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Di(tert-butylamino)dichlorosilan | 18881-65-7

中文名称
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中文别名
——
英文名称
Di(tert-butylamino)dichlorosilan
英文别名
(NHt-bu)2SiCl2;bis-tert-butylamino-dichloro-silane;Bis-tert-butylamino-dichlor-silan;Di(t-butylamino)dichlorosilane;N-[(tert-butylamino)-dichlorosilyl]-2-methylpropan-2-amine
Di(tert-butylamino)dichlorosilan化学式
CAS
18881-65-7
化学式
C8H20Cl2N2Si
mdl
——
分子量
243.252
InChiKey
YAVHVGQYEXLRDQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    -9--6 °C
  • 沸点:
    98-101 °C(Press: 14 Torr)
  • 密度:
    1.0358 g/cm3

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.68
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    24.1
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    2

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Di(tert-butylamino)dichlorosilan正丁基锂 作用下, 以 正己烷 为溶剂, 反应 5.0h, 生成 Di(N-lithio-tert-butylamino)bis(dimethylamino)silane
    参考文献:
    名称:
    Dimeres Di(N-lithium–tert–butylamino)bis(dimethylamino)silan - [Si(N(CH3)2)2(NLiC(CH3)3)2]2 – Darstellung und Kristallstruktur / Dimeric Di(N -lithio-tert-butylamino)bis(dimethylamino)silane - [Si(N(CH3)2)2(NLiC(CH3)3)2]2 – Synthesis und Crystal Structure
    摘要:
    摘要:[Si(N(CH3)2)2(NLiC(CH3)3)2]2 是由四氯化硅与过量的叔丁胺反应产生的产物,随后通过卤素替换与LiN(CH3)2反应,并在己烷中用正丁基锂处理。在固态中发现的标题化合物是二聚体,通过单晶X射线衍射(三斜晶系,P1,a = 10.208(2),b = 12.140(2),c = 15.658(3) Å,α = 79.02(3),β = 82.80(3),γ = 67.19(3)°,Z = 2,C24H60Li4N8Si2),以及固态和溶液核磁共振光谱和质谱进行了表征。
    DOI:
    10.1515/znb-2001-0115
  • 作为产物:
    描述:
    叔丁胺四氯化硅 作用下, 以 正戊烷 为溶剂, 反应 18.0h, 以88%的产率得到Di(tert-butylamino)dichlorosilan
    参考文献:
    名称:
    Aminolysis of the Si–Cl bond and ligand exchange reaction between silicon amido derivatives and SiCl4: synthetic applications and kinetic investigationsElectronic supplementary information (ESI) available: details of the aminolysis and the ligand exchange reaction. See http://www.rsc.org/suppdata/dt/b2/b210282j/
    摘要:
    SiCln(NR2)4-n (n = 1, 2, 3, 4) 中 Si–Cl 键的氨解反应已被用于合成二元氨基、氯氨基或混合氨基衍生物,这取决于硅衍生物和胺的性质。反应动力学在一些代表性案例中进行了研究,即 SiCl4 + NHiPr2、SiCl(NMe2)3 + NH2iPr、SiCl2(NEt2)2 + NH2iPr,结果表明速率法则对硅化合物是一阶反应,并且不依赖于胺的浓度。此外,已确定 SiCl2(NEt2)2 与 NH2iPr 的反应的活化参数。SiCl4 和 SiCln(NR2)4-n 之间的配体交换反应生成多种氯氨基衍生物,其组成严格由反应物的摩尔比决定。对于 n = 3(R = Me)和 n = 2(R = Et),研究了 SiCl4 与 SiCln(NR2)4-n 之间的反应动力学。此外,在后者的情况下已确定平衡和活化参数。
    DOI:
    10.1039/b210282j
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文献信息

  • Preparation, spectroscopic characterization, and deprotonation reactions of Si(NHR)<sub>4</sub> (R = <i>i</i>-Pr, <i>t</i>-Bu, <i>p</i>-tolyl) — EPR identification of persistent radicals formed by oxidation of polyimidosilicates
    作者:Andrea F Armstrong、Tristram Chivers、Jari Konu
    DOI:10.1139/v05-264
    日期:2006.1.1

    Treatment of Cl2Si(NH-t-Bu)2 (6a) with t-BuNH2 in boiling toluene yields trisamino(chloro)silane ClSi(NH-t-Bu)3 (7); formation of the tetraaminosilane Si(NH-t-Bu)4 is not observed. The reaction of SiCl4 with 4 equiv. of LiNHR produces the corresponding tetraaminosilanes Si(NHR)4 (2a, R = i-Pr; 2b, R = t-Bu; 2c, R = p-tol) in good yields. When the sterically demanding adamantyl derivative LiHNAd is employed, only disubstitution occurs to form Cl2Si(NHAd)2 (6b). Oxidation of the dimeric imidosilicates Li3[Si(NR)3(NHR)]·THF}2 (3a, R = i-Pr; 3b, R = t-Bu) with 1 mol of iodine produces the persistent radicals Li2[Si(NR)3(NHR)]·LiI·3THF}·, which, on the basis of EPR spectra, exist as SiN3Li3I cubes in solution. The spirocyclic tetraimidosilicate monoanion radical [(THF)2Li(µ-Nnaph)2Si(µ-Nnaph)2Li(THF)2]}–· (10) is formed upon oxidation of the tetralithiated species Li4[Si(Nnaph)4]·4Et2O} (1) and [Li(12-crown-4)]2[(Et2O)2Li(µ-Nnaph)2Si(µ-Nnaph)2Li(Et2O)2]} (8) with iodine. The spectroscopic characterization of hexa(amino)disiloxane (t-BuNH)3SiOSi(NH-t-Bu)3 (14) formed from the reaction of Cl3SiOSiCl3 with 6 equiv. of LiNH-t-Bu is discussed. Key words: imido ligands, silicate, radicals, EPR spectra, lithium.

    在沸腾的甲苯中用t-BuNH2处理Cl2Si(NH-t-Bu)2(6a)可生成三基(硅烷ClSi(NH-t-Bu)3(7);未观察到四硅烷Si(NH-t-Bu)4的形成。SiCl4与4当量的LiNHR反应产生相应的四硅烷Si(NHR)4(2a,R = i-Pr;2b,R = t-Bu;2c,R = p-tol)收率较高。当使用立体位阻的莽丁基衍生物LiHNAd时,只发生二取代反应形成Cl2Si(NHAd)2(6b)。氧化双聚合物硝基硅酸Li3[Si(NR)3(NHR)]·THF}2(3a,R = i-Pr;3b,R = t-Bu)与1摩尔反应产生持久自由基Li2[Si(NR)3(NHR)]·LiI·3THF}·,根据EPR谱,这些自由基在溶液中存在SiN3Li3I立方体形式。在氧化四物种Li4[Si(Nnaph)4]·4Et2O}(1)和[Li(12-crown-4)]2[(Et2O)2Li(µ-Nnaph)2Si(µ-Nnaph)2Li(Et2O)2]}(8)与反应后形成螺环四硝基硅酸盐单负离子自由基[(THF)2Li(µ-Nnaph)2Si(µ-Nnaph)2Li(THF)2]}–·(10)。讨论了由Cl3SiOSiCl3与6当量LiNH-t-Bu反应形成的六(基)二硅氧烷(t-BuNH)3SiOSi(NH-t-Bu)3(14)的光谱表征。关键词:硝基配体硅酸盐,自由基,EPR谱,
  • ハロゲン化アミノシラン化合物、薄膜形成用組成物およびシリコン含有薄膜
    申请人:大陽日酸株式会社
    公开号:JP2020186193A
    公开(公告)日:2020-11-19
    【課題】化学気相成長法を用いたシリコン含有薄膜の形成に適用可能な、新規な原料化合物を提供する。【解決手段】下式1または下式2で表されるハロゲン化アミノシラン化合物。[化1][化2]【選択図】なし
    提供适用于利用化学气相沉积法形成含薄膜的新型原料化合物。解决方案是以下式1或以下式2所示的卤代硅烷化合物。【化1】【化2】。【选择图】无。
  • シリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物、及びシリコン含有薄膜の形成方法
    申请人:大陽日酸株式会社
    公开号:JP2020188100A
    公开(公告)日:2020-11-19
    【課題】化学気相成長法を用い、500℃未満の成膜温度で良質なシリコン含有薄膜を形成可能であり、副生成物の生成量が少ないシリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物を提供する。【解決手段】化学気相成長法によってシリコン含有薄膜を形成する際、特定の構造を有するクロロアミノシラン化合物をシリコン含有化合物として用いる。【選択図】なし
    题目:提供一种用于形成高质量含有薄膜的含有化合物,使用化学气相沉积法,成膜温度低于500℃,副产物生成量少。 解决方法:在使用化学气相沉积法形成含有薄膜时,使用具有特定结构的硅烷化合物作为含量化合物。 选择图:无。
  • Breederveld, H.; Waterman, H. I., 1953, vol. 6, p. 43 - 43
    作者:Breederveld, H.、Waterman, H. I.
    DOI:——
    日期:——
  • Breederveld; Waterman, Research (London), 1953, vol. 6, p. Spl.50
    作者:Breederveld、Waterman
    DOI:——
    日期:——
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