bis(t-butyldimethylsilyl)tellurium | 80594-86-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: bis(t-butyldimethylsilyl)tellurium
• 英文别名: 1,3-di-tert-butyl-1,1,3,3-tetramethyldisilatellurane；((t)BuMe2Si)2Te；tert-butyl-[tert-butyl(dimethyl)silyl]tellanyl-dimethylsilane
• CAS: 80594-86-1
• 化学式: C₁₂H₃₀Si₂Te
• 分子量: 358.141
• InChiKey: CAVAEBYVTLUQIF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.7
• 重原子数：
  15.0
• 可旋转键数：
  2.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  高纯二甲基镉 、 bis(t-butyldimethylsilyl)tellurium 以 further solvent(s) 为溶剂， 生成 cadmium telluride
  参考文献：
  名称：

  Murray; Norris; Bawendi, Journal of the American Chemical Society, 1993, vol. 115, # 19, p. 8706 - 8715

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  叔丁基二甲基氯硅烷 在 碲化氢 、 三乙基硼氢化锂 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 6.0h， 以79%的产率得到bis(t-butyldimethylsilyl)tellurium
  参考文献：
  名称：

  Bis(trialkylsilyl) chalcogenides. 1. Preparation and reduction of group VIA oxides

  摘要：

  DOI：

  10.1021/jo00346a041
• 作为试剂：
  描述：

  alpha-氯乙酰苯 在 potassium fluoride 、 bis(t-butyldimethylsilyl)tellurium 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 24.0h， 以75%的产率得到苯乙酮
  参考文献：
  名称：

  Selenium and Tellurium Chalcogenides as Mild and Efficient Reducing Agents for α-Halo Ketones

  摘要：

  DOI：

  10.1055/s-1998-2130

文献信息

• Surface derivatization and isolation of semiconductor cluster molecules
  作者：M. L. Steigerwald、A. P. Alivisatos、J. M. Gibson、T. D. Harris、R. Kortan、A. J. Muller、A. M. Thayer、T. M. Duncan、D. C. Douglass、L. E. Brus

  DOI：10.1021/ja00218a008

  日期：1988.5

  modification of the surface of these cluster compounds. In particular we show how the clusters grow in the presence of added reagents and how the surface may be terminated and passivated by the addition of organoselenides. Passivation of the surface allows for the removal of the cluster molecules from the reaction medium and the isolation of organometallic molecules which are zinc blende CdSe clusters terminated

  我们描述了在反胶束溶液中使用有机金属试剂合成纳米尺寸的 CdSe 喷粉剂，并对这些簇化合物的表面进行化学改性。我们特别展示了在添加试剂存在下簇如何生长以及如何通过添加有机硒化物终止和钝化表面。表面的钝化允许从反应介质中去除簇分子并分离有机金属分子，这些分子是由共价连接的有机配体终止的闪锌矿 CdSe 簇。报告了通过共振拉曼光谱、红外光谱和核磁共振光谱、X 射线衍射、透射电子显微镜和尺寸排阻色谱进行的初步簇表征。
• Atomic Layer Deposition of Metal Tellurides and Selenides Using Alkylsilyl Compounds of Tellurium and Selenium
  作者：Viljami Pore、Timo Hatanpää、Mikko Ritala、Markku Leskelä

  DOI：10.1021/ja8090388

  日期：2009.3.18

  germanium antimony telluride (GST) has been attempted only using plasma-assisted processes owing to the lack of appropriate tellurium precursors. In this paper we make a breakthrough in the development of new ALD precursors for tellurium and selenium. Compounds with a general formula (R3Si)2Te and (R3Si)2Se react with various metal halides forming the corresponding metal tellurides and selenides. As

  金属硒化物和碲化物薄膜的原子层沉积 (ALD) 一直受到限制，因为缺乏同时安全且表现出 ALD 所需的高反应性的前体。然而，有许多重要的金属硒化物和碲化物薄膜材料通过 ALD 沉积可能是有益的，例如用于太阳能电池的 CuInSe2 和用于相变随机存取存储器的 Ge2Sb2Te5。特别是在后一种情况下，ALD 提供的高度保形沉积对于高存储密度至关重要。到目前为止，由于缺乏合适的碲前体，只能使用等离子体辅助工艺尝试对碲化锗锑 (GST) 进行 ALD。在本文中，我们在碲和硒的新 ALD 前体的开发方面取得了突破。具有通式 (R3Si)2Te 和 (R3Si)2Se 的化合物与各种金属卤化物反应形成相应的金属碲化物和硒化物。例如，我们展示了 Sb2Te3、GeTe 和 GST 薄膜可以使用 (Et3Si)2Te、SbCl3 和 GeCl2 x C4H8O2 化合物作为前体通过 ALD 沉积。所有三种前体都表现出典型的饱和
• Haas, Alois; Kutsch, H.-Juergen, Chemische Berichte, 1988, vol. 121, p. 803 - 804
  作者：Haas, Alois、Kutsch, H.-Juergen

  DOI：——

  日期：——
• Angermaier, Klaus; Schmidbaur, Hubert, Zeitschrift fur Naturforschung, B: Chemical Sciences, 1996, vol. 51, # 6, p. 879 - 882
  作者：Angermaier, Klaus、Schmidbaur, Hubert

  DOI：——

  日期：——
• Chalkogen-Derivate der Halbsandwich-Wolfram(V)-Komplexe Cp*WCl4 und Cp*WCl4(PMe3). Röntgen-Kristallstrukturanalysen vonanti-[Cp*W(Se)(μ-Se)]2 und Cp*W(S)2(OMe)
  作者：Max Herberhold、Guo-Xin Jin、Wolfgang Milius

  DOI：10.1002/1521-3749(200108)627:8<1759::aid-zaac1759>3.0.co;2-v

  日期：2001.8

  The chalcogenation Of CP*WCl4 (1) by E(SiMe3)(2) (E = S, Se) and Te((SiMe2Bu)-Bu-t)2 in chloroform solution leads to dimeric products of the type anti-[Cp*W(E)(mu -E)](2) (E = S (3a), Se (3b) and Te (3c)). An X-ray structure determination of 3b indicates a centrosymmetric molecule containing a planar W(mu -Se)(2)W ring, the W-W distance (297.9(1) pm) corresponds to a single bond. In the presence of air the two terminal chalcogenido ligands (E) in 3a-c are stepwise replaced by oxido ligands (O) to give [CP*W(O)(mu -E)](2) (E = S (5a), Se (5b) and Te (5c)) in quantitative yields.The reaction Of CP*WCl4 with H2S or ammonium polysulfide, (NH4)(2)S-x (x similar to 10), leads to Cp*W(S)(2)Cl (6a); the corresponding methoxy derivative, CP*W(S)(2)OCH3 (9a), has been characterized by an X-ray structure analysis. On the other hand, the reaction Of Cp*WCl4(PMe3) (2) with sodium tetrasulfide, Na2S4, in dimethylformamide solution gives a mixture of mononuclear Cp*W(S)(S-2)Cl (8a), dinuclear [Cp*W(S)(mu -S)](2) (3a) and a trinuclear side-product of composition Cp*W3S7 (13a). Terminal sulfido ligands are replaced by terminal oxido ligands in solution in the presence of oxygen. Thus, 6a is stepwise converted into Cp*W(O)(S)Cl (10a) and CpW(O)(2)Cl (12a), whereas 8a gives CP*W(O)(S-2)Cl (11a) and 13a leads to Cp*W-3(O)S-6 (14a). The disulfido complexes 8a and 11a are desulfurized by triphenylphosphane to give 6a and 10a. The new complexes have been characterized by their IR and NMR spectra and by mass spectrometry.