硅杂环丙烷衍生物,2-正丁基-1-仲丁基-1-叔丁基-叔硅碳环丙烷(1 s 1 t 2 n- BuSP)和2-正丁基-1-叔丁基-1-的合成和阴离子聚合isobutylsilacyclopropane(1我1吨2 N- BUSP),进行了研究。这些单体通过在1-己烯存在下用锂处理仲丁基-叔丁基-二氯硅烷或叔丁基异丁基-二氯硅烷来制备。单体1 s 1 t 2 n-在六甲基磷酰胺(HMPA)的存在下,可以在-78°C下用丁基锂引发剂在THF中将BuSP和1 i 1 t 2 n- BuSP聚合。在甲醇中沉淀后,聚(2-正丁基-1-仲丁基-1-叔丁基硅烷基环丙烷)(聚(1 s 1 t 2 n- BuSP))(M n = 2100,M w / M n =相对于聚苯乙烯标准为1.53)和聚(2-正丁基-1-叔丁基-1-异丁基硅杂环丙烷)(聚(1 i 1 t 2得到n- BuSP))(M n= 1800,M
硅杂环丙烷衍生物,2-正丁基-1-仲丁基-1-叔丁基-叔硅碳环丙烷(1 s 1 t 2 n- BuSP)和2-正丁基-1-叔丁基-1-的合成和阴离子聚合isobutylsilacyclopropane(1我1吨2 N- BUSP),进行了研究。这些单体通过在1-己烯存在下用锂处理仲丁基-叔丁基-二氯硅烷或叔丁基异丁基-二氯硅烷来制备。单体1 s 1 t 2 n-在六甲基磷酰胺(HMPA)的存在下,可以在-78°C下用丁基锂引发剂在THF中将BuSP和1 i 1 t 2 n- BuSP聚合。在甲醇中沉淀后,聚(2-正丁基-1-仲丁基-1-叔丁基硅烷基环丙烷)(聚(1 s 1 t 2 n- BuSP))(M n = 2100,M w / M n =相对于聚苯乙烯标准为1.53)和聚(2-正丁基-1-叔丁基-1-异丁基硅杂环丙烷)(聚(1 i 1 t 2得到n- BuSP))(M n= 1800,M