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三乙基铟 | 923-34-2

中文名称
三乙基铟
中文别名
——
英文名称
Triethylindium
英文别名
——
三乙基铟化学式
CAS
923-34-2
化学式
C6H15In
mdl
——
分子量
202.005
InChiKey
OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    -31.9°C
  • 沸点:
    184°C
  • 密度:
    1.2600

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.54
  • 重原子数:
    7
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

ADMET

毒理性
  • 副作用
Dermatotoxin - 皮肤烧伤。
Dermatotoxin - Skin burns.
来源:Haz-Map, Information on Hazardous Chemicals and Occupational Diseases

安全信息

  • 危险等级:
    4.2
  • 海关编码:
    2931900090
  • 危险类别:
    4.2
  • 危险品运输编号:
    UN 3203

SDS

SDS:851c1ca6b892fb365eccbdc08c79fe2e
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制备方法与用途

性质

三乙基铟的学式为(C2H5)3In,分子量为202.01。它是一种无色液体,在常温下呈现液态状态。其熔点为-32℃,沸点为144℃。在空气中极易自燃,并且能溶于多种有机溶剂。在苯溶液中通常以单体形式存在。与冷水反应时会生成二乙基氢氧化铟和乙烷;而在90℃的热水中则完全分解。

用途

高纯度三乙基铟是金属有机化学气相沉积(MOCVD)及金属有机分子束外延(MOMBE)技术中用于生长半导体微结构材料的重要铟源。在半导体工业领域,它通常单独使用或与至少一种第五主族元素(主要是磷和砷的气态氢化物)结合,在合适的晶体基质上沉积,从而制备出性能优异的半导体材料。这种化合物在国外广泛应用于电子工业中制造红外控测器、微波振荡器及半导体光发射二级管等核心元件。

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    三乙基铟 在 ((C6H5)2PCH2)2 作用下, 以 为溶剂, 以74%的产率得到(Et3In)2*diphos
    参考文献:
    名称:
    The reversible adduct formation of group III trialkyls with relatively involatile phosphines; X-ray crystal structures of (Me3M)2·(Ph2PCH2)2 (M = Al, Ga, In) and (Me3Al)3·(Ph2PCH2CH2)2PPh
    摘要:
    DOI:
    10.1016/s0277-5387(00)81226-7
  • 作为产物:
    描述:
    乙基氯化镁 在 indium(III) chloride 作用下, 生成 三乙基铟
    参考文献:
    名称:
    Indiumorganische Verbindungen
    摘要:
    AbstractMit Hilfe der GRIGNARD‐Umsetzung wurden einige organische Indiumderivate dargestellt und ihre Eigenschaften mit denen der Nachbarelemente des Periodischen Systems verglichen.
    DOI:
    10.1002/zaac.19522670105
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文献信息

  • [EN] METHODS OF PRODUCING TRIMETHYLGALLIUM<br/>[FR] PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE TRIMÉTHYLGALLIUM
    申请人:DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
    公开号:WO2014078263A1
    公开(公告)日:2014-05-22
    Methods of preparing compounds of the formula: Me3M, wherein M is gallium, indium or thallium; the methods comprising reacting at least three equivalents of a halomethane compound with a compound of the formula (R)3M; wherein each R is independently C2-C8 alkyl.
    制备化合物Me3M的方法,其中M是镓、铟或铊;该方法包括将至少三当量的卤代甲烷化合物与式为(R)3M的化合物发生反应;其中每个R独立地是C2-C8烷基。
  • Bis(2-pyridyl) and Tris(2-pyridyl) Compounds of Gallium and Indium <i>via</i> a Redox-Transmetalation Route
    作者:Kornelia Zeckert、Daniel Fuhrmann
    DOI:10.1021/acs.inorgchem.9b02872
    日期:2019.12.16
    Reactions of the tris(2-pyridyl)lead(II) compound [LiPb(2-py6OtBu)3] (1) with trialkyl compounds of the group 13 elements gallium and indium resulted in the bis(2-pyridyl) and tris(2-pyridyl) gallate complexes [LiGaEt2(2-py6OtBu)2]2 (2), [LiGaR2(2-py6OtBu)2(THF)] (R = iPr (3), tBu (4)), [LiGatBu2(2-py6OtBu)2]2 (4'), and [LiGaMe(2-py6OtBu)3] (6), as well as corresponding indium complexes of general
    三(2-吡啶基)铅(II)化合物[LiPb(2-py6OtBu)3](1)与13个元素镓和铟的三烷基化合物的反应生成双(2-吡啶基)和tris(2 -吡啶基)没食子酸酯络合物[LiGaEt2(2-py6OtBu)2] 2(2),[LiGaR2(2-py6OtBu)2(THF)](R = iPr(3),tBu(4)),[LiGatBu2(2- py6OtBu)2] 2(4')和[LiGaMe(2-py6OtBu)3](6),以及具有一般成分[LiInR(2-py6OtBu)3]的相应铟配合物(R = Me(7),等等(8))。这些化合物的形成可以假定为[tBu3Ga Pb(2-py6OtBu)3Li}](5)最初形成的Pb-M加合物(M = Ga或In)的快速降解。此外,氧化还原金属转移途径用于合成[LiInI(2-py6OtBu)3(THF)](9)。所有化合物的结构均已通过单晶X射线衍射分析,NMR光谱,
  • The mixed alkyl gallium or indium N,N,N-trimethylpropylenediaminedithiocarbamates. Crystal structure of diethyl(N,N′,N′-trimethylpropylenediamine) dithiocarbamatoindium(III)
    作者:S.W. Haggata、M. Azad Malik、M. Motevalli、Paul O'Brien
    DOI:10.1016/0022-328x(95)05934-h
    日期:1996.4
    A series of compounds with the general formula (R2MS2CNMe(CH2)3NMe2, RMe, Et, Np, C5H11; MGa, In) have been synthesized and characterized. Their low melting points and reasonable volatility makes them potentially suitable as single-source precursors for III/VI materials. The crystal structure of Et2InS2CNMe(CH2)3NMe2 has been determined.
    合成并表征了一系列具有通式(R 2 MS 2 CNMe(CH 2)3 NMe 2,RMe,Et,Np,C 5 H 11;MGa,In)的化合物。它们的低熔点和合理的挥发性使它们有可能适合作为III / VI材料的单源前体。已经确定了Et 2 InS 2 CNMe(CH 2)3 NMe 2的晶体结构。
  • Chemoselective synthesis of ketones and ketimines by addition of organometallic reagents to secondary amides
    作者:William S. Bechara、Guillaume Pelletier、André B. Charette
    DOI:10.1038/nchem.1268
    日期:2012.3
    is of great importance, as this motif serves as a synthetic handle for the elaboration of numerous organic functionalities. In this context, we report a general and chemoselective method based on an activation/addition sequence on secondary amides allowing the controlled isolation of structurally diverse ketones and ketimines. The generation of a highly electrophilic imidoyl triflate intermediate was
    高效和选择性转化的发展在合成化学中至关重要,因为它为复杂分子的全合成开辟了新的可能性。将此类反应应用于酮的合成非常重要,因为该基序可作为合成众多有机功能的手柄。在这种情况下,我们报告了一种基于仲酰胺活化/加成序列的通用化学选择性方法,允许控制分离结构不同的酮和酮亚胺。发现高度亲电子的亚胺酰基三氟甲磺酸酯中间体的产生在观察到的异常官能团耐受性中起关键作用,允许将现成的格氏试剂和二有机锌试剂轻松添加到酰胺中,避免常见的过度加成或还原副反应。该方法已应用于抗肿瘤剂 Bexarotene 类似物的正式合成,以及在一锅法中快速有效地合成不对称二酮。
  • The synthesis and deep purification of GaEt3. Reversible complexation of adducts MAlk3 (M = Al, Ga, In; Alk = Me, Et) with phenylphosphines
    作者:V.V. Shatunov、A.A. Korlyukov、A.V. Lebedev、V.D. Sheludyakov、B.I. Kozyrkin、V.Yu. Orlov
    DOI:10.1016/j.jorganchem.2010.11.044
    日期:2011.5
    disadvantages of each technique have been identified. We have shown high performance of adduct purification technique covering trimethyl and triethyl derivatives of aluminum, gallium and indium. The structure of donor–acceptor complexes between metal alkyls and the above-mentioned phosphines have been verified using H and 31P NMR spectroscopy and X-ray studies, as well as quantum chemical calculations
    已经定义了合成三乙基镓的有机镁技术的最佳参数。已经研究了在金属有机气相外延MOVPE中所需的深度深度纯化三乙基镓的各种技术:通过高效精馏置换残留醚,与高纯铝和三氯化镓相互作用以及通过与可逆络合形成三乙基镓。三苯基膦,1,3-双(二苯基膦)丙烷和1,5-双(二苯基膦)戊烷。已经确定了每种技术的优点和缺点。我们展示了涵盖铝,镓和铟的三甲基和三乙基衍生物的加合物纯化技术的高性能。金属烷基化物和上述膦之间的供体-受体配合物的结构已使用H和H进行了验证。31 P NMR光谱学和X射线研究以及量子化学计算。研究了三乙基镓的热稳定性及其加合物与膦的氧化反应。
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