开发了一种简单的方法,通过原位构建富氧空位的MoO 3− x /多孔gC 3 N 4异质结来增强协同光催化析氢。将MoO 3− x前驱体(Mo(OH) 6 )溶液引入gC 3 N 4纳米片中有助于形成多孔结构,纳米尺寸的富氧空位MoO 3− x原位生长并形成异质结gC 3 N 4 ,有利于电荷分离和光催化析氢(HER)。优化复合材料中MoO 3− x前驱体的含量导致最大光催化H 2析出速率为4694.3 μmol g -1 h -1 ,大约是纯gC 3 N 4的4倍(1220.1 μmol g -1小时-1 )。氧空位(OV)的存在可能会产生富电子金属位点。高孔隙率在孔隙边缘引起更多的活性位点。两者协同增强了光催化 HER 性能。 我们的研究不仅提出了一种形成纳米级异质结的简便方法,而且还通过高孔隙率和有效的 OV 电荷分离引入了更多的活性位点。
开发了一种简单的方法,通过原位构建富氧空位的MoO 3− x /多孔gC 3 N 4异质结来增强协同光催化析氢。将MoO 3− x前驱体(Mo(OH) 6 )溶液引入gC 3 N 4纳米片中有助于形成多孔结构,纳米尺寸的富氧空位MoO 3− x原位生长并形成异质结gC 3 N 4 ,有利于电荷分离和光催化析氢(HER)。优化复合材料中MoO 3− x前驱体的含量导致最大光催化H 2析出速率为4694.3 μmol g -1 h -1 ,大约是纯gC 3 N 4的4倍(1220.1 μmol g -1小时-1 )。氧空位(OV)的存在可能会产生富电子金属位点。高孔隙率在孔隙边缘引起更多的活性位点。两者协同增强了光催化 HER 性能。 我们的研究不仅提出了一种形成纳米级异质结的简便方法,而且还通过高孔隙率和有效的 OV 电荷分离引入了更多的活性位点。