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1-Butyl-1-hydroxy-3-prop-2-enyl-3-(prop-2-enylcarbamoyl)urea

中文名称
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中文别名
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英文名称
1-Butyl-1-hydroxy-3-prop-2-enyl-3-(prop-2-enylcarbamoyl)urea
英文别名
1-butyl-1-hydroxy-3-prop-2-enyl-3-(prop-2-enylcarbamoyl)urea
1-Butyl-1-hydroxy-3-prop-2-enyl-3-(prop-2-enylcarbamoyl)urea化学式
CAS
——
化学式
C12H21N3O3
mdl
——
分子量
255.31
InChiKey
YUOKOUGWUDISQZ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.9
  • 重原子数:
    18
  • 可旋转键数:
    7
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.5
  • 拓扑面积:
    72.9
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    3

文献信息

  • THIN FILM FORMATION COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY WHICH CONTAINS TITANIUM AND SILICON
    申请人:Nissan Chemical Industries, Ltd.
    公开号:EP2735904A1
    公开(公告)日:2014-05-28
    There is provided a thin film forming composition for forming resist underlayer film and the like which are used in the production of a semiconductor device, and a resist upper layer film which efficiently absorbs undesirable UV light with a thin film existing as an upper layer of the EUV resist before the undesirable UV light reaches the EUV resist layer in EUV lithography, an underlayer film (hardmask) for an EUV resist, a reverse material, and an underlayer film for a resist for solvent development. A thin film forming composition that is used together with a resist in a lithography process, comprising a mixture of a titanium compound (A) selected from a group consisting of a compound of Formula (1):         R0aTi(R1)(4-a)     Formula (1) a titanium chelate compound, and a hydrolyzable titanium dimer, and a silicon compound (B) of Formula (2):         R2a'R3bSi(R4)4-(a'+b)     Formula (2) a hydrolysis product of the mixture, or a hydrolysis-condensation product of the mixture, wherein the number of moles of a Ti atom is 50% to 90% relative to the number of total moles in terms of a Ti atom and a Si atom in the composition.
    本发明提供了一种薄膜形成组合物,用于形成半导体器件生产中使用的抗蚀剂下层膜等,以及一种抗蚀剂上层膜,该抗蚀剂上层膜在极紫外光刻中,在不希望的紫外光到达极紫外光抗蚀剂层之前,作为极紫外光抗蚀剂的上层薄膜存在,可有效吸收不希望的紫外光;一种极紫外光抗蚀剂下层膜(硬掩膜),一种反向材料,以及一种用于溶剂显影的抗蚀剂下层膜。一种在光刻工艺中与抗蚀剂一起使用的薄膜成型组合物,包括选自由式(1)化合物组成的组中的化合物(A)的混合物: R0aTi(R1)(4-a) 式(1) 一种钛螯合物和一种可解的二聚物,以及一种式(2)的化合物(B): R2a'R3bSi(R4)4-(a'+b) 式(2) 混合物的解产物,或混合物的解缩合产物,其中原子的摩尔数相对于组合物中原子和原子的总摩尔数为 50%至 90%。
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