silylcyanide | 1111-70-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: silylcyanide
• 英文别名: cyanosilane；Cyan-silan；Silancarbonitril；Silylcyanid；Silyl cyanide；silylformonitrile
• CAS: 1111-70-2
• 化学式: CH₃NSi
• 分子量: 57.127
• InChiKey: LCHWKMAWSZDQRD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.17
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  23.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

安全信息

• 海关编码：
  2931900090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silylcyanide 、 diborane(6) 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Interaction of Diborane with Silyl Cyanides¹

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01526a013
• 作为产物：
  描述：

  氰化汞 在 碘硅烷 作用下， 生成 silylcyanide
  参考文献：
  名称：

  甲硅烷的拟卤素衍生物

  摘要：

  甲硅烷基异-氰化物，的SiH 3 NC，和甲硅烷基异硫氰酸，的SiH 3 NCS，已经制备和表征通过一些它们的物理性质的测量。还研究了这些化合物的某些化学性质。制备异氰酸甲硅烷基酯SiH 3 NCO的尝试未成功。几个甲硅烷基的根本红外吸收带的异-氰化物和异硫氰酸已经测量。

  DOI：

  10.1016/0022-1902(56)80003-1

文献信息

• Reaction of Silicon Atoms with Hydrogen Cyanide: Generation and Matrix-Spectroscopic Identification of CHNSi and CNSi Isomers
  作者：Günther Maier、Hans Peter Reisenauer、Heiko Egenolf、Jörg Glatthaar

  DOI：10.1002/(sici)1099-0690(199807)1998:7<1307::aid-ejoc1307>3.0.co;2-z

  日期：1998.7

  Cocondensation of thermally generated silicon atoms with hydrogen cyanide in an argon matrix can be used as an access to compounds of the composition CHNSi and CNSi. Isolation, matrix-spectroscopic identification and photo-chemical behavior of these species are described. Structural assignments are made by the comparison of experimental with calculated IR spectra.

  在氩基质中热生成的硅原子与氰化氢的共缩合可用作获得成分为 CHNSi 和 CNSi 的化合物的途径。描述了这些物种的分离、基质光谱鉴定和光化学行为。结构分配是通过将实验与计算的红外光谱进行比较来进行的。
• Some reactions of disilyl sulphide
  作者：C. Glidewell

  DOI：10.1016/0022-1902(69)80240-x

  日期：1969.5

  The reactions of disilyl sulohide with some protonic acids, covalent halides and salts are described. A convenient preparation of disilyl sulphide from silyl bromide is described and the existence of silyl mercaptan is confirmed.

  描述了二甲硅烷基硫化物与一些质子酸，共价卤化物和盐的反应。描述了一种从甲硅烷基溴方便地制备二甲硅烷基硫的方法，并证实了甲硅烷基硫醇的存在。
• Low-temperature growth of SiCAlN films of high hardness on Si(111) substrates
  作者：Radek Roucka、John Tolle、David J. Smith、Peter Crozier、I. S. T. Tsong、John Kouvetakis

  DOI：10.1063/1.1413723

  日期：2001.10.29

  Thin films of metastable SiCAlN solid solution were deposited on Si(111) substrates at 550–750 °C, considerably below the miscibility gap of SiC and AlN phases at 1900 °C. Our low-temperature growth was based upon thermally activated reactions between a unimolecular precursor H3SiCN and Al atoms from an evaporative cell in a molecular-beam-epitaxy chamber. Characterization of deposited films by spectroscopic

  亚稳态 SiCAlN 固溶体薄膜在 550-750 °C 下沉积在 Si(111) 衬底上，大大低于 1900 °C 时 SiC 和 AlN 相的混溶间隙。我们的低温生长基于单分子前体 H3SiCN 与分子束外延室中蒸发池中的铝原子之间的热活化反应。通过光谱和显微技术表征沉积膜在整个柱状纤锌矿结构中产生接近化学计量的成分，其晶格参数非常接近 2H-SiC 和六方 AlN 的晶格参数。SiCAlN 薄膜的平均硬度为 25 GPa，与蓝宝石的硬度相当。
• Growth of SiCAlN on Si(111) via a crystalline oxide interface
  作者：John Tolle、R. Roucka、P. A. Crozier、A. V. G Chizmeshya、I. S. T. Tsong、J. Kouvetakis

  DOI：10.1063/1.1507358

  日期：2002.9.16

  precursor, forming coherent interfaces with the Si substrate and the film. High-resolution transmission electron microscopy and electron energy-loss spectroscopy show that the amorphous SiO2 films are entirely transformed into a crystalline Si–Al–O–N framework in registry with the Si(111) surface. This crystalline interface acts as a template for nucleation and growth of epitaxial SiCAlN. Integration of wide-band-gap

  尽管两种材料之间存在结构差异和较大的晶格失配 (19%)，但具有 2H-纤锌矿结构的单相 SiCAlN 外延膜的生长直接在 Si(111) 上进行。通过将 Si(111) 上的原生和热生长的 SiO2 层与 Al 原子和 H3SiCN 前驱体进行原位反应，将 Si(111) 上的原生和热生长的 SiO2 层转化为结晶氧化物，从而促进了相称的异质外延，从而与 Si 衬底和薄膜形成了相干界面。高分辨率透射电子显微镜和电子能量损失光谱表明，非晶 SiO2 薄膜完全转化为与 Si(111) 表面配准的结晶 Si-Al-O-N 骨架。该晶体界面充当外延 SiCAlN 成核和生长的模板。
• Formation of iridium fluoroacyl complexes by reaction of iridium carbonyls with XeF2 and reactions of these to generate unusual acyl complexes
  作者：E. A. V. Ebsworth、Neil Robertson、Lesley J. Yellowlees

  DOI：10.1039/dt9930001031

  日期：——

  Fluoroacyl complexes of iridium have been prepared by reaction of XeF2 with iridium carbonyl complexes [Ir(CO)3L2]+(L = PMe3, PMe2Ph, PEt2Ph or PEtPh2), [Ir(CO)2Cl(PMe3)2] and [Ir(CO)-(PMe3)4]+. The reaction can be viewed as an unusual type of oxidative addition and this is supported by the need for strongly electron-donating phosphines for reaction to occur. The complex [Ir(CO)2F(COF)-(PEt3)2]+ reacts

  铱的氟酰基配合物已经被制备的XeF的反应2与铱羰基配合物[Ir（CO）3大号2 ] +（L = PME 3，PME 2 PH，PET 2 PH或PEtPh 2），的[Ir（CO）2 Cl（PMe 3）2 ]和[Ir（CO）-（PMe 3）4 ] +。该反应可以看作是一种不常见的氧化加成反应，这是由于需要强供电子膦来进行反应而得到支持的。络合物[Ir（CO）2 F（COF）-（PEt 3）2 ]+与SiH 3 X（X = CN，NCS或NCO）反应，得到酰基络合物[Ir（CO） 2 F（COX）（PEt 3） 2 ] +，与BF 3反应，得到[Ir（CO） 3 F（ PEt 3） 2 ] 2+。该指示进一步与PMe 3反应，得到酰基产物，其中PMe 3与羰基配体结合。配合物[Ir（CO） 3（PPh 3） 2 ] +与XeF 2 + BF 3反应生成[Ir（CO） 3 F（PPh 3）2 ]