arsenic(V) sulfide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属有机物
• 英文名称: arsenic(V) sulfide
• 英文别名: arsenic pentasulphide；arsenic pentasulfide
• 化学式: As₂S₅
• 分子量: 310.173
• InChiKey: OYZVJWRYXXOPCU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.8
• 重原子数：
  7.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  arsenic(V) sulfide 在 O₂ 作用下， 以 硝酸 为溶剂， 以>99的产率得到砷酸、原砷酸
  参考文献：
  名称：

  Askenasy, P.; Eloed, E.; Zieler, H., Zeitschrift fur anorganische Chemie, 1927, vol. 162, p. 161 - 192

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  oxotrithioarsenic acid 以 not given 为溶剂， 生成 arsenic(V) sulfide
  参考文献：
  名称：

  McCay, L. W.; Foster, W., Zeitschrift fur anorganische Chemie, 1904, vol. 41, p. 452 - 473

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Heats of immersion of amorphous As2S3, As2S5 and As2Se3 in organic liquids
  作者：M. Hattori、T. Ogasawara

  DOI：10.1016/0040-6031(83)80044-6

  日期：1983.4

  Abstract The heats of immersion of hydrophobic, amorphous arsenic chalcogenides have been measured in several organic liquids. For hexane, butanol, butylchloride and nitropropane, the heats of immersion with As2S3, As2S5 and As2Se3 showed linear dependences on the dipole moment of the wetting liquid molecule. From the results the average values of the electrostatic field strength were calculated to

  摘要 在几种有机液体中测量了疏水性、无定形砷硫属化物的浸渍热。对于己烷、丁醇、丁基氯和硝基丙烷，As2S3、As2S5 和 As2Se3 的浸渍热与润湿液体分子的偶极矩呈线性相关。根据结果​​，静电场强度的平均值计算为 0.29 × 105、0.31 × 105 和 0.57 × 105 esu cm-2。As2S3和As2Se3在正链烷醇中的浸湿热随着n的增加而线性增加，CnH2n+1OH中的碳原子数增加。固体表面静电场对液体分子极化的贡献，由于分散力和由于液体偶极矩与固体静电场之间的相互作用，通过应用分子间力的可加性来计算。结果表明，分散力是对砷硫属化物-正链烷醇体系相互作用的主要贡献。
• Photoluminescence and Electrical Conductivity of As2S3〈Au〉 and As2S5〈Au〉 Glasses
  作者：A. A. Babaev、I. K. Kamilov、S. B. Sultanov、A. M. Askhabov、E. I. Terukov

  DOI：10.1007/s10789-005-0207-9

  日期：2005.7

  The 77-K photoluminescence spectra of (As2S3)100 − x Aux and (As2S5)100 −x Aux (0 ≤ x ≤ 0.04) semiconducting glasses are measured for the first time. At low doping levels, the spectra of the (As2S5)100 − x Aux glasses are split into two components, one of which arises from the Au dopant. The temperature-dependent conductivity of the glasses shows two breaks at low Au concentrations and anomalous behavior in the range 300–360 K. Qualitative analysis of the conductivity data suggests that most of the impurity atoms have saturated valence bonds and form solid solutions with host atoms, changing the band gap of the material. A small fraction of the impurity atoms, those having unsaturated valence bonds, produce an electrically active level responsible for impurity conduction.

  首次测量了 (As2S3)100 - x Aux 和 (As2S5)100 -x Aux (0 ≤ x ≤ 0.04) 半导体玻璃的 77-K 光致发光光谱。在低掺杂水平下，(As2S5)100 - x Aux 玻璃的光谱分为两部分，其中一部分来自金掺杂。玻璃随温度变化的电导率在低金浓度时出现两个断点，在 300-360 K 范围内出现异常行为。对电导率数据的定性分析表明，大部分杂质原子具有饱和价键，并与主原子形成固溶体，从而改变了材料的带隙。小部分杂质原子，即具有不饱和价键的杂质原子，会产生一个负责杂质传导的电活水平。
• Guerin, H., Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1941, vol. 213, p. 1012 - 1015
  作者：Guerin, H.

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Se: MVol.B, 71, page 153 - 156
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Na: MVol., 347, page 936 - 938
  作者：

  DOI：——

  日期：——