tris(trimethylsilyl)bismuth | 81183-20-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tris(trimethylsilyl)bismuth
• 英文别名: tris(trimethylsilyl)bismuthane；tris(trimethylsilyl)bismuthan；Bi(SiMe3)3
• CAS: 81183-20-2
• 化学式: C₉H₂₇BiSi₃
• 分子量: 428.55
• InChiKey: AYBGNRJMEGFSPT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.73
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tris(trimethylsilyl)bismuth 在 THF 、 BrCH₂CH₂Br 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 、 正戊烷 为溶剂， 生成 tetrakis(trimethylsilyl)dibismutane
  参考文献：
  名称：

  Becker, Gerd; Roessler, Michael, Zeitschrift fur Naturforschung, Teil B: Anorganische Chemie, Organische Chemie, 1982, vol. 37, # 1, p. 91 - 96

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 tris(trimethylsilyl)bismuth 、 三甲基镓
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and X-ray Crystal Structure of [Me₂GaBi(SiMe₃)₂]₃

  摘要：

  [Me2GaBi(SiMe3)(2)](3) (1) was synthesized in high yield by the equimolar reaction of Me2GaH and Bi-(SiMe3)(3) and characterized by mass and multinuclear NMR spectroscopy and by single-crystal X-ray diffraction. [Me2GaBi(SiMe3)(2)](3) represents the first Ga-Bi heterocycle, closing the gap on structurally characterized Ga-pnicogen compounds. The described reaction demonstrates the potential application of dialkylgallanes to serve as powerful synthons in organometallic syntheses requiring mild reaction conditions.

  DOI：

  10.1021/om0202569

文献信息

• [Me2AlBi(SiMe3)2]3—The First Structurally Characterized Organometallic Compound Containing a Bond between an Element of Group 13 and Bi
  作者：Stephan Schulz、Martin Nieger

  DOI：10.1002/(sici)1521-3773(19990401)38:7<967::aid-anie967>3.0.co;2-c

  日期：1999.4.1

  Dehydrosilylation of Bi(SiMe3 )3 with Me2 AlH gave the title compound. This has a trimeric structure, the central unit of which is a six-membered Al3 Bi3 ring (see structure). In agreement with the VSEPR model the angles are greater at the Al centers and smaller at the Bi centers.

  Bi（SiMe 3）3与Me 2 AlH的脱氢硅烷化得到标题化合物。它具有三聚体结构，其中心单元是六元Al 3 Bi 3环（请参见结构）。与VSEPR模型一致，Al中心的角度较大，Bi中心的角度较小。
• Synthesis, X-ray Crystal Structure, and Stability of Novel Trialkylalane−Triorganylbismuthane Adducts
  作者：Andreas Kuczkowski、Stephan Schulz、Martin Nieger

  DOI：10.1002/1099-0682(200109)2001:10<2605::aid-ejic2605>3.0.co;2-x

  日期：2001.9

  Reactions of trialkylalanes AlR3 (R = Me, Et, tBu) and triorganylbismuthanes BiR′3 (R′ = iPr, SiMe3) were performed and the products investigated both in solution and in the solid state. Et3Al−Bi(SiMe3)3 (2), tBu3Al−Bi(SiMe3)3 (3), and tBu3Al−Bi(iPr)3 (6) are stable Lewis acid−base adducts in pure form while only 3 and 6 are adducts in solution. Their dissociation enthalpies, as determined by temperature-dependent

  进行了三烷基丙烷 AlR3（R = Me、Et、tBu）和三有机基铋 BiR'3（R' = iPr、SiMe3）的反应，并在溶液和固态下研究了产物。Et3Al−Bi(SiMe3)3 (2)、tBu3Al−Bi(SiMe3)3 (3) 和 tBu3Al−Bi(iPr)3 (6) 是稳定的纯路易斯酸碱加合物，而只有 3 和 6 是加合物在解决方案中。它们的解离焓，由依赖于温度的 NMR 光谱确定，估计为 6.3 (3) 和 6.9 kcal/mol (6)。相比之下，Me3Al−Bi(SiMe3)3 (1)、Et3Al−Bi(SiMe3)3 (2)、Me3Al−Bi(iPr)3 (4) 和 Et3Al−Bi(iPr)3 (5) 是完全离解的在解决方案中。化合物 1-6 通过多核 NMR 光谱 (1H, 13C)、质谱和元素分析进行​​表征。此外，通过单晶X射线衍射确定了2和6的晶体结构。
• Synthese und Kristallstruktur von [(Me3Si)2BiCu(PMe3)3], dem ersten Komplex mit einer Bismut—Kupfer-Bindung
  作者：Dieter Fenske、Alexander Rothenberger、Stephan Wieber

  DOI：10.1002/zaac.200300062

  日期：2003.6

  Synthesis and Crystal Structure of [(Me3Si)2BiCu(PMe3)3] — the First Complex with a Bismuth—Copper Bond The reaction of CuOt Bu with PMe3 and Bi(SiMe3)3 in hexane yields the phosphine-stabilized complex [(Me3Si)2Bi-Cu( PMe3)3]. This synthesis gave rise to the first binuclear Bi—Cu compound to be structurally characterized by X-ray crystallography.

  [(Me3Si)2BiCu(PMe3)3] 的合成和晶体结构——第一个具有铋-铜键的配合物 CuOt Bu 与 PMe3 和 Bi(SiMe3)3 在己烷中的反应产生了膦稳定的配合物 [(Me3Si) 2Bi-Cu(PMe3)3]。这种合成产生了第一个通过 X 射线晶体学进行结构表征的双核 Bi-Cu 化合物。
• Actinide-Pnictide (An−Pn) Bonds Spanning Non-Metal, Metalloid, and Metal Combinations (An=U, Th; Pn=P, As, Sb, Bi)
  作者：Thomas M. Rookes、Elizabeth P. Wildman、Gábor Balázs、Benedict M. Gardner、Ashley J. Wooles、Matthew Gregson、Floriana Tuna、Manfred Scheer、Stephen T. Liddle

  DOI：10.1002/anie.201711824

  日期：2018.1.26

  characterisation is presented of the compounds [An(TrenDMBS)Pn(SiMe3)2}] and [An(TrenTIPS)Pn(SiMe3)2}] [TrenDMBS=N(CH2CH2NSiMe2But)3, An=U, Pn=P, As, Sb, Bi; An=Th, Pn=P, As; TrenTIPS=N(CH2CH2NSiPri3)3, An=U, Pn=P, As, Sb; An=Th, Pn=P, As, Sb]. The U−Sb and Th−Sb moieties are unprecedented examples of any kind of An−Sb molecular bond, and the U−Bi bond is the first two‐centre‐two‐electron (2c–2e) one. The Th−Bi

  介绍了化合物[An(Tren DMBS )Pn(SiMe 3 ) 2 }]和[An(Tren TIPS )Pn(SiMe 3 ) 2 }][Tren DMBS =N(CH 2 CH 2 )的合成和表征NSiMe 2 But ) 3、An=U、Pn=P、As、Sb、Bi ；An=Th，Pn=P，As；Tren TIPS =N(CH 2 CH 2 NSiPr i 3 ) 3 , An=U, Pn=P, As, Sb; An=Th，Pn=P，As，Sb]。U−Sb 和 Th−Sb 部分是任何类型的 An−Sb 分子键中前所未有的例子，而 U−Bi 键是第一个双中心双电子 (2c–2e) 键。Th−Bi 组合太不稳定而无法分离，这凸显了这些联系的脆弱性。然而，U−Bi 配合物是环境条件下宏观尺度上涉及锕系元素的两种元素中最重的 2c–2e 配对，只有在低温基质隔离条件下制备的 An−An 配对
• Precursors For GST Films In ALD/CVD Processes
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：US20150140790A1

  公开（公告）日：2015-05-21

  The present invention is a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy (GST) or germanium-bismuth-tellurium (GBT) film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film. The invention is also related to making antimony alloy with other elements using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony or silylbismuth precursor is used as a source of antimony or bismuth.

  本发明涉及一种使用原子层沉积或化学气相沉积中的一种工艺制备锗锑碲合金（GST）或锗铋碲（GBT）薄膜的方法，其中使用硅基锑前体作为合金薄膜中锑的来源。本发明还涉及使用从组中选择的原子层沉积或化学气相沉积中的一种工艺制备含锑或铋的合金，其中使用硅基锑或硅基铋前体作为锑或铋的来源。