1-trimethylsilyl-2,2-dimethylhydrazine | 13271-94-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: 1-trimethylsilyl-2,2-dimethylhydrazine
• 英文别名: N,N-Dimethyl-N'-trimethylsilyl-hydrazin；trimethyl(2,2-dimethylhydrazino)silane；1,1-dimethyl-2-(trimethylsilyl)hydrazine；1,1-Dimethyl-2-(trimethylsilyl)hydrazin；N,N-dimethyl-N'-trimethylsilylhydrazine；1,1-dimethyl-2-trimethylsilylhydrazine
• CAS: 13271-94-8
• 化学式: C₅H₁₆N₂Si
• 分子量: 132.281
• InChiKey: GUUDEGHRMZKOAV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.89
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  15.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-trimethylsilyl-2,2-dimethylhydrazine 在 三乙胺 、 溴三氯硅烷 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 反应 10.0h， 以57.5%的产率得到1-trimethylsilyl-1-trichlorosilyl-2,2-dimethylhydrazine
  参考文献：
  名称：

  1,1-二甲基肼的有机硅衍生物与碘甲烷的反应

  摘要：

  DOI：

  10.1007/s10631-005-0012-7
• 作为产物：
  描述：

  三甲基氯硅烷 、 偏二甲肼 在 三乙胺 作用下， 以 hexanes 为溶剂， 以80%的产率得到1-trimethylsilyl-2,2-dimethylhydrazine
  参考文献：
  名称：

  Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

  摘要：

  这项发明涉及用于通过低温（例如，<550°C）化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。这种硅前体组合物至少包括一种取代了至少一个烷基肼官能团且不含卤素取代物的硅烷或二硅烷衍生物。

  公开号：

  US20050080285A1

文献信息

• Silyl substituted organoamines as precursors for high growth rate silicon-containing films
  申请人：Versum Materials US, LLC

  公开号：US11049714B2

  公开（公告）日：2021-06-29

  Described herein are novel silyl-substituted hydrazine and silyl-substituted diamine precursor compounds and compositions and methods comprising same to deposit a silicon-containing film such as, without limitation, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, or carbon-doped silicon oxide via a thermal atomic layer deposition (ALD) or plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) process, or a combination thereof.

  本文描述了新颖的硅基取代的肼和硅基取代的二胺前体化合物，以及包括这些化合物的组合物和方法，用于沉积含硅膜，例如但不限于硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、硅碳氮化物、硅氧碳氮化物或掺碳硅氧化物，通过热原子层沉积（ALD）或等离子增强原子层沉积（PEALD）过程，或二者的组合。
• (Chloromethyl)alkoxysilanes, Silethanes, and Silethenes in the Synthesis of Linear and Heterocyclic Compounds
  作者：A. D. Kirilin、L. O. Belova、V. G. Lakhtin、A. V. Lega、M. Yu. Petrov、E. A. Chernyshev

  DOI：10.1007/s11176-005-0437-1

  日期：2005.9

  The use of N,N-dimethylhydrazine or its trimethylsilyl derivatives in silylation, silamethylation, silethenation, and transsilylation allows synthesis of previously unknown linear and heterocyclic compounds.

  N,N-二甲基肼或其三甲基硅基衍生物在硅烷化、硅甲基化、硅乙烯化及转硅烷化中的应用，为合成先前未知的有机线性及杂环化合物提供了可能。
• Volatile Imido−Hydrazido Compounds of the Refractory Metals Niobium, Tantalum, Molybdenum, and Tungsten
  作者：Daniel Gaess、Klaus Harms、Michael Pokoj、Wolfgang Stolz、Jörg Sundermeyer

  DOI：10.1021/ic062435e

  日期：2007.8.1

  Volatile 1,1-dimethyl-2-(trimethylsilyl)hydrazido(1-) complexes of niobium, tantalum, molybdenum, and tungsten have been synthesized and fully characterized for use as precursors in their chemical vapor deposition to metal nitrides. Different reaction patterns were observed in the hydrazinolysis of imido complexes of those four metals with (trimethylsilyl)dimethylhydrazine HN(SiMe3)NMe2 (H-TDMH). [Ta(NtBu)Cl3Py2]

  铌，钽，钼和钨的挥发性1,1-二甲基-2-（三甲基甲硅烷基）肼基（1-）配合物已经合成，并经过充分表征，可用作化学气相沉积到金属氮化物中的前体。在这四种金属的亚胺配合物与（三甲基甲硅烷基）二甲基肼HN（SiMe3）NMe2（H-TDMH）的肼基络合肼解反应中观察到不同的反应模式。[Ta（NtBu）Cl3Py2]得到的[Ta（TDMH）2Cl3]（1）失去了亚胺基官能团，[M（NtBu）2Cl2Py2]得到了[M（NtBu）2（TDMH）Cl]（M = W， 8a; Mo，8b）。两种金属亚氨基络合物与酰肼镁的反应均生成[M（NtBu）（TDMH）2X]（M = Ta，X = Cl，2a; X = Br，3a; M = Nb，X = Cl，2b; X = Br，3b）和[M（NtBu）2（TDMH）X]（M = W，X = Cl，8a; X = Br，9a; M = Mo，X = Cl，8b;
• Syntheses, Structures, Bonding and Photoelectron Spectra of “Push‐Pull”‐Substituted <i>P</i> ‐[2,6‐Bis(trifluoromethyl)phenyl]‐σ ² λ ³ ‐iminophosphanes
  作者：Karinne Miqueu、Jean‐Marc Sotiropoulos、Genevieve Pfister‐Guillouzo、Valentyn L. Rudzevich、Heinz Gornitzka、Vincent Lavallo、Vadim D. Romanenko

  DOI：10.1002/ejic.200300823

  日期：2004.6

  Arf−P=N−R, bearing an electron-acceptor substituent at phosphorus [Arf = 2,6-bis(trifluoromethyl)phenyl] and a donor group at nitrogen (R = tBu, NMe2), have been synthesized and characterized by NMR spectroscopy and X-ray analysis. Density functional calculations [B3LYP/6-311G(d,p)] have been carried out on different iminophosphanes: HP=NH (1), ArfP=NH (2), ArfP=NSiMe3 (3), ArfP=NtBu (4), HP=NNMe2 (5) and

  σ2λ3-“推拉”亚氨基膦Arf-P=NR，在磷[Arf = 2,6-双（三氟甲基）苯基]处带有一个电子受体取代基，在氮处带有一个供体基团（R = tBu，NMe2） , 已合成并通过核磁共振光谱和 X 射线分析表征。已经对不同的亚氨基膦进行了密度泛函计算 [B3LYP/6-311G(d,p)]：HP=NH (1), ArfP=NH (2), ArfP=NSiMe3 (3), ArfP=NtBu (4) , HP=NNMe2 (5) 和 ArfP=NNMe2 (6) 以确定 Arf 取代基的电子效应和供体基团 R 对单体物种稳定性的影响。比较了亚氨基膦 4 和 6 的理论结果和紫外光电子能谱数据。理论和实验数据表明，对于所有正在研究的亚氨基膦，Arf 基团的 π 系统几乎与 πP=N 系统正交，从而防止了 πP=N 和先前观察到的 π*b1(芳基)轨道之间的任何稳定相互作用ArfPH− 阴离子。这里，Arf
• Vanadium Complexes of the N(CH₂CH₂S)₃^3- and O(CH₂CH₂S)₂^2- Ligands with Coligands Relevant to Nitrogen Fixation Processes
  作者：Sian C. Davies、David L. Hughes、Zofia Janas、Lucjan B. Jerzykiewicz、Raymond L. Richards、J. Roger Sanders、James E. Silverston、Piotr Sobota

  DOI：10.1021/ic9909476

  日期：2000.8.1

  by reaction of [V(NNMe2)(dipp)3] (dipp = OC6H3Pri2-2,6) with NS3H3. N2H4 is displaced quantitatively from 4 by anions to give the salts [NR3(4)][V(NS3)X] (X = Cl, R3 = Et, 7a; X = Cl, R3 = Ph, 7b; X = Br, R3 = Et, 7c; X = N3, R3 = Bu(n), 7d; X = N3, R3 = Et, 7e; X = CN, R3 = Et, 7f). Compound 6 loses NH3 thermally to give 5, which can also be prepared from [VCl3(THF)3] and NS3H3/LiBun. Displacement

  衍生自三（2-硫代乙基）胺配体[（NS3）3-]和双（2-硫代乙基）醚配体[（OS2）2-]的钒（III）和钒（V）配合物与目的是研究这些钒位点结合二氮并激活其还原的潜力。提供了（V（ ）（N2）V（ ）的瞬时存在的证据，并且已制备了一系列包含肼，酰肼，酰亚胺，胺，有机氰化物和异氰化物配体的单核配合物，并且这些化合物的化学性质[V（ ）O]（1）与过量的N2H4反应，可能通过中间体（V（ ）（NNH2）（2a）和（V（ ）（N2）V（ ） （3），V（III）加合物[V（ ）（N2H4）]（4）。如果用0.5 mol N2H4处理1，则析出0.5 mol N2，绿色不溶[[V（ ）） n]（5）结果。化合物4通过歧化作用转化为[V（ ）（NH3）]（6），但化合物4不充当N2H4歧化的催化剂，也不充当Zn / HOC6H3Pri2-2,6还原的催化剂。化合物1与NR1（2）NR2（2）（R1