报道了具有吸电子苯并噻二唑部分的新四硫富瓦烯衍生物的合成及其在薄膜有机场效应晶体管(OFET)中的用途。与报道的具有其他TTF衍生物的OFET相比,已证明其空穴迁移率高达0.73 cm 2 V -1 s -1,低的关断电流和高的开/关比高达10 5。此外,已开发的OFETs对DECP(氯代磷酸二乙酯)或POCl 3的化学蒸气具有快速响应性,后者是基于磷酸盐的神经毒剂的模拟物。与以前报道的基于OFET的传感器相比,关断电流被用作输出信号,当暴露于DECP或POCl 3时它会迅速增加蒸气。已证明对DECP和POCl 3蒸气具有高灵敏度,可检测到低至10 ppb的浓度。这些OFET也对TNT蒸气有反应。讨论了新型OFET的传感机制。