本发明公开了一种具有定位效应的
三氮唑并
吡啶类受体、其聚合物以及它们的应用。所提供的聚合物其结构式如式I所示。以本发明
三氮唑并
吡啶类聚合物为半导体层制备的有机场效应晶体管(OFETs)有较高的空穴迁移率(最高为9×10‑3cm2V‑1s‑1),在有机场效应晶体管中具有良好的应用前景。本发明提供的具有定位效应的
三氮唑并
吡啶(简称TP)类受体及其聚合物,通过实验证明了
吡啶上的氮原子具有定位作用,并进一步研究了该类聚合物在OFETs中的应用。本发明具有定位效应的
三氮唑并
吡啶类聚合物进一步扩展了高性能的半导体材料的种类,在有机光电子器件中具有良好的应用前景。