2,5-二溴-3-乙基噻吩 | 53119-57-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 噻吩类
• 中文名称: 2,5-二溴-3-乙基噻吩
• 英文名称: 2,5-dibromo-3-ethylthiophene
• 英文别名: 3-ethyl-2,5-dibromo-thiophene；3-Aethyl-2,5-dibrom-thiophen
• CAS: 53119-57-6
• 化学式: C₆H₆Br₂S
• 分子量: 269.988
• InChiKey: SEFOUDCWOOYMAQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  251.1±35.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.873±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.4
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  28.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

安全信息

• 海关编码：
  2934999090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,5-二溴-3-乙基噻吩 在 甲醇 、 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 、 potassium carbonate 、 三乙胺 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 2.08h， 生成 2,5-diethynyl-3-ethylthiophene
  参考文献：
  名称：

  噻吩乙炔基间隔基3位上的取代基对二钌（II）有机金属丝状络合物的电子性质的作用。

  摘要：

  一系列有机金属配合物的[氯（DPPE）2的Ru-C≡C-（3-R-C 4 H ^ 2 S）-C≡C-茹（DPPE）2 CL]（3-R-C 4 H ^ 2小号= 3-取代的噻吩基部分; R = -H，-C 2 H ^ 5，-C 3 H ^ 7，-C 4 H ^ 9，-C 6 H ^ 13，-OMe，-CN在5 一- 5 克分别）已经通过在噻吩基乙炔基桥接单元上3位取代基的系统变化来合成。铜（II）线状络合物（5  a – 5  g）是通过噻吩乙炔基桥接单元HC≡C-（3-R-C 4 H 2 S）-C≡CH（4  a – 4  g）与顺式-[Ru（dppe）2 Cl 2]。线状二钌（II）络合物在0.0-0.8 V的电位范围内经历了两个连续的电化学氧化过程。有趣的是，两个氧化还原波之间的波分离在很大程度上受到噻吩基乙炔基3位上的取代基的影响。因此，噻吩基乙炔基桥接单元在3位上的取代对于调节电子

  DOI：

  10.1002/asia.202000755
• 作为产物：
  描述：

  3-乙基噻吩 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 12.0h， 生成 2,5-二溴-3-乙基噻吩
  参考文献：
  名称：

  噻吩乙炔基间隔基3位上的取代基对二钌（II）有机金属丝状络合物的电子性质的作用。

  摘要：

  一系列有机金属配合物的[氯（DPPE）2的Ru-C≡C-（3-R-C 4 H ^ 2 S）-C≡C-茹（DPPE）2 CL]（3-R-C 4 H ^ 2小号= 3-取代的噻吩基部分; R = -H，-C 2 H ^ 5，-C 3 H ^ 7，-C 4 H ^ 9，-C 6 H ^ 13，-OMe，-CN在5 一- 5 克分别）已经通过在噻吩基乙炔基桥接单元上3位取代基的系统变化来合成。铜（II）线状络合物（5  a – 5  g）是通过噻吩乙炔基桥接单元HC≡C-（3-R-C 4 H 2 S）-C≡CH（4  a – 4  g）与顺式-[Ru（dppe）2 Cl 2]。线状二钌（II）络合物在0.0-0.8 V的电位范围内经历了两个连续的电化学氧化过程。有趣的是，两个氧化还原波之间的波分离在很大程度上受到噻吩基乙炔基3位上的取代基的影响。因此，噻吩基乙炔基桥接单元在3位上的取代对于调节电子

  DOI：

  10.1002/asia.202000755

文献信息

• 含噻吩的二环腈类SSAO抑制剂、制备方法及其用途
  申请人：佛山汉方中医医院有限公司

  公开号：CN107880032A

  公开（公告）日：2018-04-06

  本发明涉及SSAO抑制剂领域。具体而言，本发明涉及一类含噻吩的二环腈类SSAO抑制剂、其制备方法以及在制备治疗炎症性疾病、免疫性疾病和肿瘤等中的应用。其中，R选自C1‑C10的烷基，C3‑C8的环烷基。
• Pham, Chiem Van; Burkhardt, A.; Shabana, R., Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1989, vol. 46, p. 153 - 168
  作者：Pham, Chiem Van、Burkhardt, A.、Shabana, R.、Cunningham, David D.、Mark, Harry B.、Zimmer, Hans

  DOI：——

  日期：——
• Gerlach, Justus Liebigs Annalen der Chemie, 1892, vol. 267, p. 161
  作者：Gerlach

  DOI：——

  日期：——
• VAN, PHAM CHIEM;BURKHARDT, A.;SHABANA, R.;CUNNINGHAM, DAVID D.;MARK, HARR+, PHOSPH., SULFUR AND SILICON AND RELAT. ELEM., 46,(1989) N-4, C. 153-168
  作者：VAN, PHAM CHIEM、BURKHARDT, A.、SHABANA, R.、CUNNINGHAM, DAVID D.、MARK, HARR+

  DOI：——

  日期：——
• Side Chain-Containing Type Organic Silane Compound, Thin Film Transistor and Method of Producing Thereof
  申请人：Nakagawa Masatoshi

  公开号：US20080303019A1

  公开（公告）日：2008-12-11

  A side chain-containing type organic silane compound represented by the formula (I) R—SiX 1 X 2 X 3 wherein R represents a π-electron conjugate type organic residue composed of 3 to 10 units whose units are a group derived from a monocyclic aromatic hydrocarbon, a group derived from a monocyclic heterocyclic compound or the combination thereof, or an organic residue composed of 2 to 10 five-membered or six-membered rings, both of the residues having at least one side chain and X 1 , X 2 and X 3 , the same or different represent a group affording a hydroxyl group upon hydrolysis.