【課題】研磨材中のみならずドーピング剤中の金属原子による半導体ウェーハの汚染をも効果的に防止し得る半導体ウェーハ用研磨組成物の提供。【解決手段】水、粒状アモルファスシリカ、及び水溶性キレート剤を含有し、且つアルカリ性化合物によってpH9.0以上に調整されてなる半導体ウェーハ用研磨組成物において、前記水溶性キレート剤が、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、N,N−ジエチルジチオカルバミン酸アンモニウム、及びヘキサメチレンアンモニウムヘキサメチレンチオカルバマートから選ばれる1種類以上である。【選択図】なし
问题在于提供一种用于半导体晶片的抛光组合物,它能有效防止掺杂剂中的
金属原子以及研磨材料中的
金属原子污染半导体晶片。该组合物含有
水、颗粒状无定形
二氧化硅和
水溶性
螯合剂,并用碱性化合物调节 pH 值至 9.0 或以上,其中所述
水溶性
螯合剂包括
吡咯烷
二硫代氨基甲酸铵、N,N-
二乙基二硫代氨基甲酸铵和六亚甲基
硫代
氨基甲酸铵中的一种或多种。无。