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2-[1-(3,5-二甲基苯基)-2-萘基]-4,4-二甲基-4,5-二氢-1,3-恶唑 | 103562-39-6

中文名称
2-[1-(3,5-二甲基苯基)-2-萘基]-4,4-二甲基-4,5-二氢-1,3-恶唑
中文别名
——
英文名称
2-[1-(3,5-dimethylphenyl)-2-naphthyl]-4,5-dihydro-4,4-dimethyl-1,3-oxazole
英文别名
2-[1-(3,5-dimethylphenyl)naphthalen-2-yl]-4,4-dimethyl-5H-1,3-oxazole
2-[1-(3,5-二甲基苯基)-2-萘基]-4,4-二甲基-4,5-二氢-1,3-恶唑化学式
CAS
103562-39-6
化学式
C23H23NO
mdl
——
分子量
329.442
InChiKey
GCDYLOAUWQTSFQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    98-100 °C(lit.)
  • 沸点:
    469.9±24.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.09±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.7
  • 重原子数:
    25
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.26
  • 拓扑面积:
    21.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

安全信息

  • 危险品标志:
    Xi
  • 安全说明:
    S26,S36
  • 危险类别码:
    R36/37/38

反应信息

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文献信息

  • Synthesis, Structural Characterization and Fluorescence Properties of Organoselenium Compounds Bearing a Ligand Containing Both Bulky and Nonbonding Groups − The First Observation of Both Intramolecular Se···N and Se···O Interactions in a Diselenide Structure
    作者:Karuppasamy Kandasamy、Sangit Kumar、Harkesh B. Singh、Ray J. Butcher、K. Travis Holman
    DOI:10.1002/ejic.200300603
    日期:2004.3
    The synthesis of bis[3-(4,5-dihydro-4,4-dimethyl-1,3-oxazol2-yl)-4-(3,5-dimethylphenyl)-2-naphthyl] diselenide, R2Se2 (4), was achieved by a facile ortholithiation route. Further reaction of the diselenide with a stoichiometric amount of SO2Cl2 or Br2 afforded the corresponding selenenyl halides RSeX [X = Cl (5), X = Br (6)]. The novel selenenyl iodide RSeI (7), in which the selenium and iodine are
    双[3-(4,5-二氢-4,4-二甲基-1,3-恶唑2-基)-4-(3,5-二甲基苯基)-2-基]二化物的合成,R2Se2(4),是通过简单的正石化途径实现的。二化物与化学计量的 SO2Cl2 或 Br2 进一步反应得到相应的基卤化物 RSeX [X = Cl (5), X = Br (6)]。通过用等摩尔量的处理二化物而获得新型化物RSeI (7),其中彼此共价键合。苄基反应制得稳定的芳基苄基化物8
  • Methods to synthesize single source precursors and methods to deposit nanowire based thin films for high efficiency thermoelectric devices
    申请人:APPLIED MATERIALS, INC.
    公开号:US10326067B2
    公开(公告)日:2019-06-18
    Single source precursors, methods to synthesize single source precursors and methods to deposit nanowire based thin films using single source precursors for high efficiency thermoelectric devices are provided herein. In some embodiments, a method of forming a single source precursor includes mixing a first compound with one of SbX3, SbX5, Sb2(SO4)3 or with one of BiX3, Bi(NO3)3, Bi(OTf)3, Bi(PO4), Bi(OAc)3, wherein the first compound is one of a lithium selenolate, a lithium tellurolate, a monoselenide, or a monotelluride.
    本文提供了用于高效热电设备的单源前驱体、合成单源前驱体的方法以及使用单源前驱体沉积基于纳米线的薄膜的方法。在一些实施例中,形成单源前驱体的方法包括将第一种化合物与 SbX3、SbX5、Sb2(SO4)3 或 BiX3、Bi(NO3)3、Bi(OTf)3、Bi(PO4)、Bi(OAc)3 中的一种混合,其中第一种化合物是硒酸锂碲酸、单化物或单化物中的一种。
  • ANDERSON, P. L.
    作者:ANDERSON, P. L.
    DOI:——
    日期:——
  • METHODS TO SYNTHESIZE SINGLE SOURCE PRECURSORS AND METHODS TO DEPOSIT NANOWIRE BASED THIN FILMS FOR HIGH EFFICIENCY THERMOELECTRIC DEVICES
    申请人:APPLIED MATERIALS, INC.
    公开号:US20160247994A1
    公开(公告)日:2016-08-25
    Single source precursors, methods to synthesize single source precursors and methods to deposit nanowire based thin films using single source precursors for high efficiency thermoelectric devices are provided herein. In some embodiments, a method of forming a single source precursor includes mixing a first compound with one of SbX 3 , SbX 5 , Sb 2 (SO 4 ) 3 or with one of BiX 3 , Bi(NO 3 ) 3 , Bi(OTf) 3 , Bi(PO 4 ), Bi(OAc) 3 , wherein the first compound is one of a lithium selenolate, a lithium tellurolate, a monoselenide, or a monotelluride.
  • US4686237A
    申请人:——
    公开号:US4686237A
    公开(公告)日:1987-08-11
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