摘要 研究了纯
金属缺
钴氧化物 (Co 1− y O) 和 Co 1− y O–Cr 2 O 3 固溶体中的缺陷结构和点缺陷迁移率与温度 (1223–1573 K) 的关系和
氧气压力 (10–10 5 Pa) 使用微热重技术。已经表明,纯的和掺杂 Cr 的
氧化钴中的主要缺陷是单电离的阳离子空位,3% at 的掺杂剂足够高,可以将这种固溶体中主要缺陷的浓度固定在一个恒定
水平,远高于在纯 Co 1− y O 中。再平衡速率测量表明,纯 Co 1− y O 中的
化学扩散系数和点缺陷的迁移率与浓度无关,强烈暗示尽管它们的浓度相当高,但预计不会出现相互作用和缺陷聚集。另一方面,在 Cr 掺杂的
氧化钴中,再平衡率测量表明,在这种情况下,缺陷结构更加复杂,尽管单电离的阳离子空位似乎仍然是主要缺陷。