1,3-di-iso-propylamino-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane | 58997-31-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: 1,3-di-iso-propylamino-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane
• 英文别名: 1,3-bis(isopropylamino)tetramethyldisiloxane；N-[[dimethyl-(propan-2-ylamino)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-2-amine
• CAS: 58997-31-2
• 化学式: C₁₀H₂₈N₂OSi₂
• 分子量: 248.516
• InChiKey: SFFYRQNFFFIEOW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.4
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  33.3
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  1,3-二氯-1,1,3,3,-四甲基二硅氧烷 、 异丙胺 以 乙醚 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 1,3-di-iso-propylamino-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane
  参考文献：
  名称：

  [EN] HIGH THROUGHPUT DEPOSITION PROCESS
  [FR] PROCÉDÉ DE DÉPÔT À HAUT RENDEMENT

  摘要：

  The invention provides a PEALD process to deposit etch resistant SiOCN films. These films provide improved growth rate, improved step coverage and excellent etch resistance to wet etchants and post-deposition plasma treatments containing O2co-reactant. In one embodiment, this PEALD process relies on a single precursor – a bis(dialkylamino)tetraalkyldisiloxane, together with hydrogen plasma to deposit the etch-resistant thin-films of SiOCN. Since the film can be deposited with a single precursor, the overall process exhibits improved throughput.

  公开号：

  WO2022164698A1