trifluoromethoxysilane | 25711-11-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: trifluoromethoxysilane
• 英文别名: trifluoro-methoxy-silane；Methoxytrifluorosilan；Methoxytrifluorsilan；Trifluormethoxysilan；Methoxytrifluorosilane；trifluoro(methoxy)silane
• CAS: 25711-11-9
• 化学式: CH₃F₃OSi
• 分子量: 116.115
• InChiKey: RIUPFSSMDYFUGA-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  -44.9±9.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.122±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.98
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  trifluoromethoxysilane 、 三氯化硼 生成 甲氧基二氯硼烷
  参考文献：
  名称：

  甲氧基三氟硅烷的制备，性质及其与三卤化硼反应的研究

  摘要：

  MeOSiF 3当气态MeOSiCl形成3通过的SbF通过3 ; 它与BBr 3的反应为F 3 SiBr的制备提供了方便。类似地，BF 3和BCl 3分别产生SiF 4和F 3 SiCl。在这些反应中的另一产物是MeOBX 2（分别为X = Br，F，Cl），但甲氧基二溴化硼分解生成甲基溴和溴化硼。

  DOI：

  10.1016/0022-1902(70)80588-7
• 作为产物：
  描述：

  正硅酸甲酯 在 三氟化锑 作用下， 生成 trifluoromethoxysilane
  参考文献：
  名称：

  Noskov,V.G. et al., Journal of general chemistry of the USSR, 1972, vol. 42, p. 2025 - 2026

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: B: B-Verb.9, 3.2.6, page 67 - 74
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: B: B-Verb.9, 3.2.9, page 75 - 75
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Preparation and properties of methoxytrifluorosilane, and study of its reactions with boron trihalides
  作者：W. Airey、G.M. Sheldrick

  DOI：10.1016/0022-1902(70)80588-7

  日期：1970.6

  MeOSiF3 is formed when gaseous MeOSiCl3 is passed through SbF3; its reaction with BBr3 provides a convenient preparation of F3SiBr. Similarly BF3 and BCl3 yield SiF4 and F3SiCl respectively. The other product in these reactions is MeOBX2 (X = Br, F, Cl respectively), but the methoxy boron dibromide decomposes to give methyl bromide and boron oxybromides.

  MeOSiF 3当气态MeOSiCl形成3通过的SbF通过3 ; 它与BBr 3的反应为F 3 SiBr的制备提供了方便。类似地，BF 3和BCl 3分别产生SiF 4和F 3 SiCl。在这些反应中的另一产物是MeOBX 2（分别为X = Br，F，Cl），但甲氧基二溴化硼分解生成甲基溴和溴化硼。
• Noskov,V.G. et al., Journal of general chemistry of the USSR, 1972, vol. 42, p. 2025 - 2026
  作者：Noskov,V.G. et al.

  DOI：——

  日期：——