基于
硫代苯基
乙炔的化合物已被广泛研究用于某些分子电子设备中。基于
噻吩和
乙炔单元,一系列低聚物和具有不同链长的聚合物设计并合成了通过Sonogashira在这项工作中的反应。通过常规测量对这些化合物进行表征,以证明光学红移和带隙减小是由缀合主链的长度增加引起的。同时,采用基于同步加速器的二维掠入射X射线衍射技术研究了分子相对于表面的堆积方向。层状层之间的更近距离显示出有助于化合物更好的导电性能。此外,微观结构研究直接为该体系中聚合物的良好性能提供了进一步的解释。一些顶栅场效应晶体管是通过以下方法制造的所选的低聚物和聚合物进行固溶处理。聚合物器件在0.42 cm 2 V -1 s -1时表现出良好的电荷迁移率性能,开关比为1.59×10 3,远优于低聚物。