二-1-萘基二氟硅烷 | 384-25-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 中文名称: 二-1-萘基二氟硅烷
• 英文名称: di-1-naphthyldifluorosilane
• 英文别名: difluoro-di-[1]naphthyl-silane；Difluor-di-[1]naphthyl-silan；Silane, difluorodi-1-naphthalenyl-；difluoro(dinaphthalen-1-yl)silane
• CAS: 384-25-8
• 化学式: C₂₀H₁₄F₂Si
• 分子量: 320.413
• InChiKey: OEGZBESUOXDFLQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.49
• 重原子数：
  23
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二-1-萘基二氟硅烷 在 苯胺 作用下， 以72%的产率得到(1-na)2Si(NHph)2
  参考文献：
  名称：

  Chugunov, V. S., Zhurnal Obshchei Khimii, 1953, vol. 23, p. 777 - 779

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  1-萘基溴化镁, 0.5M IN METHF 在 silicon tetrafluoride 作用下， 生成 二-1-萘基二氟硅烷
  参考文献：
  名称：

  Petrow; Tschernyschewa, Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, 1951, p. 820

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Electrochemical properties of arylsilanes
  作者：Judith Biedermann、H. Martin R. Wilkening、Frank Uhlig、Ilie Hanzu

  DOI：10.1016/j.elecom.2019.03.010

  日期：2019.5

  In the past, the electrochemical properties of organosilicon compounds were investigated for both fundamental reasons and synthesis purposes. Little is, however, known about the electrochemical behaviour of hydrogen-bearing arylsilanes. Here, we throw light on the electrochemical properties of 11 arylsilanes compounds, 2 of them synthesized for the first time. The oxidation potentials are found to

  过去，出于基本原因和合成目的对有机硅化合物的电化学性质进行了研究。然而，关于含氢芳基硅烷的电化学行为知之甚少。在这里，我们将重点介绍11种芳基硅烷化合物的电化学性质，其中2种是首次合成。发现氧化电位取决于芳基的性质和数量。基于这些发现，有可能建立一些与预期的结构-特性相关的变化趋势。此外，我们提出了对后面的电化学反应动力学的初步见解，并确定了几种可溶的电化学氧化产物。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 111, page 310 - 313
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 28, page 86 - 90
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 40, page 122 - 124
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Petrov, A. D.; Cernyseva, T. I., Doklady Akademii Nauk SSSR, 1952, vol. 84, p. 515 - 518
  作者：Petrov, A. D.、Cernyseva, T. I.

  DOI：——

  日期：——