近来,聚合物场效应晶体管发展迅速。然而,人们对电荷传输机制和结构-性质关系的了解却很少。在这里,我们使用强电子不足的苯并二
呋喃二酮基聚对苯撑亚
乙烯基(B
DPPV)作为聚合物主链,并开发了六种具有各种侧链支化位置的B
DPPV基聚合物(B
DPPV-C1至C6),以系统地研究侧链。链对设备性能的影响。所有聚合物均表现出环境稳定的n型传输行为,其最高电子迁移率高达1.40 cm 2 V -1 s -1。系统地研究了所有六种聚合物的薄膜形态和微观结构。我们的结果表明,随着分支位置从聚合物主链移开,链间π-π堆积距离减小,对于B
DPPV-C4至C6,空前的π-π堆积距离降低至3.38Å。。然而,更近的π-π堆积距离并不总是与更高的电子迁移率相关。均受侧链支化位置影响的聚合物结晶度,薄膜无序性和聚合物堆积构象证明对器件性能具有显着影响。我们的研究不仅揭示了π–π堆积距离不是共轭聚合物中载流子迁移率的决定