4,5-dibromo-4',5'-(ethylenedithio)tetrathiafulvalene | 163774-25-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 二硫醇
• 英文名称: 4,5-dibromo-4',5'-(ethylenedithio)tetrathiafulvalene
• 英文别名: 4,5-dibromo-4',5'-ethylenedithiotetrathiafulvalene；dibromo(ethylenedithio)tetrathiafulvalene；dibromo-ethylenedithiotetrathiafulvalene；EDT-TTFBr2；2-(4,5-Dibromo-1,3-dithiol-2-ylidene)-5,6-dihydro-[1,3]dithiolo[4,5-b][1,4]dithiine
• CAS: 163774-25-2
• 化学式: C₈H₄Br₂S₆
• 分子量: 452.324
• InChiKey: GNJANNOEGVYIQC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.5
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  152
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetra-n-butylammonium iron tetrabromide 、 4,5-dibromo-4',5'-(ethylenedithio)tetrathiafulvalene 以 氯苯 为溶剂， 生成 (EDT-TTFBr2)2FeBr4
  参考文献：
  名称：

  d-电子诱导的基于溴化TTF供体的pi-d相互作用系统的负磁阻。

  摘要：

  基于溴化TTF型的新型pi-d相互作用系统（EDT-TTFBr2）2FeBr4（EDT-TTFBr2 = 4,5-二溴-4'，5'-乙撑二硫代四硫富瓦烯）及其非磁性阴离子类似物（EDT-TTFBr2）2GaBr4对有机供体进行了研究。准1Dπ电子系统的盐是金属的，其中金属绝缘子跃迁分别发生在FeBr4-和GaBr4-盐的约20和70 K处，其中低温绝缘状态与电荷有序或莫特绝缘子，然后在较低温度下进行反铁磁转变。FeBr4-盐的特征是在Neel温度（TN）= 11 K时阴离子d自旋具有反铁磁跃迁，尽管其与阴离子-阴离子Br-Br的接触时间长，但仍显着较高，这表明pi-d相互作用的重要性在磁性。令人惊讶的强大的pi-d相互作用，约。从磁化曲线估计的-22.3 K证明了供体分子被溴取代的化学修饰对实现强分子间相互作用的有用性。阴离子d自旋的反铁磁态通过强pi-d相互作用影响导电pi电子的传输，这

  DOI：

  10.1021/ic048548k
• 作为产物：
  描述：

  ethylenedithiotetrathiafulvalene 以92%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Kux Ulrich, Suzuki Hironori, Sasaki Shigeru, Iyoda Masahiko, Chem. Lett, (1995) N 3, S 183-184

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Efficient synthesis of brominated tetrathiafulvalene (TTF) derivatives: solid-state structure and electrochemical behaviour
  作者：Antonio Alberola、Rebecca J. Collis、Felipe García、Ruth E. Howard

  DOI：10.1016/j.tet.2006.06.006

  日期：2006.8

  An efficient synthesis is reported for 4,5-dibromo-[1,3]dithiole-2-thione (1) and 4-bromo-1,3-dithiole-2-thione (7) by bromination of lithiated vinylene trithiocarbonate. Compound 1 acts as a convenient precursor to a number of asymmetric electron donors. This is exemplified by the formation of 4,5-dibromo-4′,5′-bis(2′-cyanoethylsulfanyl)TTF (3) by cross-coupling methodology and subsequent conversion

  据报道，通过溴化锂化的亚乙烯基三硫代碳酸酯可以有效合成4,5-二溴-[1,3]二硫代-2-硫酮（1）和4-溴-1,3-二硫代-2-硫酮（7）。化合物1充当许多不对称电子供体的便利前体。这通过交叉偶联方法形成4,5-二溴-4'，5'-双（2'-氰基乙基硫基）TTF（3）并随后转化为4,5-二溴-4'，5'来举例说明-乙烯二硫代TTF（4）通过与氢氧化铯和1，2-二溴乙烷反应。新的供体4,5-二溴4'，5'-亚乙基二硫代二硒二氮富瓦烯（5）是通过将1和4,5-亚乙基二硫-1,3-二硒酚-2-一（6）。报告了3和5的X射线结构。
• Hal⋯Hal interactions in a series of three isostructural salts of halogenated tetrathiafulvalenes. Contribution of the halogen atoms to the HOMO–HOMO overlap interactions
  作者：Benoît Domercq、Thomas Devic、Marc Fourmigué、Pascale Auban­Senzier、Enric Canadell

  DOI：10.1039/b100103p

  日期：——

  The halogenated tetrathiafulvalenes, Br2-EDT-TTF and I2-EDT-TTF were prepared by the coupling route from the corresponding 4,5-dibromo- or 4,5-diiodo-1,3-dithiole-2-thione. In the isostructural series, (Br2-EDT-TTF)2IBr2, (Br2-EDT-TTF)2I3 and (I2-EDT-TTF)2I3, noted Br2/IBr2, Br2/I3 and I2/I3 respectively, short (3.42–3.60 Å) and directional Hal⋯Hal interactions are identified between donor molecules and with the anions, stabilising rare β′ phases. These interactions play not only a structural role but also contribute to the electronic dispersion thanks to sizeable coefficients on the halogen atoms in the HOMOs of Br2-EDT-TTF and I2-EDT-TTF. The three salts behave as Mott insulators as reflected by a high room temperature conductivity (0.5 S cm−1) with an activation energy which increases in the order Br2/IBr2 (730 K), Br2/I3 (1260 K), I2/I3 (1330 K) and a weak magnetic susceptibility, which decreases abruptly below 150 K with no sign of an antiferromagnetic ground state.

  卤化的四硫富瓦烯 Br2-EDT-TTF 和 I2-EDT-TTF 通过相应的 4,5-二溴或 4,5-二碘-1,3-二硫醇-2-酮的偶联途径制备。在同构系列中，(Br2-EDT-TTF)2IBr2、(Br2-EDT-TTF)2I3 和 (I2-EDT-TTF)2I3，分别记为 Br2/IBr2、Br2/I3 和 I2/I3，鉴定出短程（3.42–3.60 Å）且定向的卤-卤相互作用存在于供体分子与阴离子之间，从而稳定了稀有的 β′ 相。这些相互作用不仅发挥结构作用，还通过 Br2-EDT-TTF 和 I2-EDT-TTF 中 HOMOs 上卤素原子的显著系数对电子分散产生贡献。这三种盐表现出莫特绝缘体特性，其高室温电导率（0.5 S cm⁻¹）反映出其活化能按 Br2/IBr2 (730 K)、Br2/I3 (1260 K) 和 I2/I3 (1330 K) 的顺序增加，且具有较弱的磁化率，在 150 K 以下急剧下降，未出现反铁磁基态的迹象。
• Anionic Layered Networks Reconstructed from [Cd(SCN)₃]_∞⁻ Chains in Pseudo One-Dimensional Conducting Salts of Halogenated Tetrathiafulvalenes
  作者：Marc Fourmigué、Pascale Auban-Senzier

  DOI：10.1021/ic801207v

  日期：2008.11.3

  an unconventional rho = 0.4 in 2. They behave as semiconductors with sigma RT = 0.67 and 33 S cm(-1) and activation energies of 330 and 370 K for 1 and 2, respectively. Compared with a 1:3 Cd/SCN ratio of the starting electrolyte, the reconstructed, thiocyanate (SCN)-deficient motifs [Cd3(NCS)8](2-) and [Cd5(SCN)14](4-) organize into layered hollow structures with cavities filled by solvent molecules

  在聚合物1D [Et4N] [Cd（SCN）3]存在下，二碘-和二溴-乙烯-二硫代四硫代富瓦烯（EDT-TTFI2和EDT-TTFBr2）的电结晶提供了两种不同的盐，配制成[EDT-TTF- I2] 4 [Cd3（NCS）8] x CH3CN x H2O（1）和[EDT-TTF-Br2] 10 [Cd5（SCN）14] x 2 TCE（2），其特征在于部分分离二维氧化的供体分子和结合了嵌入式溶剂分子的聚合阴离子网络。两种盐都表现出部分电荷转移，即rho = 0.5 in 1和非常规rho = 0.4 in2。它们表现为sigma RT = 0.67和33 S cm（-1）且活化能为330和370 K的半导体分别为1和2。与起始电解液的1：3 Cd / SCN比相比，重建后的
• Syntheses and Properties of Halogenated EDT-TTF Derivatives
  作者：Ulrich Kux、Hironori Suzuki、Shigeru Sasaki、Masahiko Iyoda

  DOI：10.1246/cl.1995.183

  日期：1995.3

  Chlorination and bromination of EDT-TTF produced mainly the dihalogenated products (EDT-TTFCl2 and EDT-TTFBr2) with small amounts of the monohalogenated derivatives. In contrast, iodination of EDT-TTF afforded the monoiodinated derivative as the major product, together with the diiodinated compound. The molecular structures of EDT-TTFCl2 and EDT-TTFBr2 have been determined, and the conductivities of CT-complexes and radical salts of new donors reported here have been measured.

  EDT-TTF的氯化与溴化反应主要生成二卤化产物（EDT-TTFCl2和EDT-TTFBr2），以及少量单卤化衍生物。相比之下，EDT-TTF的碘化反应则主要生成单碘化衍生物，以及二碘化化合物。EDT-TTFCl2和EDT-TTFBr2的分子结构已经确定，本文报道的CT络合物和新型供体自由基盐的导电性也已测定。
• d-Electron-Induced Negative Magnetoresistance of a <i>π</i>−d Interaction System Based on a Brominated-TTF Donor
  作者：Junichi Nishijo、Akira Miyazaki、Toshiaki Enoki、Ryoji Watanabe、Yoshiyuki Kuwatani、Masahiko Iyoda

  DOI：10.1021/ic048548k

  日期：2005.4.1

  A new pi-d interaction system (EDT-TTFBr2)2FeBr4 (EDT-TTFBr2 = 4,5-dibromo-4',5'-ethylenedithiotetrathiafulvalene) and its nonmagnetic anion analogue (EDT-TTFBr2)2GaBr4 based on a brominated TTF-type organic donor are investigated. The salts featured by quasi-1D pi-electronic systems are metallic with metal-insulator transitions taking place at about 20 and 70 K for the FeBr4- and GaBr4- salts, respectively

  基于溴化TTF型的新型pi-d相互作用系统（EDT-TTFBr2）2FeBr4（EDT-TTFBr2 = 4,5-二溴-4'，5'-乙撑二硫代四硫富瓦烯）及其非磁性阴离子类似物（EDT-TTFBr2）2GaBr4对有机供体进行了研究。准1Dπ电子系统的盐是金属的，其中金属绝缘子跃迁分别发生在FeBr4-和GaBr4-盐的约20和70 K处，其中低温绝缘状态与电荷有序或莫特绝缘子，然后在较低温度下进行反铁磁转变。FeBr4-盐的特征是在Neel温度（TN）= 11 K时阴离子d自旋具有反铁磁跃迁，尽管其与阴离子-阴离子Br-Br的接触时间长，但仍显着较高，这表明pi-d相互作用的重要性在磁性。令人惊讶的强大的pi-d相互作用，约。从磁化曲线估计的-22.3 K证明了供体分子被溴取代的化学修饰对实现强分子间相互作用的有用性。阴离子d自旋的反铁磁态通过强pi-d相互作用影响导电pi电子的传输，这