六（乙基氨基）乙硅烷 | 532980-53-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 中文名称: 六（乙基氨基）乙硅烷
• 英文名称: hexakisethylaminodisilane
• 英文别名: (HNEt)3Si-Si(HNEt)3；N-[bis(ethylamino)-[tris(ethylamino)silyl]silyl]ethanamine
• CAS: 532980-53-3
• 化学式: C₁₂H₃₆N₆Si₂
• 分子量: 320.629
• InChiKey: WMAAIGILTZEOHE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  -7°C
• 沸点：
  257°C
• 密度：
  1.0

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.4
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  13
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  72.2
• 氢给体数：
  6
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  六（乙基氨基）乙硅烷 、 乙胺盐酸盐 反应 7.0h， 生成 1,4-diethyl-2,2,3,3,5,5,6,6-octakisethylamino-1,4-diaza-2,3,5,6-tetrasilacyclohexane
  参考文献：
  名称：

  CYCLIC AZA-SILA COMPOUNDS

  摘要：

  该发明涉及由通式(I)和(II)的4至10个单元通过Si—Si或Si—N单键连接而成的环状氮硅化合物，其中Y从—NR1R2、氢和卤素中选择，R1和R2从氢和具有1至20个碳原子的碳氢基团中选择，R3是具有1至20个碳原子的碳氢基团，但规定至少有两个通式(I)单元通过Si—Si单键在环中彼此连接，最多35摩尔%的Y基团是氢，最多15摩尔%的Y基团是卤素，以及其生产方法。

  公开号：

  US20110301373A1
• 作为产物：
  描述：

  六氯乙硅烷 、 乙胺 以 正己烷 为溶剂， 以84%的产率得到六（乙基氨基）乙硅烷
  参考文献：
  名称：

  Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

  摘要：

  硅前体用于制造半导体器件中形成含硅薄膜，例如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有硅氮化物（Si3N4），硅氧氮化物（SiOxNy）和/或二氧化硅（SiO2）的薄膜。本发明的前体适用于低温（例如<500℃）化学气相沉积过程中使用，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。

  公开号：

  US20040096582A1

文献信息

• METHOD FOR PRODUCING AND STABILIZING OLIGOAMINOSILANES
  申请人：Knies Wolfgang

  公开号：US20110295032A1

  公开（公告）日：2011-12-01

  The invention relates to a method for producing oligoaminosilanes of the general formula (I) Si n Y 2n+2 , wherein oligohalosilanes of the general formula (II) Si n X 2n+2 are reacted with primary amines of the general formula (III) R—NH 2 in hydrocarbons as solvents, wherein X is selected from among chlorine, bromine, and iodine, Y is a halogen, hydrogen, or R—NH, R is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and n is values from 1 to 20, with the stipulation that at most 35 mol % of the groups Y is a hydrogen and at most 15 mol % of the groups Y is a halogen, wherein activated carbon is added to the reaction mixture. The invention further relates to a method for stabilizing the oligoaminosilanes of the general formula (I), wherein the oligo ammosilanes are treated with activated carbon.

  本发明涉及一种制备通式（I）SinY2n+2的寡聚氨基硅烷的方法，其中寡卤代硅烷通式（II）SinX2n+2与一次胺通式（III）R—NH2在烃类溶剂中反应，其中X从氯、溴和碘中选择，Y是卤素、氢或R—NH，R是具有1至20个碳原子的烃基，n的值为1至20，但最多35摩尔％的Y基团为氢，最多15摩尔％的Y基团为卤素，反应混合物中加入活性炭。本发明还涉及一种稳定通式（I）寡聚氨基硅烷的方法，其中寡氨基硅烷与活性炭处理。
• CYCLIC AZA-SILA COMPOUNDS
  申请人：Knies Wolfgang

  公开号：US20110301373A1

  公开（公告）日：2011-12-08

  The invention relates to cyclic aza-sila compounds that are made of 4 to 10 units of the general formulas (I) and (II) bonded by means of Si—Si or Si—N single bonds, wherein Y is selected from among —NR 1 R 2 , hydrogen, and a halogen, R 1 and R 2 are selected from among hydrogen and a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and R 3 is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, with the stipulation that at least two units of the general formula (I) are bonded to each other in the ring by means of an Si—Si single bond, that at most 35 mol % of the groups Y is a hydrogen, and that at most 15 mol % of the groups Y is a halogen, and to a method for the production thereof.

  该发明涉及由通式(I)和(II)的4至10个单元通过Si—Si或Si—N单键连接而成的环状氮硅化合物，其中Y从—NR1R2、氢和卤素中选择，R1和R2从氢和具有1至20个碳原子的碳氢基团中选择，R3是具有1至20个碳原子的碳氢基团，但规定至少有两个通式(I)单元通过Si—Si单键在环中彼此连接，最多35摩尔%的Y基团是氢，最多15摩尔%的Y基团是卤素，以及其生产方法。
• Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride
  申请人：——

  公开号：US20040096582A1

  公开（公告）日：2004-05-20

  Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si 3 N 4 ), siliconoxynitride (SiO x N y ) and/or silicon dioxide (SiO 2 ). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g., <500° C.) chemical vapor deposition processes, for fabrication of ULSI devices and device structures.

  硅前体用于制造半导体器件中形成含硅薄膜，例如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有硅氮化物（Si3N4），硅氧氮化物（SiOxNy）和/或二氧化硅（SiO2）的薄膜。本发明的前体适用于低温（例如<500℃）化学气相沉积过程中使用，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。