1,4,8,11-tetramethyl-6,13-triethylsilylethinylpentacene | 1173698-76-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 并五苯
• 英文名称: 1,4,8,11-tetramethyl-6,13-triethylsilylethinylpentacene
• 英文别名: 1,4,8,11-tetramethyl-6,13-triethylsilylethynylpentacene；1,4,8,11-tetramethyl-6,13-bis(triethylsilylethynyl)pentacene；triethyl-[2-[1,4,8,11-tetramethyl-13-(2-triethylsilylethynyl)pentacen-6-yl]ethynyl]silane
• CAS: 1173698-76-4
• 化学式: C₄₂H₅₀Si₂
• 分子量: 611.03
• InChiKey: TVAVCYUNZIELEP-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  701.2±60.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.04±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  12.33
• 重原子数：
  44
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.38
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三乙基矽乙炔 、 1,4,8,11-tetramethyl-6,13-pentacenequinone 在 正丁基锂 、 盐酸 、 tin(ll) chloride 作用下， 以 hexanes 、 乙醚 、 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 21.5h， 以61%的产率得到1,4,8,11-tetramethyl-6,13-triethylsilylethinylpentacene
  参考文献：
  名称：

  WO2008/128618

  摘要：

  公开号：

文献信息

• High performance, acene-based organic thin film transistors
  作者：Gonzalo Rincon Llorente、Marie-Beatrice Dufourg-Madec、David J. Crouch、Robin G. Pritchard、Simon Ogier、Stephen G. Yeates

  DOI：10.1039/b901448a

  日期：——

  1,4,8,11-Methyl-substituted 6,13-triethylsilylethynylpentacene shows extended π–π overlap when deposited from solution, yielding organic thin film transistors with high and reproducible hole mobility with negligible hysteresis.

  1,4,8,11-甲基取代的6,13-三乙基硅乙炔戊烯在从溶液中沉积时表现出扩展的π-π重叠，从而产生具有高且可重复的孔迁移率且滞后可忽略的有机薄膜晶体管。
• Process for preparing substituted pentacenes
  申请人：Merck Patent GmbH

  公开号：US08318048B2

  公开（公告）日：2012-11-27

  The invention relates to a process of preparing substituted pentacenes, to novel pentacenes prepared by this process, to the use of the novel pentacenes as semiconductors or charge transport materials in optical, electrooptical or electronic devices including field effect transistors (FETs), electroluminescent, photovoltaic and sensor devices, and to FETs and other semiconducting components or materials comprising the novel pentacenes.

  本发明涉及一种制备取代基五苯并的方法，以及由该方法制备的新型五苯并，将该新型五苯并用作光学、电光或电子器件中的半导体或电荷传输材料，包括场效应晶体管（FET）、电致发光、光伏和传感器器件，并且涉及包含该新型五苯并的FET和其他半导体组件或材料。