二甲基乙基铟 | 102091-56-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机过渡后金属化合物
• 中文名称: 二甲基乙基铟
• 英文名称: dimethylethylindium
• 英文别名: dimethylethylindium(III)；ethyldimethylindium；ethyldimetylindium；Ethyl(dimethyl)indigane
• CAS: 102091-56-5
• 化学式: C₄H₁₁In
• 分子量: 173.951
• InChiKey: JMMJWXHSCXIWRF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  5-7 °C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.76
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二甲基乙基铟 生成 三甲基铟
  参考文献：
  名称：

  COLE-HAMILTON, D. J., CHEM. BRIT., 26,(1990) N, C. 852-856

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  乙基氯化镁 、 iododimethylindium(III) 以 乙醚 为溶剂， 生成 二甲基乙基铟
  参考文献：
  名称：

  （CH 3）2 In（C 2 H 5）系统的合成，质谱和NMR光谱研究：二膦桥联配合物的X射线晶体结构

  摘要：

  从InI 3高收率地合成了均配和杂配的烷基铟衍生物（通常为乙醚加合物）。化合物Me n InEt 3- n（n = 0、1、2或3）及其三氘甲基甲基类似物的核磁共振和质谱表明，杂配的Me 2 InEt和MeInEt 2均以单一化合物存在，尽管歧化在比室温稍高的温度下观察到InMe 3和InEt 3的浓度降低。不寻常的二膦桥联加合物[（InMe 3）diphos（Me 2）的晶体结构InEt）]·[（InMe 3）diphos（InMe 3）]，（diphos =（C 6 H 5）2 PCH 2 CH 2 P（C 6 H 5）2的报道。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(95)05976-v

文献信息

• Phase separation in InGaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
  作者：N. A. El-Masry、E. L. Piner、S. X. Liu、S. M. Bedair

  DOI：10.1063/1.120639

  日期：1998.1.5

  We report on phase separation in thick InGaN films with up to 50% InN grown by metalorganic chemical vapor deposition from 690 to 780 °C. InGaN films with thicknesses of 0.5 μm were analyzed by θ–2θ x-ray diffraction, transmission electron microscopy (TEM), and selected area diffraction (SAD). Single phase InGaN was obtained for the as-grown films with <28% InN. However, for films with higher than

  我们报告了通过金属有机化学气相沉积在 690 至 780 °C 下生长的高达 50% InN 厚 InGaN 薄膜的相分离。通过 θ–2θ x 射线衍射、透射电子显微镜 (TEM) 和选区衍射 (SAD) 分析厚度为 0.5 μm 的 InGaN 薄膜。对于 <28% InN 的生长薄膜，获得了单相 InGaN。然而，对于 InN 含量高于 28% 的薄膜，样品显示出经 TEM 证实的旋节线分解微观结构和 SAD 图案中与多相 InGaN 相对应的额外斑点。
• Impurity dependence on hydrogen and ammonia flow rates in InGaN bulk films
  作者：E. L. Piner、M. K. Behbehani、N. A. El-Masry、J. C. Roberts、F. G. McIntosh、S. M. Bedair

  DOI：10.1063/1.119775

  日期：1997.10.6

  H, C, and O impurity concentrations in metalorganic chemical vapor deposition grown InGaN were found to be dependent on the hydrogen and NH3 flow rates. By increasing the hydrogen flow rate from 0 to 100 sccm, a decrease of greater than two orders of magnitude in the C and O impurity levels and one order of magnitude in the H impurity level was observed. Increasing the NH3 flow rate from 1 to 5 slm

  发现金属有机化学气相沉积生长的 InGaN 中的 H、C 和 O 杂质浓度取决于氢气和 NH3 的流速。通过将氢气流速从 0sccm 增加到 100sccm，观察到 C 和 O 杂质水平下降超过两个数量级，H 杂质水平下降一个数量级。将 NH3 流速从 1 slm 增加到 5 slm 会导致 C 浓度降低以及 H 和 O 浓度增加，这表明高纯度 NH3 (99.999%) 可能是 O 污染的重要来源。其他研究表明，当 InGaN 薄膜中的 InN 百分比增加时，无论生长条件如何变化，杂质浓度都会增加。
• Strain‐relaxed epitaxial layers for high‐speed electronic devices
  作者：G. W. Wang

  DOI：10.1063/1.105390

  日期：1991.7.29

  of high‐speed electronic devices beyond the limit of pseudomorphic heterostructures is investigated. Metal‐semiconductor field‐effect transistors (MESFETs) are fabricated on InGaAs layers which have intentionally relaxed crystal lattice on GaAs substrate to take advantage of the small effective electron mass of bulk InGaAs materials. 0.25 μm gate MESFETs with an unstrained In0.15Ga0.85As layer and

  研究了一种超越假晶异质结构限制的高速电子器件的新方法。金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 是在 InGaAs 层上制造的，该层有意在 GaAs 衬底上松弛晶格，以利用块状 InGaAs 材料的小有效电子质量。具有无应变 In0.15Ga0.85As 层和 In0.25Ga0.75As 层的 0.25 μm 栅极 MESFET 分别显示了 120 GHz 和 126 GHz 的最先进的电流增益截止频率。这些结果意味着位错密度和有效电子质量之间的权衡。
• Growth of GaInAsP using ethyldimethylindium and tertiarybutylphosphine
  作者：P. R. Sharps、M. L. Timmons、T. S. Colpitts

  DOI：10.1063/1.105022

  日期：1991.5.6

  The growth of GaInAsP lattice matched to GaAs by organometallic vapor phase epitaxy using ethyldimethylindium and tertiarybutylphosphine is reported for the first time. The composition of the films is approximately Ga0.87In0.13As0.75P0.25, giving a band gap of about 1.52 eV. Intrinsic films are n type. Both n‐ and p‐type doped layers have been prepared. Photoluminescence measurements on intrinsic films

  首次报道了使用乙基二甲基铟和叔丁基膦通过有机金属气相外延生长与 GaAs 匹配的 GaInAsP 晶格。薄膜的成分约为 Ga0.87In0.13As0.75P0.25，带隙约为 1.52 eV。本征膜是n型。已经制备了 n 型和 p 型掺杂层。本征薄膜上的光致发光测量给出了大约 70 meV 的光谱半宽度。用 AlGaAs 窗口层覆盖薄膜并在 GaInAsP/GaAs 界面使用 n+-n 高-低结大大提高了光致发光性能。本征薄膜中的少数载流子寿命为 35 ns，表明四元等效于具有相同带隙的 AlGaAs。
• Determination of the critical layer thickness in the InGaN/GaN heterostructures
  作者：C. A. Parker、J. C. Roberts、S. M. Bedair、M. J. Reed、S. X. Liu、N. A. El-Masry

  DOI：10.1063/1.125146

  日期：1999.11

  We present an approach to determine the critical layer thickness in the InxGa1−xN/GaN heterostructure based on the observed change in the photoluminescence emission as the InxGa1−xN film thickness increases. From the photoluminescence data, we identify the critical layer thickness as the thickness where a transition occurs from the strained to unstrained condition, which is accompanied by the appearance

  我们提出了一种方法来确定 InxGa1-xN/GaN 异质结构中的临界层厚度，基于观察到的光致发光发射随着 InxGa1-xN 膜厚度的增加而变化。从光致发光数据中，我们将临界层厚度确定为从应变到非应变条件发生转变的厚度，这伴随着深能级发射的出现和带边缘光致发光强度的下降。指示临界层厚度开始的光学数据也通过 InxGa1-xN 表面形态随厚度的变化得到证实，并且与 X 射线衍射测量一致。