methylaminodimethylchlorosilane | 58962-61-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: methylaminodimethylchlorosilane
• 英文别名: Methylaminodimethylchlorsilan；N-[chloro(dimethyl)silyl]methanamine
• CAS: 58962-61-1
• 化学式: C₃H₁₀ClNSi
• 分子量: 123.658
• InChiKey: HTZIDVYZHDCJJF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  108 °C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.15
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  12
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  methylaminodimethylchlorosilane 、 lithium dimethylamide 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 生成 dimethylaminomethylaminodimethylsilane
  参考文献：
  名称：

  Volatile precursors for deposition of metals and metal-containing films

  摘要：

  本发明涉及一组新型同源八元环化合物，其中含有金属（比如铜）可逆地结合在环中，并含有碳、氮、硅和/或其他金属。该发明化合物的结构表示如下：其中M和M'各自是金属，如Cu、Ag、Au和Ir；X和X'可以是N或O；Y和Y'可以是Si、C、Sn、Ge、Al或B；Z和Z'可以是C、N或O。代表R1、R2、R3、R4、R5、R6、R1'、R2'、R3'、R4'、R5'和R6'的取代基将根据它们附着的环原子而变化。本发明还涉及在ALD或CVD条件下使用上述新型化合物作为前体在衬底上沉积金属和含金属薄膜。

  公开号：

  US06818783B2
• 作为产物：
  描述：

  lithium methylamide 、 二氯二甲基硅烷 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 methylaminodimethylchlorosilane
  参考文献：
  名称：

  Volatile precursors for deposition of metals and metal-containing films

  摘要：

  本发明涉及一组新型同源的八元环化合物，其中含有金属（例如铜）可逆地结合在环中，并含有碳、氮、硅和/或其他金属。该发明化合物的结构表示如下：1其中M和M'均为金属，如Cu、Ag、Au和Ir；X和X'可以是N或O；Y和Y'可以是Si、C、Sn、Ge或B；Z和Z'可以是C、N或O。由R1、R2、R3、R4、R5、R6、R1'、R2'、R3'、R4'、R5'和R6'表示的取代基将取决于它们附着的环原子。本发明还涉及使用上述新型化合物作为前体，在ALD或CVD条件下在基底上沉积金属和含金属的薄膜。

  公开号：

  US20020013487A1

文献信息

• Volatile precursors for deposition of metals and metal-containing films
  申请人：——

  公开号：US20020013487A1

  公开（公告）日：2002-01-31

  This invention is directed to a group of novel homologous eight membered ring compounds having a metal, such as copper, reversibly bound in the ring and containing carbon, nitrogen, silicon and/or other metals. A structural representation of the compounds of this invention is shown below: 1 wherein M and M′ are each a metal such as Cu, Ag, Au and Ir; X and X′ can be N or O; Y and Y′ can be Si, C; Sn, Ge, or B; and Z and Z′ can be C, N, or O. Substituents represented by R1, R2, R3, R4, R5, R6, R1′, R2′, R3′, R4′, R5′, and R6′ will vary depending on the ring atom to which they are attached. This invention is also directed to depositing metal and metal-containing films on a substrate, under ALD or CVD conditions, using the above novel compounds as precursors.

  本发明涉及一组新型同源的八元环化合物，其中含有金属（例如铜）可逆地结合在环中，并含有碳、氮、硅和/或其他金属。该发明化合物的结构表示如下：1其中M和M'均为金属，如Cu、Ag、Au和Ir；X和X'可以是N或O；Y和Y'可以是Si、C、Sn、Ge或B；Z和Z'可以是C、N或O。由R1、R2、R3、R4、R5、R6、R1'、R2'、R3'、R4'、R5'和R6'表示的取代基将取决于它们附着的环原子。本发明还涉及使用上述新型化合物作为前体，在ALD或CVD条件下在基底上沉积金属和含金属的薄膜。