t-butyl tin tris(diethylamide) | 103110-65-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机过渡后金属化合物
• 英文名称: t-butyl tin tris(diethylamide)
• 英文别名: tri(diethylamino)tert-butyltin；t-butyl-tris(diethylamino)stannane；Tert-butyltin(3+);diethylazanide；tert-butyltin(3+);diethylazanide
• CAS: 103110-65-2
• 化学式: C₁₆H₃₉N₃Sn
• 分子量: 392.216
• InChiKey: JZOYMKQPPHOUPB-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  122 °C(Press: 2 Torr)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.75
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  9.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-甲基-2-丁醇 、 t-butyl tin tris(diethylamide) 反应 0.5h， 以94%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  [EN] METHODS TO PRODUCE ORGANOTIN COMPOSITIONS WITH CONVENIENT LIGAND PROVIDING REACTANTS
  [FR] PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE COMPOSITIONS D'ORGANOÉTAIN AU MOYEN DE RÉACTIFS COMMODES FOURNISSANT UN LIGAND

  摘要：

  合成反应被描述为高效、特异地形成结构为RSnL3的化合物，其中R是与锡配位的有机配体，L是可水解的配体或其水解产物。该合成方法适用于广泛的R配体。该合成方法基于使用碱金属离子和可选的碱土金属（伪碱土金属）离子。化合物的结构由公式RSn（C≡CSiR'3）3，R'R"ACSnL3，其中A是卤素原子（F、Cl、Br或I）或至少有一个卤素取代基的芳香环，R'R"（R'"O）CSnL3或R'R"（N≡C）CSnZ3表示。

  公开号：

  WO2022046736A1
• 作为产物：
  描述：

  四(二乙氨基)锡 在 叔丁基锂 作用下， 以 乙醚 、 正戊烷 为溶剂， 以93%的产率得到t-butyl tin tris(diethylamide)
  参考文献：
  名称：

  Synthese der ersten mono-t-butylzinnelementverbindungen

  摘要：

  DOI：

  10.1016/0022-328x(85)80287-4

文献信息

• SEMICONDUCTOR PHOTORESIST COMPOSITION, METHOD FOR PREPARING THEREOF AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION
  申请人：Samsung SDI Co., Ltd.

  公开号：US20220194968A1

  公开（公告）日：2022-06-23

  A semiconductor photoresist composition includes an organotin compound represented by Chemical Formula 1, and a solvent. A method for preparing the same, and a method of forming patterns utilizing the same are disclosed. Specific details of Chemical Formula 1 are as defined in the specification.

  一种半导体光刻胶组合物，包括由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂。公开了制备该组合物的方法以及利用该组合物形成图案的方法。化学式1的具体细节在规范中定义。
• HAENSSGEN, D.;PUFF, H.;BECKERMANN, N., J. ORGANOMET. CHEM., 1985, 293, N 2, 191-195
  作者：HAENSSGEN, D.、PUFF, H.、BECKERMANN, N.

  DOI：——

  日期：——