Subtle Steric Differences Impact the Structural and Conducting Properties of Radical Gold Bis(dithiolene) Complexes
作者:Agathe Filatre-Furcate、Thierry Roisnel、Marc Fourmigué、Olivier Jeannin、Nathalie Bellec、Pascale Auban-Senzier、Dominique Lorcy
DOI:10.1002/chem.201703172
日期:2017.11.13
Among single component molecular conductors, neutral radical gold dithiolene complexes [(R‐thiazdt)2Au]. derived from the N‐alkyl‐1,3‐thiazoline‐2‐thione‐4,5‐dithiolate (R‐thiazdt) ligand provide an extensive series of conducting, non‐dimerized, half‐filled band systems. Analogues of the known R=isopropyl (iPr) derivative were investigated here with R=NMe2, cyclopropyl (cPr) and n‐propyl (nPr), aiming
在单组分分子导体中,中性自由基二硫代金络合物[(R-thiazdt)2 Au] 。衍生自N-烷基-1,3-噻唑啉-2-硫酮-4,5-二硫醇酯(R-thiazdt)配体提供了一系列广泛的导电,非二聚半填充谱带系统。此处以R = NMe 2,环丙基(cPr)和正丙基(n Pr)研究了已知的R =异丙基(i Pr)衍生物的类似物,尽管它们之间有着密切的联系,但旨在合理化这些化合物采用的不同固态结构杂环氮原子上的取代基。R = NMe 2观察到二聚链中的原始交叉组织但是,与类似的i Pr衍生物的区别在于杂环氮取代基旋转了180°。另一方面,环丙基和正丙基取代基可形成具有牢固的一维电子结构和正式的半填充电子结构的坚固,均匀,未二聚的链。这两个自由基络合物的半导体行为是Mott绝缘子的特性,该绝缘子对外部压力的敏感性已评估到高达2.5 GPa。