摘要:
通过选择性偶联两个强亲电键形成硅碳键的研究较少。我们在此报告了硅烷化反应,该反应通过强 Si-Cl/C-O 键的偶联进行,该过程由铬催化通过 α-无控制的 SiH → Cr 相互作用促进,从而允许在环境条件下形成 Si-C 键。该反应通过廉价的氢氯硅烷与未活化的芳基羧酸酯偶联而发生,得到芳基化氢硅烷,同时抑制侧氢化物介导的芳基羧酸酯的还原,从而实现高化学选择性。除了单甲硅烷基化外,氢二氯硅烷的两个偕Si-Cl键与芳基C-O键顺利偶联,形成两个Si-C键并实现双甲硅烷基化。还描述了通过氢氯硅烷与二酯的两个 C-O 键偶联形成乙硅烷。实验和理论研究表明,甲硅烷基化反应是通过氢氯硅烷与 Cr 的反应引发的,其中 SiH 基团与 Cr 的 α-agostic SiH 相互作用稳定了相关的中间体和过渡态,导致 Si-Cl 键被 Cr 裂解。硅铬酸盐的屏障低。未活化的 C-O 键与 Cr 的进一步断裂