ec) 以上时,会发生整体表面粗糙化。将 STM 与计时电流和计时电位结果相关联表明,这种转变是通过成核和生长发生的。
铜的选择性溶解取决于通过钝化
金原子迁移而暴露的新鲜位点。正如 Ec 的变化所表明的那样,吸附可以强烈影响这种运输过程。与
硫酸盐介质相比,
氯化物导致 Eo 降低,而用烷基
硫醇衍生化 CuaAu 导致 Ec 增加。这些变化与相应吸附物对
金表面扩散的增强和抑制是一致的。正如 Ec 的变化所体现的那样。与
硫酸盐介质相比,
氯化物导致