4-(叔丁基)苯基 6-重氮基-5,6-二氢-5-氧代萘-1-磺酸酯 | 31600-99-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 中文名称: 4-(叔丁基)苯基 6-重氮基-5,6-二氢-5-氧代萘-1-磺酸酯
• 中文别名: 4-(叔丁基)苯基6-重氮基-5,6-二氢-5-氧代萘-1-磺酸酯
• 英文名称: 4-tert-butylphenyl 2-diazo-1-oxo-1,2-dihydronaphthalene-5-sulfonate
• 英文别名: 4-t-butylphenyl 2-diazo-1-oxo-1,2-dihydronaphthalene-5-sulphonate；5-Sulfo-1,2-naphthoquinone 2-diazide p-tert-butylphenyl ester；p-tert-butylphenyl 2-diazido-1,2-naphthoquinone-5-sulfonate；Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-sulfonsaeure-(5)-(4-t-butyl-phenyl)-ester; 1-Oxo-2-diazo-1,2-dihydro-naphthalinsulfonsaeure-(5)-(4-t-butyl-phenyl)ester；1,2-Naphthochinon-2-diazid-5-sulfonsaeure-p-tert.-butylphenylester；5-(p-t-Butyl-phenoxysulfonyl)-naphthochino-diazid-(1,2)；1-Naphthalenesulfonic acid, 6-diazo-5,6-dihydro-5-oxo-, 4-(1,1-dimethylethyl)phenyl ester；5-(4-tert-butylphenoxy)sulfonyl-2-diazonionaphthalen-1-olate
• CAS: 31600-99-4
• 化学式: C₂₀H₁₈N₂O₄S
• 分子量: 382.44
• InChiKey: XPOZBIYYMBIUAO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.9
• 重原子数：
  27
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.2
• 拓扑面积：
  103
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-(叔丁基)苯基 6-重氮基-5,6-二氢-5-氧代萘-1-磺酸酯 以40%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  CAXAPOBA N. A.; EHRLIX R. D., ZH. BCEC. XIM. O-BA IM. D. I. MENDELEEVA, 1981, 26, HO 3, 340-341

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Semiconductor devices, semiconductor packages and methods of forming the same
  申请人：Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

  公开号：US10665545B2

  公开（公告）日：2020-05-26

  Semiconductor devices, semiconductor packages and methods of forming the same are provided. One of the semiconductor device includes a dielectric layer and a connector. The dielectric layer includes a dielectric material and an additive, wherein the additive includes a compound represented by Chemical Formula 1. The connector is disposed in the dielectric layer.

  本文提供了半导体器件、半导体封装及其形成方法。其中一种半导体器件包括介电层和连接器。介电层包括介电材料和添加剂，其中添加剂包括由化学式 1 表示的化合物。连接器设置在介电层中。
• Semiconductor devices and methods of forming the same
  申请人：Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

  公开号：US11049812B2

  公开（公告）日：2021-06-29

  A semiconductor device includes a dielectric layer and a conductive structure in the dielectric layer. The dielectric layer includes a dielectric material and a compound represented by Chemical Formula 1. In Chemical Formula 1, R is the same as defined in the specification.

  一种半导体器件包括介电层和介电层中的导电结构。介电层包括一种介电材料和一种由化学式 1 表示的化合物。在化学式 1 中，R 与说明书中的定义相同。
• Ried,W.; Appel,H., Zeitschrift fur Naturforschung. Teil B: Chemie, Biochemie, Biophysik, Biologie, 1960, vol. 15, p. 684 - 686
  作者：Ried,W.、Appel,H.

  DOI：——

  日期：——
• Ponomareva, R. P.; Komagorov, A. M.; Andronova, N. A., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1980, vol. 16, p. 140 - 149
  作者：Ponomareva, R. P.、Komagorov, A. M.、Andronova, N. A.

  DOI：——

  日期：——
• Ried,W.; Appel,H., Justus Liebigs Annalen der Chemie, 1961, vol. 646, p. 82 - 95
  作者：Ried,W.、Appel,H.

  DOI：——

  日期：——