trimethylsilylchlorosilane

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: trimethylsilylchlorosilane
• 英文别名: Chlorosilyl(trimethyl)silane；chlorosilyl(trimethyl)silane
• 化学式: C₃H₁₁ClSi₂
• 分子量: 138.744
• InChiKey: PODDMJATAWBBPI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.14
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  trimethylsilylchlorosilane 、 四氯化锡 生成 Dichlorosilyl(trimethyl)silane
  参考文献：
  名称：

  HOSMANE, N. S.;CRADOCK, S.;EBSWORTH, E. A. V., INORG. CHIM. ACTA, 1983, 72, N 2, 181-186

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  三甲基硅烷 在 ClSiH 作用下， 以 various solvent(s) 为溶剂， 25.85 ℃ 、1.33 kPa 条件下， 生成 trimethylsilylchlorosilane
  参考文献：
  名称：

  使用新的光化学前体直接检测氯代亚甲硅烷基并在气相中进行时间分辨的某些反应的研究

  摘要：

  通过在气相中通过1-nm-1-silacyclopent-3-ene的193 nm激光快速光解法制备亚甲叉基（ClSiH）。使用CW氩离子激光器在457.9 nm处实时监测ClSiH。ClSiH与C 2 H 4，CH 2 CHCMe 3，C 2 H 2，Me 2 O，SO 2，HCl，MeSiH 3，Me 2 SiH 2，Me 3 SiH，MeGeH 3，Me 2 GeH 2的反应动力学。首次在环境温度下对前驱体和前驱体进行了研究。ClSiH的加成反应和与孤对供体的反应比插入反应更快。出乎意料的是，ClSiH插入到Si–H中的速度比Ge–H键快。ClSiH在SiH 2和SiCl 2之间的反应性中间。ClSiH和SiH 2的相对反应性差异很大。

  DOI：

  10.1016/j.cplett.2005.07.079

文献信息

• Direct detection of chlorosilylene and time resolved study of some of its reactions in the gas-phase using a new photochemical precursor
  作者：R. Becerra、S.E. Boganov、M.P. Egorov、I.V. Krylova、O.M. Nefedov、R. Walsh

  DOI：10.1016/j.cplett.2005.07.079

  日期：2005.9

  time at 457.9 nm using a CW argon ion laser. The kinetics of reactions of ClSiH with C2H4, CH2CHCMe3, C2H2, Me2O, SO2, HCl, MeSiH3, Me2SiH2, Me3SiH, MeGeH3, Me2GeH2 and precursor have been studied at ambient temperatures for the first time. Addition reactions of ClSiH and reactions with lone pair donors are faster than insertion reactions. Surprisingly ClSiH inserts faster into Si–H than Ge–H bonds

  通过在气相中通过1-nm-1-silacyclopent-3-ene的193 nm激光快速光解法制备亚甲叉基（ClSiH）。使用CW氩离子激光器在457.9 nm处实时监测ClSiH。ClSiH与C 2 H 4，CH 2 CHCMe 3，C 2 H 2，Me 2 O，SO 2，HCl，MeSiH 3，Me 2 SiH 2，Me 3 SiH，MeGeH 3，Me 2 GeH 2的反应动力学。首次在环境温度下对前驱体和前驱体进行了研究。ClSiH的加成反应和与孤对供体的反应比插入反应更快。出乎意料的是，ClSiH插入到Si–H中的速度比Ge–H键快。ClSiH在SiH 2和SiCl 2之间的反应性中间。ClSiH和SiH 2的相对反应性差异很大。
• HOSMANE, N. S.;CRADOCK, S.;EBSWORTH, E. A. V., INORG. CHIM. ACTA, 1983, 72, N 2, 181-186
  作者：HOSMANE, N. S.、CRADOCK, S.、EBSWORTH, E. A. V.

  DOI：——

  日期：——