tetrahydropyran-2-carbamate propyl triethoxysilane | 1226514-05-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: tetrahydropyran-2-carbamate propyl triethoxysilane
• 英文别名: (THP)-2-carbamate propyl triethoxysilane；oxan-2-yl N-(3-triethoxysilylpropyl)carbamate
• CAS: 1226514-05-1
• 化学式: C₁₅H₃₁NO₆Si
• 分子量: 349.5
• InChiKey: UIONDNKHZHHHCT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.68
• 重原子数：
  23
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.93
• 拓扑面积：
  75.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  tetrahydro-2H-2-pyranol 、 异氰酸丙基三乙氧基硅烷 在 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 48.0h， 以59%的产率得到tetrahydropyran-2-carbamate propyl triethoxysilane
  参考文献：
  名称：

  使用四氢吡喃保护的自组装单层和烷基异氰酸酯控制 TiO[sub 2] 生长条件

  摘要：

  研究了使用热加热和异氰酸辛酯 (OIC) 控制四氢吡喃 (THP)-2-氨基甲酸丙基三乙氧基硅烷 (TCPES) 上的 TiO 2 生长条件。TiO 2 可以从约pH 3的水溶液中在以-OH和-NH 2 基团封端的表面上生长。然而，由于这些表面的低表面能，TiO 2 没有沉积在-CH 3 封端的表面上。通过将材料加热到 200°C 以上，可以去除 -THP 官能团，并且可以将表面官能团转化为 -NH 2 。OIC可以在加热后固定在表面上，将表面官能团从-NH 2 变为-CH 3 。由于 TiO 2 可以从溶液中沉积在 -NH 2 封端的表面而不是 -CH 3 封端的表面上，TCPES 可用于通过热活化和随后与 OIC 的反应来切换表面特性。这种方法有可能用于 TiO 2 在表面上的位点选择性沉积。

  DOI：

  10.1149/1.3306067

文献信息

• Control of TiO[sub 2] Growth Conditions Using Tetrahydropyran Protected Self-Assembled Monolayer and Alkyl Isocyanate
  作者：Soo Young Kim

  DOI：10.1149/1.3306067

  日期：——

  The control of TiO 2 growth condition on tetrahydropyran (THP)-2-carbamate propyl triethoxysilane (TCPES) using thermal heating and octyl isocyanate (OIC) was investigated. TiO 2 can be grown on surfaces terminated with -OH and -NH 2 groups from an aqueous solution of about pH 3. However, TiO 2 did not deposit on the -CH 3 terminated surfaces due to the low surface energy of these surfaces. The -THP

  研究了使用热加热和异氰酸辛酯 (OIC) 控制四氢吡喃 (THP)-2-氨基甲酸丙基三乙氧基硅烷 (TCPES) 上的 TiO 2 生长条件。TiO 2 可以从约pH 3的水溶液中在以-OH和-NH 2 基团封端的表面上生长。然而，由于这些表面的低表面能，TiO 2 没有沉积在-CH 3 封端的表面上。通过将材料加热到 200°C 以上，可以去除 -THP 官能团，并且可以将表面官能团转化为 -NH 2 。OIC可以在加热后固定在表面上，将表面官能团从-NH 2 变为-CH 3 。由于 TiO 2 可以从溶液中沉积在 -NH 2 封端的表面而不是 -CH 3 封端的表面上，TCPES 可用于通过热活化和随后与 OIC 的反应来切换表面特性。这种方法有可能用于 TiO 2 在表面上的位点选择性沉积。