Cobalt--gallium (1/3) | 12052-29-8

• 分子结构分类: 无机化合物
• 英文名称: Cobalt--gallium (1/3)
• 英文别名: cobalt;gallane
• CAS: 12052-29-8
• 化学式: CoGa₃
• 分子量: 268.162
• InChiKey: GLVYVGKCRALZCA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.55
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Cobalt--gallium (1/3) 、 以 melt 为溶剂， 生成 、
  参考文献：
  名称：

  Three Novel Phases in the Sm−Co−Ga System. Syntheses, Crystal and Electronic Structures, and Electrical and Magnetic Properties

  摘要：

  This paper presents the synthesis, identification, and characterization of three novel phases in the ternary system Sm-Co-Ga: SmCoGa5 (tP7, HoCoGa5 type, tetragonal P4/mmm, Z = 1, a = 4.2419(3) angstrom, and c = 6.8559(5) angstrom), Sm4Co3Ga16 (tP23, tetragonal P4/mmm, Z = 1, a = 6.0620(5) angstrom, and c = 11.1495(9) angstrom), and SmCoGa4 (oC24, YNiAl4 type, orthorhombic Cmcm, Z = 4, a = 4.1246(6) angstrom, b = 15.608(2) angstrom, and c = 6.4556(9) angstrom). The structure of SmCoGa5 was obtained from a multiphase X-ray powder Rietveld refinement whereas the crystal structures of the other two phases were determined from single-crystal X-ray analysis. Electronic structures were calculated for all phases by first-principles DFT methods. The atomic arrangements and bonding are discussed on the basis of the partial anionic networks involving Co and Ga atoms, and a strong structural correlation is observed between SmCoGa5 and Sm4Co3Ga16. The latter, which displays paramagnetic behavior, has a resistivity of 4.2 mu Omega center dot cm at 3 K and undergoes a superconducting transition at 2.8 K.

  DOI：

  10.1021/ic0700755
• 作为产物：
  描述：

  氢化镓 、 氢化铕 、 钴 以 melt 为溶剂， 以0%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Fritsch, V.; Bobev, S.; Moreno, N. O., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics, p. 1 - 4

  摘要：

  DOI：

文献信息

• REMGa₃Ge and RE₃Ni₃Ga₈Ge₃ (M = Ni, Co; RE = Rare-Earth Element):  New Intermetallics Synthesized in Liquid Gallium. X-ray, Electron, and Neutron Structure Determination and Magnetism
  作者：Marina A. Zhuravleva、Robert J. Pcionek、Xiaoping Wang、Arthur J. Schultz、Mercouri G. Kanatzidis

  DOI：10.1021/ic0341892

  日期：2003.10.1

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• Kinetics of Oxidation Processes in the System Co/Ga studied byin situ X-Ray Diffraction
  作者：Ulrich Koops、Manfred Martin

  DOI：10.1002/zaac.200300141

  日期：2003.9

  Gemenge von cobalt- und galliumhaltigen Oxiden. Dagegen wird bei der Oxidation der intermetallischen Phasen CoGa und CoGa3 nur Gallium oxidiert, und es bilden sich dichte Deckschichten aus β-Ga2O3. In allen Fallen sind die gebildeten Oxide nur Zwischenprodukte auf dem Weg zum thermodynamischen Gleichgewicht, welches der Totaloxidation beider Metalle entspricht. Die Kinetik der Oxidation der intermetallischen

  通过原位 X 射线衍射在 800 到 1000 °C 之间的温度下研究了 Co/Ga 系统中的氧化过程。使用金属粉末和平面基材进行实验。富钴合金 Co1-xGax 的氧化导致形成含钴和镓氧化物的混合物。在金属间化合物 CoGa 和 CoGa3 的氧化过程中，只有镓被氧化，并形成了致密的 β-Ga2O3 失去光泽层。在所有情况下，氧化物产物只是达到热力学平衡的中间产物，即两种金属的完全氧化。通过时间分辨原位 X 射线衍射详细研究了金属间化合物 CoGa 氧化过程中的动力学。在诱导时间之后，动力学可以通过具有 312 kJ mol-1 活化能的抛物线速率定律来描述。从抛物线速率常数随着氧分压的降低而减小以及在金属-氧化物界面处孔形成的观察可以得出结论：(i) Ga 离子通过 β- 向外扩散是此过程中的速率决定步骤固态反应，以及 (ii) Ga 离子可通过镓空位移动。Untersuchungen
• Structural Versatility of the ε-SmGa_<i>x</i> Phase: X-Ray, Electron Diffraction, and DFT Studies
  作者：Monique Tillard、David Zitoun、Claude Belin

  DOI：10.1021/ic801379c

  日期：2009.3.16

  Two new compounds, SmGa2.67 (hexagonal, P (6) over bar 2c, Z = 15, a = 12.861(2), c = 8-4402(8) angstrom) and SmGa3.64 (orthorhombic, Fmmm, Z = 24, a = 8.493(1), b = 14.912(2), c = 17.080(2) angstrom), have been synthesized and identified in the Sm-Ga system and their crystal structures solved and refined from single-crystal X-ray diffraction. These structures display consistent atomic disorder. Electronic structures have been calculated using first-principle DFT methods with ordered models. Atomic arrangements and bonding are analyzed on the basis of gallium partial anionic networks; they are compared with those of some analogous compounds in the other lanthanide-gallium systems.