4-ethoxy-naphthalene-1-sulfonic acid | 172304-90-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 4-ethoxy-naphthalene-1-sulfonic acid
• 英文别名: 4-Aethoxy-naphthalin-1-sulfonsaeure；4-Ethoxynaphthalene-1-sulfonic acid
• CAS: 172304-90-4
• 化学式: C₁₂H₁₂O₄S
• 分子量: 252.291
• InChiKey: PMPLWDDMMDSMCW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 密度：
  1.350±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.3
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.17
• 拓扑面积：
  72
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-ethoxy-naphthalene-1-sulfonic acid 生成 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid
  参考文献：
  名称：

  Witt; Schneider, Chemische Berichte, 1901, vol. 34, p. 3172

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  1-乙氧基萘 在 硫酸 作用下， 生成 4-ethoxy-naphthalene-1-sulfonic acid
  参考文献：
  名称：

  Witt; Schneider, Chemische Berichte, 1901, vol. 34, p. 3172

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Positive photosensitive composition
  申请人：Kodama Kunihiko

  公开号：US20070003871A1

  公开（公告）日：2007-01-04

  A positive photosensitive composition comprises a compound capable of generating a specified sulfonic acid upon irradiation with one of an actinic ray and radiation and (B) a resin capable of decomposing under the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer.

  一种正性光敏组合物包括一种化合物，该化合物能够在接受活性光线或辐射照射后产生一种指定的磺酸，并且（B）一种树脂，该树脂在酸作用下分解以增加在碱性显影剂中的溶解度。
• Maikopar, Zhurnal Russkago Fiziko-Khimicheskago Obshchestva, 1870, vol. 2, p. 126
  作者：Maikopar

  DOI：——

  日期：——
• Heermann, Journal fur praktische Chemie (Leipzig 1954), 1894, vol. <2>49, p. 130
  作者：Heermann

  DOI：——

  日期：——
• DE88843
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Near Infrared Ray Activation Type Positive Resin Composition
  申请人：Imai Genji

  公开号：US20070259279A1

  公开（公告）日：2007-11-08

  A near infrared ray activation type positive resist composition comprising (A) a vinyl-based polymer having a monomer unit having an alkali-soluble group blocked by an ether having an alkenyl group next to an ether oxygen, (B) a photothermal converting substance generating heat by a light in the near infrared region, (C) a thermal acid generator generating an acid by heat, can provide a near infrared ray activation type positive resist composition which can be subjected to an exposure treatment in a complete bright room such as under a white light and the like, gives desired sensitivity and resolution, and of which baking treatment conditions can be relaxed or a baking treatment can be omitted, and a pattern formation method using the same.